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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BZT52H-B3V0-QX Nexperia USA Inc. BZT52H-B3V0-QX 0.0434
RFQ
 ECAD 2384 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZT52H-B3V0-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3 v 95 옴
BZX84-C36-QR Nexperia USA Inc. BZX84-C36-QR 0.0319
RFQ
 ECAD 3160 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-C36-QRTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 25.2 v 36 v 90 옴
BZT52H-A6V2-QX Nexperia USA Inc. BZT52H-A6V2-QX 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.13% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
BC846BSHF Nexperia USA Inc. BC846BSHF -
RFQ
 ECAD 8903 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 270MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1727-BC846BSHF 쓸모없는 1 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BZX84-C47/DG/B3VL Nexperia USA Inc. BZX84-C47/DG/B3VL -
RFQ
 ECAD 6690 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070215235 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 32.9 v 47 v 170 옴
PSMN4R3-40MSHX Nexperia USA Inc. psmn4r3-40mshx 1.6500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) psmn4r3 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 95A (TA) 10V 4.3mohm @ 25a, 10V 3.6v @ 1ma 32 NC @ 10 v ± 20V 2338 pf @ 25 v - 90W (TA)
PDZ3.9B-QF Nexperia USA Inc. PDZ3.9B-QF 0.0310
RFQ
 ECAD 4709 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-PDZ3.9B-QFTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
NZX3V6A,133 Nexperia USA Inc. NZX3V6A, 133 0.2000
RFQ
 ECAD 628 0.00000000 Nexperia USA Inc. NZX 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 3% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 NZX3V6 500MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 1 v 3.5 v 100 옴
1N4734A,133 Nexperia USA Inc. 1N4734A, 133 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4734 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 2 v 5.6 v 5 옴
BZX84-C22-QVL Nexperia USA Inc. BZX84-C22-QVL 0.0250
RFQ
 ECAD 2259 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-C22-QVLTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 15.435 v 22.05 v 55 옴
PSMN5R5-100YSFX Nexperia USA Inc. psmn5r5-100ysfx 2.8000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN5 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 115A (TA) 7V, 10V 5.5mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 95 NC @ 10 v ± 20V 6238 pf @ 50 v - 238W (TA)
PZU2.4B,115 Nexperia USA Inc. PZU2.4B, 115 0.0616
RFQ
 ECAD 4876 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU2.4 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
PMEG4030ETP,115 Nexperia USA Inc. PMEG4030ETP, 115 0.5800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 PMEG4030 Schottky SOD-128/CFP5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 490 mV @ 3 a 200 µa @ 40 v 175 ° C (°) 3A 350pf @ 1v, 1MHz
BZX84W-C75F Nexperia USA Inc. BZX84W-C75F 0.0245
RFQ
 ECAD 3722 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX84W 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934660459135 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 52.2 v 75 v 255 옴
BZX84-B7V5-QVL Nexperia USA Inc. BZX84-B7V5-QVL 0.0314
RFQ
 ECAD 7220 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-B7V5-QVLTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
BZX8850S-C3V0-QYL Nexperia USA Inc. BZX8850S-C3V0-QYL 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 800 na @ 1 v 3 v 100 옴
PBSS4160T-QVL Nexperia USA Inc. PBSS4160T-QVL 0.0861
RFQ
 ECAD 5654 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 270 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS4160T-QVLTR 귀 99 8541.21.0075 10,000 60 v 900 MA 100NA NPN 250mv @ 100ma, 1a 250 @ 1ma, 5V 220MHz
PMEG040V050EPEZ Nexperia USA Inc. PMEG040V050EPEZ 0.5800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn Schottky CFP15B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 520 MV @ 5 a 12 ns 120 µa @ 40 v 175 ° C 5a 370pf @ 1v, 1MHz
BC847BPNH-QX Nexperia USA Inc. BC847BPNH-QX 0.0305
RFQ
 ECAD 1824 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 220MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45V 100ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BC847B-QVL Nexperia USA Inc. BC847B-QVL 0.0163
RFQ
 ECAD 3404 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC847X-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BAT74V,115 Nexperia USA Inc. BAT74V, 115 0.0888
RFQ
 ECAD 9600 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-563, SOT-666 BAT74 Schottky SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 30 v 200MA (DC) 800 mv @ 100 ma 2 µa @ 25 v 125 ° C (°)
PHP45NQ11T,127 Nexperia USA Inc. php45nq11t, 127 -
RFQ
 ECAD 6153 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 105 v 47A (TC) 10V 25mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 60 nc @ 10 v ± 20V 2930 pf @ 25 v - 150W (TC)
PMN40XPEAAX Nexperia USA Inc. pmn40xpeaax 0.1213
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 4.7A (TA) 2.5V, 8V 46MOHM @ 4.7A, 8V 1.3V @ 250µA 16 nc @ 4.5 v ± 12V 1025 pf @ 10 v - 660MW (TA), 7.5W (TC)
PSMN2R6-40YS,115 Nexperia USA Inc. psmn2r6-40ys, 115 1.8700
RFQ
 ECAD 134 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn2r6 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 2.8mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 63 NC @ 10 v ± 20V 3776 pf @ 12 v - 131W (TC)
BZX84-C30-QR Nexperia USA Inc. BZX84-C30-QR 0.0319
RFQ
 ECAD 4828 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-C30-QRTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 21 v 30 v 80 옴
PMV65XPEA,215 Nexperia USA Inc. PM65XPEA, 215 -
RFQ
 ECAD 2795 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 pmv65 - 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 1 -
BZT52-B5V6-QX Nexperia USA Inc. BZT52-B5V6-QX 0.0438
RFQ
 ECAD 9322 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZT52-BQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
BZX84W-B3V9F Nexperia USA Inc. BZX84W-B3V9F 0.2200
RFQ
 ECAD 7240 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX84W 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
PUMD6H-QX Nexperia USA Inc. PUMD6H-QX 0.0319
RFQ
 ECAD 9523 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumd6 240MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-pumd6h-qx 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 100mv @ 500µa, 10ma 200 @ 1ma, 5V 230MHz, 180MHz 4.7kohms -
BC807-25W-QF Nexperia USA Inc. BC807-25W-QF 0.0307
RFQ
 ECAD 3198 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BC807-25W-QFTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 80MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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