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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BC807-40W,135 Nexperia USA Inc. BC807-40W, 135 0.2000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC807 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 80MHz
PDTC144EQAZ Nexperia USA Inc. PDTC144EQAZ 0.3300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-xdfn d 패드 PDTC144 280 MW DFN1010D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V 230MHz 47 Kohms 47 Kohms
PDTC124XM,315 Nexperia USA Inc. PDTC124XM, 315 0.0396
RFQ
ECAD 5941 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 PDTC124 250 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V 22 KOHMS 47 Kohms
PSMN2R5-40YLDX Nexperia USA Inc. psmn2r5-40yldx 1.6500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn2r5 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 160A (TA) 4.5V, 10V 2.6mohm @ 25a, 10V 2.05V @ 1mA 78 NC @ 10 v ± 20V 5583 pf @ 20 v Schottky Diode (Body) 147W (TA)
BZT52-B2V7J Nexperia USA Inc. BZT52-B2V7J 0.2400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.85% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 83 옴
2PA1576Q,115 Nexperia USA Inc. 2PA1576Q, 115 0.0381
RFQ
ECAD 6184 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2PA1576 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 100MHz
BCW60B,215 Nexperia USA Inc. BCW60B, 215 0.2700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW60 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 32 v 100 MA 20NA (ICBO) NPN 550MV @ 1.25ma, 50ma 180 @ 2MA, 5V 250MHz
PMEG100T30ELP-QX Nexperia USA Inc. PMEG100T30ELP-QX 0.6600
RFQ
ECAD 2007 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 Schottky SOD-128/CFP5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 800 mv @ 3 a 12.5 ns 1.75 µa @ 100 v 175 ° C 3A 300pf @ 1v, 1MHz
BZX84W-B7V5X Nexperia USA Inc. BZX84W-B7V5X 0.2200
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX84W 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
PMCB60XNZ Nexperia USA Inc. PMCB60XNZ 0.5200
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn MOSFET (금속 (() DSN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 30 v 4A (TA) 1.8V, 4.5V 50mohm @ 4a, 4.5v 1.1V @ 250µA 2.7 NC @ 4.5 v ± 12V 241 pf @ 15 v - 480MW (TA), 7W (TC)
BC807-40LWX Nexperia USA Inc. BC807-40LWX 0.1900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC807 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 80MHz
BZT52-C12,118 Nexperia USA Inc. BZT52-C12,118 1.0000
RFQ
ECAD 5372 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 활동적인 ± 5.42% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 350 MW SOD-123 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 12 v 10 옴
PSMN075-100MSEX Nexperia USA Inc. psmn075-100msex 0.8200
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) PSMN075 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 18A (TJ) 10V 71mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 16.4 NC @ 10 v ± 20V 773 pf @ 50 v - 65W (TC)
BZT52-B6V2,118 Nexperia USA Inc. BZT52-B6V2,118 0.0200
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 BZT52 다운로드 0000.00.0000 1
PUMH2,115 Nexperia USA Inc. PUMH2,115 0.2900
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMH2 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V - 47kohms 47kohms
PDTD143XUF Nexperia USA Inc. PDTD143XUF 0.0503
RFQ
ECAD 6801 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTD143 300MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068345135 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 100mv @ 2.5ma, 50ma 70 @ 50MA, 5V 225 MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
BF820-QR Nexperia USA Inc. BF820-QR 0.0914
RFQ
ECAD 5948 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BF820-QRTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 300 v 50 MA 10NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 30ma 50 @ 25MA, 20V 60MHz
BC847AQBZ Nexperia USA Inc. BC847AQBZ 0.2400
RFQ
ECAD 872 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC847XQB 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 BC847 340 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
BZX79-B24,143 Nexperia USA Inc. BZX79-B24,143 0.0321
RFQ
ECAD 6373 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-B24 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 16.8 v 24 v 70 옴
BAT54S/DG/B3215 Nexperia USA Inc. BAT54S/DG/B3215 1.0000
RFQ
ECAD 7910 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 Bat54 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-BAT54S/DG/B3215-1727 1
PDTA113ZM,315 Nexperia USA Inc. PDTA113ZM, 315 0.3000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 PDTA113 250 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 35 @ 5MA, 5V 1 KOHMS 10 KOHMS
BUK6E3R2-55C,127 Nexperia USA Inc. buk6e3r2-55c, 127 -
RFQ
ECAD 8065 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 120A (TC) 10V 3.2mohm @ 25a, 10V 2.8V @ 1MA 258 NC @ 10 v ± 16V 15300 pf @ 25 v - 306W (TC)
BCM857BS/ZLF Nexperia USA Inc. BCM857BS/ZLF -
RFQ
ECAD 6699 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BCM857 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000
PMEG2020CPAS115 Nexperia USA Inc. PMEG2020CPAS115 -
RFQ
ECAD 9936 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0080 3,000
BAT54GWJ Nexperia USA Inc. Bat54GWJ 0.2000
RFQ
ECAD 5155 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 Bat54 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 400 mV @ 10 ma 2 µa @ 25 v 150 ° C (°) 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
BZX79-B20133 Nexperia USA Inc. BZX79-B20133 0.0200
RFQ
ECAD 8584 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1
PMDT290UNEYL Nexperia USA Inc. PMDT290UNYL 0.1062
RFQ
ECAD 1375 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PMDT290 MOSFET (금속 (() 500MW (TA) SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065732315 귀 99 8541.21.0095 8,000 2 n 채널 (채널) 20V 800MA (TA) 380mohm @ 500ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.68NC @ 4.5V 83pf @ 10V -
PHPT61002PYCX Nexperia USA Inc. PHPT61002PYCX 0.5000
RFQ
ECAD 9798 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PHPT61002 1.25 w LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,500 100 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 110mv @ 50ma, 500ma 100 @ 500ma, 1.5v 125MHz
PDTD123EQAZ Nexperia USA Inc. PDTD123EQAZ 0.0579
RFQ
ECAD 6560 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-xdfn d 패드 PDTD123 325 MW DFN1010D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069265147 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 100mv @ 2.5ma, 50ma 40 @ 50MA, 5V 210MHz 2.2 Kohms 2.2 Kohms
BZX884S-B8V2YL Nexperia USA Inc. BZX884S-B8V2YL 0.3500
RFQ
ECAD 49 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.95% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고