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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
HPZR-C68-QX Nexperia USA Inc. HPZR-C68-QX 0.4200
RFQ
 ECAD 5779 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, HPZR-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123W 682 MW SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 58 v 68 v 75.26 옴
BZX585-B6V8,135 Nexperia USA Inc. BZX585-B6V8,135 0.0496
RFQ
 ECAD 1305 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-B6V8 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 2 µa @ 4 v 6.8 v 15 옴
BUK4D16-20X Nexperia USA Inc. BUK4D16-20X 0.1675
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 buk4d MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 8.5A (TA), 26A (TC) 2.5V, 8V 14mohm @ 9a, 8v 1.3V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 12V 931 pf @ 10 v - 2W (TA), 19W (TC)
BUK7Y20-30B,115 Nexperia USA Inc. BUK7Y20-30B, 115 -
RFQ
 ECAD 5669 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y20 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 39.5A (TC) 10V 20MOHM @ 20A, 10V 4V @ 1MA 11.2 NC @ 10 v ± 20V 688 pf @ 25 v - 59W (TC)
PDTC143XUF Nexperia USA Inc. PDTC143XUF 0.0266
RFQ
 ECAD 1829 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTC143 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934057543135 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 100mv @ 500µa, 10ma 50 @ 10ma, 5V 230MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
BZX884-B5V1,315 Nexperia USA Inc. BZX884-B5V1,315 0.3400
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 BZX884-B5V1 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
BZX884-B4V7,315 Nexperia USA Inc. BZX884-B4V7,315 0.3200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 BZX884-B4V7 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
PDTA123JQAZ Nexperia USA Inc. PDTA123JQAZ 0.0501
RFQ
 ECAD 5967 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-xdfn d 패드 PDTA123 280 MW DFN1010D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V 180MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
PDZ15B-QF Nexperia USA Inc. PDZ15B-QF 0.0310
RFQ
 ECAD 3534 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-PDZ15B-QFTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 11 v 15 v 15 옴
BZX84-C5V1-QVL Nexperia USA Inc. BZX84-C5V1-QVL 0.0250
RFQ
 ECAD 5495 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-C5V1-QVLTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
PBSS4240XX Nexperia USA Inc. PBSS4240XX 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBSS4240 500MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 40 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 140mv @ 50ma, 500ma 300 @ 500ma, 5V 150MHz
BZX884S-C18YL Nexperia USA Inc. BZX884S-C18YL -
RFQ
 ECAD 9828 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6.41% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 12.6 v 17.95 v 45 옴
BZV49-C7V5,115 Nexperia USA Inc. BZV49-C7V5,115 0.6200
RFQ
 ECAD 898 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-243AA BZV49-C7V5 1 W. SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1 V @ 50 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
PEMD9 Nexperia USA Inc. PEMD9 -
RFQ
 ECAD 3646 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.21.0075 1
BZX884-B9V1,315 Nexperia USA Inc. BZX884-B9V1,315 0.3900
RFQ
 ECAD 913 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 BZX884-B9V1 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 10 옴
BZX84J-B3V9,115 Nexperia USA Inc. BZX84J-B3V9,115 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZX84J-B3V9 550 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
PIMN31F Nexperia USA Inc. PIMN31F 0.1022
RFQ
 ECAD 9379 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 PIMN31 290MW SC-74 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934061307135 귀 99 8541.21.0095 10,000 50V 500ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 300mv @ 2.5ma, 50ma 70 @ 50MA, 5V - 1kohms 10kohms
PSMN013-100YSEX Nexperia USA Inc. PSMN013-100YSEX 1.8500
RFQ
 ECAD 7235 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN013 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 82A (TJ) 10V 13mohm @ 20a, 10V 4V @ 1MA 75 NC @ 10 v ± 20V 3775 pf @ 50 v - 238W (TC)
PBSS5330X,115 Nexperia USA Inc. PBSS5330X, 115 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBSS5330 1.6 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 30 v 3 a 100NA PNP 320mv @ 300ma, 3a 175 @ 1a, 2v 100MHz
BZT52-B30J Nexperia USA Inc. BZT52-B30J 0.2400
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 21 v 30 v 40
BUK6D23-40EX Nexperia USA Inc. BUK6D23-40EX 0.4200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 buk6d23 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 8A (TA), 19A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 8a, 10V 2.7V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 582 pf @ 20 v - 2.3W (TA), 15W (TC)
BZB84-B43,215 Nexperia USA Inc. BZB84-B43,215 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-B43 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 30.1 v 43 v 150 옴
PSMN1R1-30PL,127 Nexperia USA Inc. PSMN1R1-30PL, 127 4.3600
RFQ
 ECAD 4540 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PSMN1R1 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 120A (TC) 4.5V, 10V 1.3mohm @ 25a, 10V 2.2v @ 1ma 243 NC @ 10 v ± 20V 14850 pf @ 15 v - 338W (TC)
BZX84-C18/DG/B3,23 Nexperia USA Inc. BZX84-C18/DG/B3,23 -
RFQ
 ECAD 6733 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065268235 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 12.6 v 17.95 v 45 옴
BZX84-C4V3-QVL Nexperia USA Inc. BZX84-C4V3-QVL 0.0250
RFQ
 ECAD 2822 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-C4V3-QVLTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
PBSS4112PAN,115 Nexperia USA Inc. PBSS4112PAN, 115 0.5200
RFQ
 ECAD 4627 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 PBSS4112 510MW 6- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 120V 1A 100NA (ICBO) 2 NPN (() 120mv @ 50ma, 500ma 60 @ 500ma, 2v 120MHz
1PS79SB10,115 Nexperia USA Inc. 1PS79SB10,115 0.3100
RFQ
 ECAD 73 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 1PS79SB10 Schottky SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 800 mv @ 100 ma 2 µa @ 25 v 125 ° C (°) 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
BUK963R3-60E,118 Nexperia USA Inc. BUK963R3-60E, 118 3.1000
RFQ
 ECAD 1601 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK963 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 120A (TC) 5V 3MOHM @ 25A, 10V 2.1v @ 1ma 95 NC @ 5 v ± 10V 13490 pf @ 25 v - 293W (TC)
PMEG6030ETP-QX Nexperia USA Inc. PMEG6030ETP-QX 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 Schottky SOD-128/CFP5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 530 mV @ 3 a 12 ns 200 µa @ 60 v 175 ° C 3A 360pf @ 1v, 1MHz
PZU16B1A-QX Nexperia USA Inc. PZU16B1A-QX 0.0521
RFQ
 ECAD 1719 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 PZU16 320 MW SOD-323 다운로드 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 µa @ 12 v 15.69 v 20 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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