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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BCW70,235 Nexperia USA Inc. BCW70,235 0.0407
RFQ
 ECAD 6170 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW70 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 150mv @ 2.5ma, 50ma 215 @ 2MA, 5V 100MHz
SZMM3Z30VT1GX Nexperia USA Inc. szmm3z30vt1gx 0.2700
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 21 v 30 v 80 옴
PBSS5160T,215 Nexperia USA Inc. PBSS5160T, 215 0.4200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBSS5160 400MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 1 a 100NA PNP 330mv @ 100ma, 1a 150 @ 500ma, 5V 220MHz
BCX55-16,135 Nexperia USA Inc. BCX55-16,135 0.4700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX55 1.25 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 180MHz
BUK764R0-40E,118 Nexperia USA Inc. BUK764R0-40E, 118 2.2900
RFQ
 ECAD 3420 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK764 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 4mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 54 NC @ 10 v ± 20V 4405 pf @ 25 v - 182W (TC)
BUK954R8-60E,127 Nexperia USA Inc. BUK954R8-60E, 127 -
RFQ
 ECAD 3348 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 100A (TC) 5V, 10V 4.5mohm @ 25a, 10V 2.1v @ 1ma 65 nc @ 5 v ± 10V 9710 pf @ 25 v - 234W (TC)
SZMM3Z24VT1GX Nexperia USA Inc. szmm3z24vt1gx 0.2700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 19 v 24 v 30 옴
NZX16A,133 Nexperia USA Inc. NZX16A, 133 0.0263
RFQ
 ECAD 4799 0.00000000 Nexperia USA Inc. NZX 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 NZX16 500MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 50 NA @ 11.2 v 15.6 v 45 옴
PSMN0R9-30YLDX Nexperia USA Inc. PSMN0R9-30YLDX 2.7400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1023, 4-LFPAK psmn0r9 MOSFET (금속 (() LFPAK56; Power-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 300A (TC) 4.5V, 10V 0.87mohm @ 25a, 10V 2.2v @ 1ma 109 NC @ 10 v ± 20V 7668 pf @ 15 v - 291W
PZU13B1,115 Nexperia USA Inc. PZU13B1,115 0.0654
RFQ
 ECAD 2032 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU13 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 10 v 13 v 10 옴
BZX884S-B9V1YL Nexperia USA Inc. BZX884S-B9V1YL -
RFQ
 ECAD 3714 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1.98% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
PMEG060V100EPEZ Nexperia USA Inc. PMEG060V100EPEZ 0.7200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn Schottky CFP15B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 560 mV @ 10 a 27 ns 700 µa @ 60 v 175 ° C 10A 833pf @ 1v, 1MHz
BAV70W/MIF Nexperia USA Inc. BAV70W/MIF -
RFQ
 ECAD 6737 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 bav70 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068909135 귀 99 8541.10.0070 1 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 100 v 175MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°)
PZU12B1,115 Nexperia USA Inc. PZU12B1,115 0.0654
RFQ
 ECAD 7605 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU12 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 9 v 12 v 10 옴
BZX38450-C2V0-QX Nexperia USA Inc. BZX38450-C2V0-QX 0.2400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX38450-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX38450 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 7 µa @ 1 v 2 v 100 옴
BZX384-B43,115 Nexperia USA Inc. BZX384-B43,115 0.2300
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 5 na @ 30.1 v 43 v 150 옴
BUK762R0-40C,118 Nexperia USA Inc. BUK762R0-40C, 118 -
RFQ
 ECAD 2232 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 2MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 175 NC @ 10 v ± 20V 11323 pf @ 25 v - 333W (TC)
BUK763R8-80E118 Nexperia USA Inc. BUK763R8-80E118 -
RFQ
 ECAD 1365 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1
PUMD15,115 Nexperia USA Inc. PUMD15,115 0.2900
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMD15 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 10ma, 5V - 4.7kohms 4.7kohms
BAS28,235 Nexperia USA Inc. BAS28,235 0.4000
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BAS28 기준 SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 75 v 215MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 1 µa @ 75 v 150 ° C (°)
BUK9Y19-100E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y19-100E, 115 1.4000
RFQ
 ECAD 5355 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y19 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 56A (TC) 5V 18mohm @ 15a, 10V 2.1v @ 1ma 39 NC @ 5 v ± 10V 5085 pf @ 25 v - 167W (TC)
PMP4501G135 Nexperia USA Inc. PMP4501G135 1.0000
RFQ
 ECAD 2221 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 PMP4501 300MW 5-TSSOP - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 1 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 npn ((() 일치 한 쌍, 공통 이미 터 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
BAV99QCZ Nexperia USA Inc. BAV99QCZ 0.2600
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 bav99 기준 DFN1412D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 100 v 215MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°)
PMEG150G20ELRX Nexperia USA Inc. PMEG150G20ELRX 0.4500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W PMEG150 시기 (게르마늄 실리콘) SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 850 mv @ 2 a 14 ns 30 na @ 150 v 175 ° C 2A 70pf @ 1v, 1MHz
BCX56-10-QF Nexperia USA Inc. BCX56-10-QF 0.1118
RFQ
 ECAD 8231 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 500MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BCX56-10-QFTR 귀 99 8541.21.0075 4,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
PUMD16,115 Nexperia USA Inc. PUMD16,115 0.2900
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMD16 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V - 22kohms 47kohms
BSS138AKA/LF1R Nexperia USA Inc. BSS138AKA/LF1R -
RFQ
 ECAD 1742 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069507215 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 200MA (TA) 2.5V, 10V 4.5ohm @ 100ma, 10V 1.5V @ 250A 0.51 NC @ 4.5 v ± 20V 20 pf @ 30 v - 1.06W (TC)
PMN28UN,135 Nexperia USA Inc. PMN28UN, 135 -
RFQ
 ECAD 1644 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 12 v 5.7A (TC) 1.8V, 4.5V 34mohm @ 2a, 4.5v 700mv @ 1ma (유형) 10.1 NC @ 4.5 v ± 8V 740 pf @ 10 v - 1.75W (TC)
BZT52-C33,118 Nexperia USA Inc. BZT52-C33,118 -
RFQ
 ECAD 9742 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 BZT52 다운로드 0000.00.0000 1
BCP56/ZLF Nexperia USA Inc. BCP56/ZLF -
RFQ
 ECAD 8318 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.35 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070766135 귀 99 8541.29.0075 1 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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