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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | BC807-40W, 135 | 0.2000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BC807 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 45 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 50ma, 500ma | 250 @ 100MA, 1V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC144EQAZ | 0.3300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 3-xdfn d 패드 | PDTC144 | 280 MW | DFN1010D-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50 v | 100 MA | 1µA | npn-사전- | 150mv @ 500µa, 10ma | 80 @ 5ma, 5V | 230MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC124XM, 315 | 0.0396 | ![]() | 5941 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | PDTC124 | 250 MW | SOT-883 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50 v | 100 MA | 1µA | npn-사전- | 150mv @ 500µa, 10ma | 80 @ 5ma, 5V | 22 KOHMS | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | psmn2r5-40yldx | 1.6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | psmn2r5 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 160A (TA) | 4.5V, 10V | 2.6mohm @ 25a, 10V | 2.05V @ 1mA | 78 NC @ 10 v | ± 20V | 5583 pf @ 20 v | Schottky Diode (Body) | 147W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
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BCW60B, 215 | 0.2700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCW60 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 32 v | 100 MA | 20NA (ICBO) | NPN | 550MV @ 1.25ma, 50ma | 180 @ 2MA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG100T30ELP-QX | 0.6600 | ![]() | 2007 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-128 | Schottky | SOD-128/CFP5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 800 mv @ 3 a | 12.5 ns | 1.75 µa @ 100 v | 175 ° C | 3A | 300pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | PMCB60XNZ | 0.5200 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | MOSFET (금속 (() | DSN1006-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n 채널 | 30 v | 4A (TA) | 1.8V, 4.5V | 50mohm @ 4a, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 2.7 NC @ 4.5 v | ± 12V | 241 pf @ 15 v | - | 480MW (TA), 7W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BC807-40LWX | 0.1900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BC807 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 50ma, 500ma | 250 @ 100MA, 1V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
BZT52-C12,118 | 1.0000 | ![]() | 5372 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5.42% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52 | 350 MW | SOD-123 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 1 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 8 v | 12 v | 10 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | psmn075-100msex | 0.8200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) | PSMN075 | MOSFET (금속 (() | LFPAK33 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 100 v | 18A (TJ) | 10V | 71mohm @ 5a, 10V | 4V @ 1MA | 16.4 NC @ 10 v | ± 20V | 773 pf @ 50 v | - | 65W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52-B6V2,118 | 0.0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZT52 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PUMH2,115 | 0.2900 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PUMH2 | 300MW | 6-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100ma | 1µA | 2 npn--바이어스 (듀얼) | 150mv @ 500µa, 10ma | 80 @ 5ma, 5V | - | 47kohms | 47kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTD143XUF | 0.0503 | ![]() | 6801 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | PDTD143 | 300MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934068345135 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 50 v | 500 MA | 500NA | npn-사전- | 100mv @ 2.5ma, 50ma | 70 @ 50MA, 5V | 225 MHz | 4.7 Kohms | 10 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||
BF820-QR | 0.0914 | ![]() | 5948 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1727-BF820-QRTR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 300 v | 50 MA | 10NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 30ma | 50 @ 25MA, 20V | 60MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847AQBZ | 0.2400 | ![]() | 872 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BC847XQB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 3-xdfn d 패드 | BC847 | 340 MW | DFN1110D-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 5ma, 100ma | 110 @ 2MA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B24,143 | 0.0321 | ![]() | 6373 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | BZX79-B24 | 400MW | ALF2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 900 mV @ 10 ma | 50 NA @ 16.8 v | 24 v | 70 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54S/DG/B3215 | 1.0000 | ![]() | 7910 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | Bat54 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BAT54S/DG/B3215-1727 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA113ZM, 315 | 0.3000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | PDTA113 | 250 MW | SOT-883 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50 v | 100 MA | 1µA | pnp- 사전- | 150mv @ 500µa, 10ma | 35 @ 5MA, 5V | 1 KOHMS | 10 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | buk6e3r2-55c, 127 | - | ![]() | 8065 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 120A (TC) | 10V | 3.2mohm @ 25a, 10V | 2.8V @ 1MA | 258 NC @ 10 v | ± 16V | 15300 pf @ 25 v | - | 306W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BCM857BS/ZLF | - | ![]() | 6699 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BCM857 | 6-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG2020CPAS115 | - | ![]() | 9936 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bat54GWJ | 0.2000 | ![]() | 5155 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123 | Bat54 | Schottky | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 400 mV @ 10 ma | 2 µa @ 25 v | 150 ° C (°) | 200ma | 10pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B20133 | 0.0200 | ![]() | 8584 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMDT290UNYL | 0.1062 | ![]() | 1375 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | PMDT290 | MOSFET (금속 (() | 500MW (TA) | SOT-666 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934065732315 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 800MA (TA) | 380mohm @ 500ma, 4.5v | 950MV @ 250µA | 0.68NC @ 4.5V | 83pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PHPT61002PYCX | 0.5000 | ![]() | 9798 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | PHPT61002 | 1.25 w | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,500 | 100 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 110mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 500ma, 1.5v | 125MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTD123EQAZ | 0.0579 | ![]() | 6560 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 3-xdfn d 패드 | PDTD123 | 325 MW | DFN1010D-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934069265147 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50 v | 500 MA | 500NA | npn-사전- | 100mv @ 2.5ma, 50ma | 40 @ 50MA, 5V | 210MHz | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884S-B8V2YL | 0.3500 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1.95% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-882 | 365 MW | DFN1006BD-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 ma | 700 na @ 5 v | 8.2 v | 15 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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