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불연속 불연속 제품 (9943)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BZV55-B18,115 Nexperia USA Inc. BZV55-B18,115 0.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-B18 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 900 mV @ 10 ma 50 na @ 12.6 v 18 v 45 옴
PDZ3.9B,115 Nexperia USA Inc. PDZ3.9B, 115 0.2100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 PDZ3.9 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
BZV85-C51,113 Nexperia USA Inc. BZV85-C51,113 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZV85-C51 1.3 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 50 ma 50 na @ 36 v 51 v 125 옴
BZX384-B18-QX Nexperia USA Inc. BZX384-B18-QX 0.0436
RFQ
 ECAD 5739 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX384-B18-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 12.6 v 18 v 45 옴
1PS76SB21/ZLX Nexperia USA Inc. 1PS76SB21/ZLX -
RFQ
 ECAD 4672 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-76, SOD-323 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 9340 690 46115 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 550 mV @ 200 mA 15 µa @ 30 v 125 ° C (°) 200ma 50pf @ 0V, 1MHz
BZX79-C18,133 Nexperia USA Inc. BZX79-C18,133 0.1600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-C18 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 12.6 v 18 v 45 옴
1N4744A,113 Nexperia USA Inc. 1N4744A, 113 0.3900
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4744 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 11.4 v 15 v 14 옴
PDTC123JU,115 Nexperia USA Inc. PDTC123JU, 115 0.1900
RFQ
 ECAD 145 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTC123 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 10V 2.2 Kohms 47 Kohms
BAT54S-QVL Nexperia USA Inc. BAT54S-QVL 0.0232
RFQ
 ECAD 3403 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 30 v 200MA (DC) 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v 150 ° C
PBSS5540Z,115 Nexperia USA Inc. PBSS5540Z, 115 0.5200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PBSS5540 2 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 40 v 5 a 100NA (ICBO) PNP 160mv @ 200ma, 2a 150 @ 2a, 2v 120MHz
BC856BW,135 Nexperia USA Inc. BC856BW, 135 0.1700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC856 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PMDXB950UPELZ Nexperia USA Inc. pmdxb950upelz 0.4200
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 PMDXB950 MOSFET (금속 (() 380MW DFN1010B-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 2 p 채널 (채널) 20V 500ma 1.4ohm @ 500ma, 4.5v 950MV @ 250µA 2.1NC @ 4.5V 43pf @ 10V -
BUK9K18-40E,115 Nexperia USA Inc. BUK9K18-40E, 115 1.1500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 BUK9K18 MOSFET (금속 (() 38W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 40V 30A 16MOHM @ 10A, 10V 2.1v @ 1ma 14.5NC @ 10V 1061pf @ 25v 논리 논리 게이트
PMV50ENEAR Nexperia USA Inc. PMV50ENEAR 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV50 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.9A (TA) 4.5V, 10V 43mohm @ 3.9a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 276 pf @ 15 v - 510MW (TA), 3.9W (TC)
PSMN1R7-40YLDX Nexperia USA Inc. PSMN1R7-40YLDX 2.2400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN1R7 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 200a (TA) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 25a, 10V 2.05V @ 1mA 109 NC @ 10 v ± 20V 7966 pf @ 20 v Schottky Diode (Body) 194W (TA)
BUK7510-55AL,127 Nexperia USA Inc. BUK7510-55AL, 127 -
RFQ
 ECAD 8899 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BUK7510 MOSFET (금속 (() TO-220AB - 1727-BUK7510-55AL, 127 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 55 v 75A (TA) 10V 10mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 124 NC @ 10 v ± 20V 6280 pf @ 25 v - 300W (TA)
BZX384-B10,115 Nexperia USA Inc. BZX384-B10,115 0.2300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 200 na @ 7 v 10 v 20 옴
NZX5V6E,133 Nexperia USA Inc. NZX5V6E, 133 0.0263
RFQ
 ECAD 2582 0.00000000 Nexperia USA Inc. NZX 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 NZX5V6 500MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 2 v 5.75 v 40
BZX84-C11,235 Nexperia USA Inc. BZX84-C11,235 0.1600
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C11 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
PZU24B3A-QX Nexperia USA Inc. PZU24B3A-QX 0.3000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 320 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 µa @ 19 v 25.06 v 30 옴
BZT52H-B8V2,115 Nexperia USA Inc. BZT52H-B8V2,115 0.2300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 10 옴
BAS70-05W,135 Nexperia USA Inc. BAS70-05W, 135 0.3100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BAS70 Schottky SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 70 v 70MA (DC) 1 V @ 15 ma 10 µa @ 70 v 150 ° C (°)
BUK7K18-40EX Nexperia USA Inc. BUK7K18-40EX 1.1400
RFQ
 ECAD 1278 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 BUK7K18 MOSFET (금속 (() 38W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 40V 24.2A 19mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 11.8NC @ 10V 808pf @ 25V -
BUK9Y2R4-40HX Nexperia USA Inc. BUK9Y2R4-40HX 1.2037
RFQ
 ECAD 4191 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - - buk9y2 - - 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 - 120A (TJ) - - - +16V, -10V - -
PSMN3R3-40MLHX Nexperia USA Inc. psmn3r3-40mlhx 1.6800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) psmn3r3 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 118A (TA) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 25a, 10V 2.15v @ 1ma 54 NC @ 10 v ± 20V 3794 pf @ 20 v - 101W (TA)
PMEG3005AEV,115 Nexperia USA Inc. PMEG3005AEV, 115 -
RFQ
 ECAD 9931 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PMEG3005 Schottky SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 430 mV @ 500 mA 150 µa @ 30 v -65 ° C ~ 150 ° C 500ma 70pf @ 1v, 1MHz
BZX79-C16,113 Nexperia USA Inc. BZX79-C16,113 0.1600
RFQ
 ECAD 541 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-C16 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 700 mV 16 v 40
BZX384-C5V6-QX Nexperia USA Inc. BZX384-C5V6-QX 0.0390
RFQ
 ECAD 5019 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX384-C5V6-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
BAV99S/ZLX Nexperia USA Inc. BAV99S/ZLX -
RFQ
 ECAD 4281 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 bav99 기준 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 연결 연결 시리즈 100 v 200MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°)
BZX84-C12/DG/B3,23 Nexperia USA Inc. BZX84-C12/DG/B3,23 -
RFQ
 ECAD 9342 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065264235 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 12.05 v 25 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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