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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PZU2.7BA,115 Nexperia USA Inc. PZU2.7BA, 115 0.2800
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 PZU2.7 320 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
BZX84W-C12-QF Nexperia USA Inc. BZX84W-C12-QF 0.0263
RFQ
 ECAD 7282 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX84W-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.39% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84W-C12-QFTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 12.05 v 25 옴
BAT74S/S500X Nexperia USA Inc. BAT74S/S500X 2.9200
RFQ
 ECAD 155 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA Schottky SOT-143B - 2156-BAT74S/S500X 103 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v 125 ° C
BZT52-B18J Nexperia USA Inc. BZT52-B18J 0.2400
RFQ
 ECAD 2731 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.22% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 12.6 v 18 v 20 옴
BZX84-B5V6-QVL Nexperia USA Inc. BZX84-B5V6-QVL 0.0314
RFQ
 ECAD 4755 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-B5V6-QVLTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
BUK9Y07-30B,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y07-30B, 115 -
RFQ
 ECAD 4877 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y07 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 75A (TC) 5V, 10V 6MOHM @ 25A, 10V 2V @ 1mA 28.1 NC @ 5 v ± 15V 2500 pf @ 25 v - 105W (TC)
PBSS4250X,115 Nexperia USA Inc. PBSS4250X, 115 0.4200
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBSS4250 1 W. SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 50 v 2 a 100NA NPN 320mv @ 200ma, 2a 300 @ 1a, 2v 100MHz
BUK7Y25-60EX Nexperia USA Inc. BUK7Y25-60EX 0.9800
RFQ
 ECAD 6409 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y25 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 34A (TC) 10V 25mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 16.1 NC @ 10 v ± 20V 1043 pf @ 25 v - 64W (TC)
PH1530CL,115 Nexperia USA Inc. PH1530CL, 115 -
RFQ
 ECAD 7769 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,500
SZMM3Z12VT1GX Nexperia USA Inc. szmm3z12vt1gx 0.2700
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 9 v 12 v 10 옴
SPP1421DMR2G Nexperia USA Inc. spp1421dmr2g 1.2500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 - 2156-SPP1421DMR2G 241
BC55-10PASX Nexperia USA Inc. BC55-10PASX 0.0936
RFQ
 ECAD 5890 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn n 패드 BC55 420 MW DFN2020D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
BZB84-B12,215 Nexperia USA Inc. BZB84-B12,215 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-B12 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 12 v 25 옴
PMPB48EPAX Nexperia USA Inc. pmpb48epax 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB48 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4.7A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 4.7a, 10V 2.5V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 860 pf @ 15 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
2N7002PW,115 Nexperia USA Inc. 2N7002PW, 115 0.3300
RFQ
 ECAD 115 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 310MA (TA) 10V 1.6ohm @ 500ma, 10V 2.4V @ 250µA 0.8 nc @ 4.5 v ± 20V 50 pf @ 10 v - 260MW (TA)
BZX384-A16-QX Nexperia USA Inc. BZX384-A16-QX 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 11.2 v 16 v 40
MMBT2222A,215 Nexperia USA Inc. MMBT2222A, 215 0.1400
RFQ
 ECAD 522 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2222 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
PMPB85ENEAX Nexperia USA Inc. PMPB85ENEAX 0.5100
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB85 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 3A (TA) 4.5V, 10V 95mohm @ 3a, 10V 2.7V @ 250µA 9.2 NC @ 10 v ± 20V 305 pf @ 30 v - 1.6W (TA), 15.6W (TC)
NZX3V9B,133 Nexperia USA Inc. NZX3V9B, 133 0.0263
RFQ
 ECAD 9881 0.00000000 Nexperia USA Inc. NZX 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 3% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 NZX3V9 500MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 100 옴
PSMN6R5-80BS118 Nexperia USA Inc. PSMN6R5-80BS118 1.0000
RFQ
 ECAD 9466 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1
PMXB65UPEZ Nexperia USA Inc. pmxb65upez 0.4700
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xdfn d 패드 PMXB65 MOSFET (금속 (() DFN1010D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 12 v 3.2A (TA) 1.2V, 4.5V 72mohm @ 3.2a, 4.5v 1V @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 8V 634 pf @ 6 v - 317MW (TA), 8.33W (TC)
BZT52H-B5V6,115 Nexperia USA Inc. BZT52H-B5V6,115 0.2300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
PSMN013-100BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN013-100BS, 118 1.7600
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PSMN013 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 68A (TC) 10V 13.9mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA 59 NC @ 10 v ± 20V 3195 pf @ 50 v - 170W (TC)
BZX79-C3V0,113 Nexperia USA Inc. BZX79-C3V0,113 0.1600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-C3V0 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3 v 95 옴
NHDTA114ETVL Nexperia USA Inc. NHDTA114ETVL 0.2200
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NHDTA114 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 80 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 100mv @ 500µa, 10ma 50 @ 10ma, 5V 150MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
BC856SHF Nexperia USA Inc. BC856SHF -
RFQ
 ECAD 4060 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC856 대부분 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC856 270MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1727-BC856SHF 쓸모없는 1 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP (() 300mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
BZX884-B75,315 Nexperia USA Inc. BZX884-B75,315 0.2600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 BZX884-B75 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 52.5 v 75 v 255 옴
PUMB13/ZLX Nexperia USA Inc. pumb13/zlx -
RFQ
 ECAD 6001 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumb13 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-PUMB13/ZLX 쓸모없는 0000.00.0000 1 50V 100ma 1µA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V 180MHz 4.7kohms 47kohms
BC51PA,115 Nexperia USA Inc. BC51PA, 115 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-powerudfn BC51 420 MW 3- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 145MHz
BZX84J-B20,115 Nexperia USA Inc. BZX84J-B20,115 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZX84J-B20 550 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 14 v 20 v 20 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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