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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BAT74S/S500X Nexperia USA Inc. BAT74S/S500X 2.9200
RFQ
 ECAD 155 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA Schottky SOT-143B - 2156-BAT74S/S500X 103 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v 125 ° C
BZT52-B18J Nexperia USA Inc. BZT52-B18J 0.2400
RFQ
 ECAD 2731 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.22% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 12.6 v 18 v 20 옴
PBSS5540Z-QF Nexperia USA Inc. PBSS5540Z-QF 0.1467
RFQ
 ECAD 9396 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.35 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS5540Z-QFTR 귀 99 8541.29.0075 4,000 40 v 5 a 100NA (ICBO) PNP 375mv @ 500ma, 5a 250 @ 500ma, 2V 120MHz
BZX79-B33,143 Nexperia USA Inc. BZX79-B33,143 0.0321
RFQ
 ECAD 6417 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-B33 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 933166990143 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 23.1 v 33 v 80 옴
PZU2.7BA,115 Nexperia USA Inc. PZU2.7BA, 115 0.2800
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 PZU2.7 320 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
BZX84W-C12-QF Nexperia USA Inc. BZX84W-C12-QF 0.0263
RFQ
 ECAD 7282 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX84W-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.39% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84W-C12-QFTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 12.05 v 25 옴
BZB784-C2V4,115 Nexperia USA Inc. BZB784-C2V4,115 0.0524
RFQ
 ECAD 1238 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% - 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZB784-C2V4 180 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
PUMD2/ZLZ Nexperia USA Inc. PUMD2/ZLZ -
RFQ
 ECAD 1853 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumd2 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 50V 100ma 100NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 60 @ 5MA, 5V 230MHz, 180MHz 22kohms 22kohms
BC847BQB-QZ Nexperia USA Inc. BC847BQB-QZ 0.0381
RFQ
 ECAD 8398 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 340 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BZV49-C47,115 Nexperia USA Inc. BZV49-C47,115 0.5500
RFQ
 ECAD 6335 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-243AA BZV49-C47 1 W. SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1 V @ 50 ma 50 NA @ 32.9 v 47 v 170 옴
BZX84-C6V8-QVL Nexperia USA Inc. BZX84-C6V8-QVL 0.0250
RFQ
 ECAD 7737 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-C6V8-QVLTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 4 v 6.8 v 15 옴
PMN280ENEAX Nexperia USA Inc. PMN280ENEAX 0.4800
RFQ
 ECAD 6061 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PMN280 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 1.2A (TA) 4.5V, 10V 385mohm @ 1.2a, 10V 2.7V @ 250µA 6.8 NC @ 10 v ± 20V 190 pf @ 50 v - 667MW (TA), 7.5W (TC)
BZX884-C24,315 Nexperia USA Inc. BZX884-C24,315 0.0382
RFQ
 ECAD 9598 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 BZX884-C24 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 16.8 v 24 v 70 옴
SZMM3Z12VT1GX Nexperia USA Inc. szmm3z12vt1gx 0.2700
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 9 v 12 v 10 옴
BC55-10PASX Nexperia USA Inc. BC55-10PASX 0.0936
RFQ
 ECAD 5890 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn n 패드 BC55 420 MW DFN2020D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
PBSS4250X,115 Nexperia USA Inc. PBSS4250X, 115 0.4200
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBSS4250 1 W. SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 50 v 2 a 100NA NPN 320mv @ 200ma, 2a 300 @ 1a, 2v 100MHz
SPP1421DMR2G Nexperia USA Inc. spp1421dmr2g 1.2500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 - 2156-SPP1421DMR2G 241
PMPB48EPAX Nexperia USA Inc. pmpb48epax 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB48 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4.7A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 4.7a, 10V 2.5V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 860 pf @ 15 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
BUK7Y25-60EX Nexperia USA Inc. BUK7Y25-60EX 0.9800
RFQ
 ECAD 6409 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y25 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 34A (TC) 10V 25mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 16.1 NC @ 10 v ± 20V 1043 pf @ 25 v - 64W (TC)
BZX384-C3V0-QX Nexperia USA Inc. BZX384-C3V0-QX 0.0390
RFQ
 ECAD 8010 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX384-C3V0-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3 v 95 옴
BUK9Y07-30B,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y07-30B, 115 -
RFQ
 ECAD 4877 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y07 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 75A (TC) 5V, 10V 6MOHM @ 25A, 10V 2V @ 1mA 28.1 NC @ 5 v ± 15V 2500 pf @ 25 v - 105W (TC)
BZB84-B12,215 Nexperia USA Inc. BZB84-B12,215 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-B12 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 12 v 25 옴
BZX84-B5V6-QVL Nexperia USA Inc. BZX84-B5V6-QVL 0.0314
RFQ
 ECAD 4755 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-B5V6-QVLTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
PH1530CL,115 Nexperia USA Inc. PH1530CL, 115 -
RFQ
 ECAD 7769 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,500
BZV55-B24,115 Nexperia USA Inc. BZV55-B24,115 0.3600
RFQ
 ECAD 401 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-B24 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 16.8 v 24 v 70 옴
BZX884S-B6V2YL Nexperia USA Inc. BZX884S-B6V2YL -
RFQ
 ECAD 3596 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1.94% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 BZX884S-B6V2 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
BZX79-B47133 Nexperia USA Inc. BZX79-B47133 -
RFQ
 ECAD 9027 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX79 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 400MW ALF2 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-BZX79-B47133-1727 1 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 32.9 v 47 v 170 옴
BZB784-C3V0,115 Nexperia USA Inc. BZB784-C3V0,115 0.0524
RFQ
 ECAD 5097 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% - 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZB784-C3V0 180 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3 v 95 옴
RJK0226DNS-00#J5 Nexperia USA Inc. RJK0226DNS-00#J5 -
RFQ
 ECAD 9595 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-HVSON (3x3.3) - 2156-RJK0226DNS-00#J5 1 n 채널 25 v 40A (TA) 4.5V, 8V 2.8mohm @ 20a, 8v 2.5V @ 1mA 8 NC @ 4.5 v ± 12V 6020 pf @ 10 v - 30W (TC)
PMEG3010CEJ-QX Nexperia USA Inc. PMEG3010CEJ-QX 0.0907
RFQ
 ECAD 5638 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F Schottky SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-PMEG3010CEJ-QXTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 520 MV @ 1 a 50 µa @ 30 v 150 ° C 1A 90pf @ 1v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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