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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BAS86,115 Nexperia USA Inc. BAS86,115 0.3500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BAS86 Schottky llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 2,500 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 50 v 900 mv @ 100 ma 4 ns 5 µa @ 40 v 125 ° C (°) 200ma 8pf @ 1v, 1MHz
PBRP123ET-QR Nexperia USA Inc. PBRP123ET-QR 0.0687
RFQ
 ECAD 5163 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBRP123 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBRP123ET-QRTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 40 v 600 MA 500NA pnp- 사전- 750mv @ 6ma, 600ma 180 @ 300ma, 5V 2.2 Kohms 2.2 Kohms
ON5474J Nexperia USA Inc. on5474J -
RFQ
 ECAD 7060 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 2,500
BUK6209-30C,118 Nexperia USA Inc. BUK6209-30C, 118 -
RFQ
 ECAD 8286 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 50A (TC) 10V 9.8mohm @ 12a, 10V 2.8V @ 1MA 30.5 nc @ 10 v ± 16V 1760 pf @ 25 v - 80W (TC)
PEMB1,115 Nexperia USA Inc. PEMB1,115 -
RFQ
 ECAD 8952 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMB1 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 1µA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 60 @ 5MA, 5V - 22kohms 22kohms
PH3830DL115 Nexperia USA Inc. ph3830dl115 0.5100
RFQ
 ECAD 585 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1,500
BZB984-C15,115 Nexperia USA Inc. BZB984-C15,115 0.3800
RFQ
 ECAD 6734 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% - 표면 표면 SOT-663 BZB984-C15 265 MW SOT-663 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 50 na @ 10.5 v 15 v 10 옴
PMEG4005EPK,315 Nexperia USA Inc. PMEG4005EPK, 315 0.4200
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-xdfn PMEG4005 Schottky DFN1608D-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 590 mV @ 500 mA 2 ns 2 µa @ 10 v 150 ° C (°) 500ma 30pf @ 1v, 1MHz
PBSS4160T,215 Nexperia USA Inc. PBSS4160T, 215 0.4200
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBSS4160 400MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 1 a 100NA NPN 250mv @ 100ma, 1a 200 @ 500ma, 5V 220MHz
BAT120C,115 Nexperia USA Inc. BAT120C, 115 0.6500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BAT120 Schottky SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 25 v 1A (DC) 450 mV @ 1 a 1 ma @ 25 v 125 ° C (°)
BZX84J-C12,115 Nexperia USA Inc. BZX84J-C12,115 0.3000
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZX84J-C12 550 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 8 v 12 v 10 옴
BZX84-C18,215 Nexperia USA Inc. BZX84-C18,215 0.1700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C18 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 12.6 v 18 v 45 옴
BZX585-C3V3,115 Nexperia USA Inc. BZX585-C3V3,115 0.3400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-C3V3 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
PDZ7.5B,115 Nexperia USA Inc. PDZ7.5B, 115 0.2100
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 PDZ7.5 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 500 na @ 4 v 7.5 v 10 옴
PBSS5220V,115 Nexperia USA Inc. PBSS5220V, 115 0.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PBSS5220 900 MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,000 20 v 2 a 100NA PNP 390mv @ 200ma, 2a 155 @ 1a, 2v 185MHz
BZB84-B8V2,215 Nexperia USA Inc. BZB84-B8V2,215 0.0531
RFQ
 ECAD 3528 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-B8V2 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
BCX71K,235 Nexperia USA Inc. BCX71K, 235 0.2000
RFQ
 ECAD 315 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX71 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 20NA (ICBO) PNP 550MV @ 1.25ma, 50ma 380 @ 2MA, 5V 100MHz
BFS20,235 Nexperia USA Inc. BFS20,235 0.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BFS20 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 20 v 25 MA 100NA (ICBO) NPN - 40 @ 7ma, 10V 450MHz
PDTC123JU,115 Nexperia USA Inc. PDTC123JU, 115 0.1900
RFQ
 ECAD 145 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTC123 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 10V 2.2 Kohms 47 Kohms
BUK7Y08-40B,115 Nexperia USA Inc. BUK7Y08-40B, 115 -
RFQ
 ECAD 5097 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y08 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 8mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 36.3 NC @ 10 v ± 20V 2040 pf @ 25 v - 105W (TC)
BC847C/SNR Nexperia USA Inc. BC847C/SNR -
RFQ
 ECAD 8276 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934660333215 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
PMEG050V030EPDZ Nexperia USA Inc. PMEG050V030EPDZ 0.5500
RFQ
 ECAD 406 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn PMEG050 Schottky CFP15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 530 mV @ 3 a 12 ns 100 µa @ 50 v 175 ° C (°) 3A 350pf @ 1v, 1MHz
PZU16B2A,115 Nexperia USA Inc. PZU16B2A, 115 0.2900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 PZU16 320 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 12 v 16 v 20 옴
PDTC143XMB,315 Nexperia USA Inc. PDTC143XMB, 315 0.0361
RFQ
 ECAD 5096 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-xfdfn PDTC143 250 MW DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065879315 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 100mv @ 500µa, 10ma 50 @ 10ma, 5V 230MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
BZX84-A9V1-QR Nexperia USA Inc. BZX84-A9V1-QR 0.1443
RFQ
 ECAD 7321 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-A9V1-QRTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
PDTA115EM,315 Nexperia USA Inc. PDTA115EM, 315 0.3100
RFQ
 ECAD 7239 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 PDTA115 250 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 20 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 250µa, 5mA 80 @ 5ma, 5V 100 KOHMS 100 KOHMS
PDTA143EM,315 Nexperia USA Inc. PDTA143EM, 315 0.0396
RFQ
 ECAD 6455 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 PDTA143 250 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 10ma, 5V 4.7 Kohms 4.7 Kohms
BCP56-10-QF Nexperia USA Inc. BCP56-10-QF 0.0947
RFQ
 ECAD 4995 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BCP56-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP56 650 MW SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
PZU13BA115 Nexperia USA Inc. PZU13BA115 -
RFQ
 ECAD 8095 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1
PDTD143XTR Nexperia USA Inc. pdtd143xtr 0.3300
RFQ
 ECAD 747 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTD143 320 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 100mv @ 2.5ma, 50ma 70 @ 50MA, 5V 225 MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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