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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PZU3.9B2,115 Nexperia USA Inc. PZU3.9B2,115 0.2500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU3.9 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
BZX384-B62F Nexperia USA Inc. BZX384-B62F 0.0299
RFQ
ECAD 9929 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934057392135 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 5 na @ 43.4 v 62 v 215 옴
PZU6.2B3A,115 Nexperia USA Inc. PZU6.2B3A, 115 0.2800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 PZU6.2 320 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 500 na @ 3 v 6.2 v 30 옴
BCX51-10,115 Nexperia USA Inc. BCX51-10,115 0.4700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX51 1.3 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 45 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 145MHz
BUK9K25-40EX Nexperia USA Inc. BUK9K25-40EX 0.9400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 BUK9K25 MOSFET (금속 (() 32W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 40V 18.2A 24mohm @ 5a, 10V 2.1v @ 1ma 6.3NC @ 5V 701pf @ 25v 논리 논리 게이트
PSMN5R2-60YLX Nexperia USA Inc. PSMN5R2-60YLX 1.5600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn5r2 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 100A (TC) 5V, 10V 5.2MOHM @ 25A, 10V 2.1v @ 1ma 39.4 NC @ 5 v ± 20V 6319 pf @ 25 v - 195W (TC)
BUK3F00-50WDFE,518 Nexperia USA Inc. Buk3f00-50wdfe, 518 -
RFQ
ECAD 4370 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 쟁반 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 935284294518 쓸모없는 0000.00.0000 1
BZV55-B11,115 Nexperia USA Inc. BZV55-B11,115 0.3600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-B11 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
BZT52-B5V1115 Nexperia USA Inc. BZT52-B5V1115 -
RFQ
ECAD 4736 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 BZT52 다운로드 0000.00.0000 1
BZX84J-C75,115 Nexperia USA Inc. BZX84J-C75,115 0.0531
RFQ
ECAD 6298 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZX84J-C75 550 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 NA @ 52.5 v 75 v 175 옴
PDTD113ZQAZ Nexperia USA Inc. PDTD113ZQAZ 0.0579
RFQ
ECAD 4574 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-xdfn d 패드 PDTD113 325 MW DFN1010D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069272147 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 100mv @ 2.5ma, 50ma 70 @ 50MA, 5V 210MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
PBSS4140U,115 Nexperia USA Inc. PBSS4140U, 115 0.4400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PBSS4140 350 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 1 a 100NA NPN 500mv @ 100ma, 1a 300 @ 500ma, 5V 150MHz
BZX884S-B3V3YL Nexperia USA Inc. BZX884S-B3V3YL 0.3500
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.12% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 BZX884S-B3V3 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
PMN48XPA2X Nexperia USA Inc. pmn48xpa2x 0.4600
RFQ
ECAD 6849 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PMN48 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.4A (TA) 2.5V, 8V 49mohm @ 4.4a, 8v 1.3V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 12V 679 pf @ 10 v - 660MW (TA), 7.5W (TC)
NX5008NBKMYL Nexperia USA Inc. NX5008NBKMYL 0.3700
RFQ
ECAD 35 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 NX5008 MOSFET (금속 (() SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 50 v 350MA (TA) 2.8ohm @ 200ma, 4.5v 900MV @ 250µA 0.7 nc @ 4.5 v ± 8V 29 pf @ 25 v - 350MW (TA), 2.8W (TC)
PMBT4401YSX Nexperia USA Inc. PMBT4401YSX 0.3400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBT4401 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA 50NA (ICBO) NPN 750mv @ 50ma, 500ma 80 @ 10ma, 1v 250MHz
PMEG1030EH Nexperia USA Inc. PMEG1030EH -
RFQ
ECAD 5306 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 활동적인 표면 표면 SOD-123F Schottky SOD-123F 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 10 v 530 mV @ 3 a 3 ma @ 10 v 150 ° C (°) 3A 85pf @ 1v, 1MHz
BZX84J-C3V3,115 Nexperia USA Inc. BZX84J-C3V3,115 0.3000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZX84J-C3V3 550 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
PSMN059-150Y,115 Nexperia USA Inc. PSMN059-150Y, 115 1.1900
RFQ
ECAD 8933 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN059 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 150 v 43A (TC) 10V 59mohm @ 12a, 10V 4V @ 1MA 27.9 NC @ 10 v ± 20V 1529 pf @ 30 v - 113W (TC)
BC806-25VL Nexperia USA Inc. BC806-25VL 0.2100
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC806 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 80 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 80MHz
2PD601BSL,215 Nexperia USA Inc. 2pd601bsl, 215 0.2200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2pd601 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 200 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 290 @ 2MA, 10V 250MHz
BZX84-B27/DG/B3R Nexperia USA Inc. BZX84-B27/DG/B3R -
RFQ
ECAD 7098 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065294215 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 18.9 v 27 v 80 옴
BUK7207-30B,118 Nexperia USA Inc. BUK7207-30B, 118 -
RFQ
ECAD 8475 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 185 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 75A (TC) 10V 7mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 34 NC @ 10 v ± 20V 2245 pf @ 25 v - 167W (TC)
BC68-25PASX Nexperia USA Inc. BC68-25PASX 0.1038
RFQ
ECAD 1008 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn n 패드 BC68 420 MW DFN2020D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 20 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 200ma, 2a 85 @ 500ma, 1V 170MHz
PDTA113ET,215 Nexperia USA Inc. PDTA113ET, 215 0.1700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA113 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 1.5ma, 30ma 30 @ 40MA, 5V 1 KOHMS 1 KOHMS
BUK662R5-30C,118 Nexperia USA Inc. BUK662R5-30C, 118 -
RFQ
ECAD 1407 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 100A (TC) 10V 2.8mohm @ 25a, 10V 2.8V @ 1MA 114 NC @ 10 v ± 16V 6960 pf @ 25 v - 204W (TC)
PEMH18,115 Nexperia USA Inc. PEMH18,115 0.1074
RFQ
ECAD 5359 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMH18 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 100mv @ 500µa, 10ma 50 @ 10ma, 5V - 4.7kohms 10kohms
BAS70-06W,115 Nexperia USA Inc. BAS70-06W, 115 0.3100
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BAS70 Schottky SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 70 v 70MA (DC) 1 V @ 15 ma 10 µa @ 70 v 150 ° C (°)
BZX84-C2V4-QVL Nexperia USA Inc. BZX84-C2V4-QVL 0.0250
RFQ
ECAD 1311 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-C2V4-QVLTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
PUMH18,115 Nexperia USA Inc. PUMH18,115 0.2200
RFQ
ECAD 1241 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMH18 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 100mv @ 500µa, 10ma 50 @ 10ma, 5V - 4.7kohms 10kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고