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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BUK7508-40B,127 Nexperia USA Inc. BUK7508-40B, 127 -
RFQ
 ECAD 5540 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 8mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 36 nc @ 10 v ± 20V 2689 pf @ 25 v - 157W (TC)
MM3Z22VT1GX Nexperia USA Inc. MM3Z22VT1GX 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. MM3Z 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 17 v 22 v 25 옴
BC807-40QCH-QZ Nexperia USA Inc. BC807-40QCH-QZ 0.3400
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC807QCH-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 455 MW DFN1412D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 80MHz
BC846,215 Nexperia USA Inc. BC846,215 0.1400
RFQ
 ECAD 161 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC846X 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC846 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
BCX71J,215 Nexperia USA Inc. BCX71J, 215 0.2000
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX71 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 20NA (ICBO) PNP 550MV @ 1.25ma, 50ma 250 @ 2MA, 5V 100MHz
PDZ13B,115 Nexperia USA Inc. PDZ13B, 115 0.2100
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 PDZ13 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 10 v 13 v 10 옴
BZX585-B9V1,115 Nexperia USA Inc. BZX585-B9V1,115 0.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-B9V1 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 10 옴
PBHV8215Z,115 Nexperia USA Inc. PBHV8215Z, 115 0.5400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PBHV8215 1.45 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 150 v 2 a 100NA NPN 280mv @ 400ma, 2a 100 @ 1a, 10V 33MHz
PLVA668A-QR Nexperia USA Inc. PLVA668A-QR 0.0920
RFQ
 ECAD 7005 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.94% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 plva668a 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PLVA668A-QRTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 0.8 NA @ 3.4 v 6.8 v 100 옴
BUK6C3R3-75C,118 Nexperia USA Inc. BUK6C3R3-75C, 118 -
RFQ
 ECAD 5798 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() D2PAK-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 181A (TC) 10V 3.4mohm @ 90a, 10V 2.8V @ 1MA 253 NC @ 10 v ± 16V 15800 pf @ 25 v - 300W (TC)
NZX8V2D,133 Nexperia USA Inc. NZX8V2D, 133 0.2000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. NZX 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 NZX8V2 500MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 700 na @ 5 v 8.5 v 20 옴
PBSS5250XZ Nexperia USA Inc. PBSS5250XZ 0.1125
RFQ
 ECAD 2488 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBSS5250 550 MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 50 v 2 a 100NA PNP 380mv @ 100ma, 2a 200 @ 1a, 2v 100MHz
BAT54GW,118 Nexperia USA Inc. Bat54GW, 118 -
RFQ
 ECAD 6372 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 Bat54 다운로드 귀 99 8541.10.0070 1
BZT52-C43,118 Nexperia USA Inc. BZT52-C43,118 -
RFQ
 ECAD 3335 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 BZT52 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1
PMPB29XPEAX Nexperia USA Inc. pmpb29xpeax 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB29 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 5A (TA) 1.8V, 4.5V 32.5mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 45 NC @ 4.5 v ± 12V 2970 pf @ 10 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
BUK6607-55C,118 Nexperia USA Inc. BUK6607-55C, 118 2.0200
RFQ
 ECAD 581 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK6607 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 100A (TC) 10V 6.5mohm @ 25a, 10V 2.8V @ 1MA 82 NC @ 10 v ± 16V 5160 pf @ 25 v - 158W (TC)
HPZR-C30X Nexperia USA Inc. HPZR-C30X 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. HPZR 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123W 962 MW SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 26 v 30 v 40.28 옴
NZX11D,133 Nexperia USA Inc. NZX11D, 133 0.0263
RFQ
 ECAD 8935 0.00000000 Nexperia USA Inc. NZX 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 NZX11 500MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934061977133 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 8 v 11.35 v 25 옴
PZU9.1BL,315 Nexperia USA Inc. PZU9.1BL, 315 0.2900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 PZU9.1 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 10 옴
BAS32L,135 Nexperia USA Inc. BAS32L, 135 0.1500
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BAS32 기준 llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1 v @ 100 ma 4 ns 5 µa @ 75 v 200 ° C (() 200ma 2pf @ 0V, 1MHz
PBSS301PZ,135 Nexperia USA Inc. PBSS301PZ, 135 0.6500
RFQ
 ECAD 2587 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PBSS301 2 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 12 v 5.7 a 100NA (ICBO) PNP 245MV @ 285MA, 5.7A 200 @ 2a, 2v 140MHz
PDTD143ET215 Nexperia USA Inc. PDTD143ET215 1.0000
RFQ
 ECAD 8015 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 - 귀 99 8541.21.0075 1
BZX84W-C2V7X Nexperia USA Inc. BZX84W-C2V7X 0.0313
RFQ
 ECAD 2484 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX84W 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
PMN27UPH Nexperia USA Inc. pmn27uph -
RFQ
 ECAD 8713 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934064768125 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 5.7A (TA) 1.8V, 4.5V 32mohm @ 2.4a, 4.5v 950MV @ 250µA 31 NC @ 4.5 v ± 8V 2340 pf @ 10 v - 540MW (TA), 6.25W (TC)
2PB1219AQ,135 Nexperia USA Inc. 2PB1219AQ, 135 0.0377
RFQ
 ECAD 8874 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2PB1219 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 30ma, 300ma 85 @ 150ma, 10V 100MHz
PUMD16/ZLX Nexperia USA Inc. PUMD16/ZLX -
RFQ
 ECAD 1959 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMD16 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070268115 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V - 47kohms 47kohms
PDTB113EUF Nexperia USA Inc. pdtb113euf 0.0503
RFQ
 ECAD 5002 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTB113 300MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068333135 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 100mv @ 2.5ma, 50ma 33 @ 50MA, 5V 140MHz 1 KOHMS 1 KOHMS
PDTA123YT,215 Nexperia USA Inc. PDTA123YT, 215 0.1700
RFQ
 ECAD 285 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA123 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 35 @ 5MA, 5V 2.2 Kohms 10 KOHMS
BZX79-B22,133 Nexperia USA Inc. BZX79-B22,133 0.0268
RFQ
 ECAD 5020 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-B22 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 15.4 v 22 v 55 옴
BZX84-C4V7,215 Nexperia USA Inc. BZX84-C4V7,215 0.1600
RFQ
 ECAD 569 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C4V7 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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