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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
HPZR-C5V6-QX Nexperia USA Inc. HPZR-C5V6-QX 0.4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, HPZR-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123W 682 MW SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 v @ 100 ma 600 µa @ 3.3 v 5.6 v 63.6 옴
BZX884-C2V7,315 Nexperia USA Inc. BZX884-C2V7,315 0.2900
RFQ
 ECAD 7957 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 BZX884-C2V7 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
BZV90-C68,115 Nexperia USA Inc. BZV90-C68,115 0.6000
RFQ
 ECAD 9359 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BZV90-C68 1.5 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1 V @ 50 ma 50 NA @ 47.6 v 68 v 240 옴
BC817-16W-QX Nexperia USA Inc. BC817-16W-QX 0.0392
RFQ
 ECAD 9508 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC817 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BC817-16W-QXTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 100MHz
BZX384-C15-QX Nexperia USA Inc. BZX384-C15-QX 0.0390
RFQ
 ECAD 8829 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX384-C15-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 10.29 v 14.7 v 30 옴
BZT52-C10,115 Nexperia USA Inc. BZT52-C10,115 -
RFQ
 ECAD 8012 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 BZT52 다운로드 0000.00.0000 1
BAV70W/ZLX Nexperia USA Inc. BAV70W/ZLX -
RFQ
 ECAD 7534 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 bav70 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 100 v 175MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°)
BZX58550-C2V4X Nexperia USA Inc. BZX58550-C2V4X 0.3600
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
PMEG6020EPA,115 Nexperia USA Inc. PMEG6020EPA, 115 0.5200
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-powerudfn PMEG6020 Schottky 3- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 575 mV @ 2 a 78 ns 250 µa @ 60 v 150 ° C (°) 2A 250pf @ 1v, 1MHz
BAS16LSYL Nexperia USA Inc. BAS16LSYL 0.2400
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-882 BAS16 기준 DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C 215MA 1.5pf @ 0v, 1MHz
BAS116GW Nexperia USA Inc. BAS116GW 0.0200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 표면 SOD-123 기준 SOD-123 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 15,000 짐 75 v 1.25 V @ 150 mA 3 µs 5 na @ 75 v 150 ° C (°) 215MA 2pf @ 0V, 1MHz
BZT52-C47,115 Nexperia USA Inc. BZT52-C47,115 -
RFQ
 ECAD 3244 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 BZT52 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1
PMV37ENEAR Nexperia USA Inc. PMV37ENEAR 0.4300
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV37 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 3.5A (TA) 4.5V, 10V 49mohm @ 3.5a, 10V 2.7V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 450 pf @ 30 v - 710MW (TA), 8.3W (TC)
PSMN7R5-60YLX Nexperia USA Inc. PSMN7R5-60YLX 1.2900
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn7r5 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 86A (TC) 5V, 10V 7.5mohm @ 20a, 10V 2.1v @ 1ma 31 NC @ 5 v ± 20V 4570 pf @ 25 v - 147W (TC)
ON5452,518 Nexperia USA Inc. on5452,518 -
RFQ
 ECAD 9779 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 활동적인 - - - - - 귀 99 8541.29.0095 1 - - - - -
PUMH14,115 Nexperia USA Inc. PUMH14,115 0.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMH14 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 100 @ 1ma, 5V - 47kohms -
NZX20C,133 Nexperia USA Inc. NZX20C, 133 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. NZX 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 NZX20 500MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 50 na @ 14 v 20.7 v 60 옴
1PS76SB10-QX Nexperia USA Inc. 1PS76SB10-QX 0.0351
RFQ
 ECAD 5234 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 1PS76SB10 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 800 mv @ 100 ma 2 µa @ 25 v 125 ° C 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
BZX84-C8V2/DG/B4VL Nexperia USA Inc. BZX84-C8V2/DG/B4VL -
RFQ
 ECAD 3028 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069224235 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
PSMN040-100MSEX Nexperia USA Inc. psmn040-100msex 0.9800
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) PSMN040 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 30A (TJ) 10V 36.6MOHM @ 10A, 10V 4V @ 1MA 30 nc @ 10 v ± 20V 1470 pf @ 50 v - 91W (TC)
BZT52-C62X Nexperia USA Inc. BZT52-C62X 0.0391
RFQ
 ECAD 5190 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 43.4 v 62 v 140 옴
PSMN3R5-80YSFX Nexperia USA Inc. psmn3r5-80ysfx 2.9500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1023, 4-LFPAK MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 150A (TA) 7V, 10V 3.5mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 108 NC @ 10 v ± 20V 7227 pf @ 40 v - 294W (TA)
BZX884S-C30-QYL Nexperia USA Inc. BZX884S-C30-QYL 0.3300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 21 v 30 v 80 옴
BUK9620-55A/C1118 Nexperia USA Inc. BUK9620-55A/C1118 -
RFQ
 ECAD 1768 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 800
PMEG6020ER,115 Nexperia USA Inc. PMEG6020ER, 115 0.3800
RFQ
 ECAD 195 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W PMEG6020 Schottky SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 530 mv @ 2 a 150 µa @ 60 v 150 ° C (°) 2A 240pf @ 1v, 1MHz
BZX84-B12/DG/B3,21 Nexperia USA Inc. BZX84-B12/DG/B3,21 -
RFQ
 ECAD 1269 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065251215 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 12 v 25 옴
PDZ12B-QZ Nexperia USA Inc. PDZ12B-QZ 0.0279
RFQ
 ECAD 5873 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-PDZ12B-QZTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 9 v 12 v 10 옴
PMEG2005ESFCYL Nexperia USA Inc. PMEG2005ESFCYL 0.0300
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.10.0080 8,876
BC807-16LWF Nexperia USA Inc. BC807-16LWF 0.0278
RFQ
 ECAD 8441 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC807 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070769135 귀 99 8541.21.0095 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 80MHz
PZU4.3DB2,115 Nexperia USA Inc. PZU4.3dB2,115 -
RFQ
 ECAD 3405 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 250 MW 5-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 독립 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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