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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PSMN3R9-60PSQ Nexperia USA Inc. psmn3r9-60psq 3.0900
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 psmn3r9 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 130A (TC) 10V 3.9mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 103 NC @ 10 v ± 20V 5600 pf @ 25 v - 263W (TC)
BUK9Y65-100E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y65-100E, 115 0.8400
RFQ
 ECAD 8549 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y65 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 19A (TC) 5V 63.3mohm @ 5a, 10V 2.1v @ 1ma 14 nc @ 5 v ± 10V 1523 pf @ 25 v - 64W (TC)
BUK763R1-40B,118 Nexperia USA Inc. BUK763R1-40B, 118 -
RFQ
 ECAD 1677 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 3.1mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 94 NC @ 10 v ± 20V 6808 pf @ 25 v - 300W (TC)
MM5Z6V2T5GF Nexperia USA Inc. MM5Z6V2T5GF 0.2900
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Nexperia USA Inc. MM5Z 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
PMEG4050ETP,115 Nexperia USA Inc. PMEG4050ETP, 115 0.5500
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 PMEG4050 Schottky SOD-128/CFP5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 490 mV @ 5 a 300 µa @ 40 v 175 ° C (°) 5a 600pf @ 1v, 1MHz
PDTA123TT,235 Nexperia USA Inc. PDTA123TT, 235 0.0242
RFQ
 ECAD 5909 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA123 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 20MA, 5V 2.2 Kohms
BUK9MPP-65PLL,518 Nexperia USA Inc. BUK9MPP-65PLL, 518 -
RFQ
 ECAD 8872 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934063278518 쓸모없는 1 - - - - -
BZX58550-C3V3-QX Nexperia USA Inc. BZX58550-C3V3-QX 0.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 7.5 µa @ 1.5 v 3.3 v 100 옴
BF821,235 Nexperia USA Inc. BF821,235 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BF821 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 300 v 50 MA 10NA (ICBO) PNP 800mv @ 5ma, 30ma 50 @ 25MA, 20V 60MHz
BZV49-C27115 Nexperia USA Inc. BZV49-C27115 1.0000
RFQ
 ECAD 3196 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1
PMP4201Y,135 Nexperia USA Inc. PMP4201Y, 135 0.5000
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PMP4201 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 npn (() 일치 한 쌍 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
SZMM3Z22VT1GX Nexperia USA Inc. szmm3z22vt1gx 0.2700
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 17 v 22 v 25 옴
PMN70XPEAX Nexperia USA Inc. pmn70xpeax -
RFQ
 ECAD 1945 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PMN70 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.2A (TA) 2.5V, 4.5V 85mohm @ 2a, 4.5v 1.25V @ 250µA 7.8 NC @ 4.5 v ± 12V 602 pf @ 10 v - 500MW (TA), 6.25W (TC)
BUK7610-100B,118 Nexperia USA Inc. BUK7610-100B, 118 -
RFQ
 ECAD 4472 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK7610 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 75A (TC) 10V 10mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 80 nc @ 10 v ± 20V 6773 pf @ 25 v - 300W (TC)
BZT52-C5V1X Nexperia USA Inc. BZT52-C5V1X 0.2200
RFQ
 ECAD 2259 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.9% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
BZV85-C24,133 Nexperia USA Inc. BZV85-C24,133 0.0597
RFQ
 ECAD 2130 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZV85-C24 1.3 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 933500740133 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 50 ma 50 na @ 17 v 24 v 30 옴
BUK714R1-40BT,118 Nexperia USA Inc. BUK714R1-40BT, 118 -
RFQ
 ECAD 2296 0.00000000 Nexperia USA Inc. 트렌치 트렌치 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 4.1mohm @ 50a, 10V 4V @ 1MA 83 NC @ 10 v ± 20V 6808 pf @ 25 v 온도 온도 다이오드 272W (TC)
BZT52H-C9V1,115 Nexperia USA Inc. BZT52H-C9V1,115 0.2600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 10 옴
BZX8450-C5V1-QVL Nexperia USA Inc. BZX8450-C5V1-QVL 0.2200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX8450-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX8450 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 3 v 5.1 v 60 옴
PSMN3R0-30YLDX Nexperia USA Inc. psmn3r0-30yldx 1.0500
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN3R0 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 25a, 10V 2.2v @ 1ma 46.4 NC @ 10 v ± 20V 2939 pf @ 15 v - 91W (TC)
PMPB07R3ENAX Nexperia USA Inc. pmpb07r3enax 0.1948
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 MOSFET (금속 (() DFN2020M-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TA) 4.5V, 10V 8.6mohm @ 12a, 10V 2.2V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 914 pf @ 15 v - 1.9W (TA), 12.5W (TC)
BZX84W-B27X Nexperia USA Inc. BZX84W-B27X 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX84W 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 18.9 v 27 v 80 옴
PBSS5440D,115 Nexperia USA Inc. PBSS5440D, 115 0.5400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PBSS5440 1.1 w 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 40 v 4 a 100NA PNP 450MV @ 600MA, 6A 175 @ 2a, 2v 110MHz
BAV70W/SNX Nexperia USA Inc. bav70w/snx -
RFQ
 ECAD 3179 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 bav70 기준 SC-70 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 100 v 175MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°)
PMEG060V100EPDAZ Nexperia USA Inc. PMEG060V100EPDAZ 0.7800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn PMEG060 Schottky CFP15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 560 mV @ 10 a 33 ns 700 µa @ 60 v 175 ° C (°) 10A 350pf @ 10V, 1MHz
PBSS4230QAZ Nexperia USA Inc. PBSS4230QAZ 0.1035
RFQ
 ECAD 7803 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xdfn d 패드 PBSS4230 325 MW DFN1010D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 30 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 190mv @ 50ma, 1a 100 @ 2a, 2v 190mhz
BUK9875-100A/CU,115 Nexperia USA Inc. BUK9875-100A/CU, 115 1.0000
RFQ
 ECAD 9112 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
NHUMB10F Nexperia USA Inc. nhumb10f 0.3900
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NHUMB10 350MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 80V 100ma 100NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 100mv @ 500µa, 10ma 100 @ 10ma, 5V 150MHz 2.2kohms 47kohms
BCP56-QF Nexperia USA Inc. BCP56-QF 0.0947
RFQ
 ECAD 9590 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BCP56-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP56 650 MW SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
PMF370XN,115 Nexperia USA Inc. PMF370XN, 115 -
RFQ
 ECAD 9652 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PMF370 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 870ma (TC) 4.5V 440mohm @ 200ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 0.65 nc @ 4.5 v ± 12V 37 pf @ 25 v - 560MW (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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