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불연속 불연속 제품 (9943)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PDTC114EQC-QZ Nexperia USA Inc. PDTC114EQC-QZ 0.2900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 PDTC114 360 MW DFN1412D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 100NA npn-사전- 100mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V 230MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
BZX79-C68,143 Nexperia USA Inc. BZX79-C68,143 0.0258
RFQ
 ECAD 3304 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-C68 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 933117990143 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 47.6 v 68 v 240 옴
BZT52H-B10,115 Nexperia USA Inc. BZT52H-B10,115 0.2300
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 200 na @ 7 v 10 v 10 옴
BZX84W-C27-QX Nexperia USA Inc. BZX84W-C27-QX 0.0335
RFQ
 ECAD 4575 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX84W-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.04% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84W-C27-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 18.9 v 27 v 80 옴
BZX79-C2V4,143 Nexperia USA Inc. BZX79-C2V4,143 0.0258
RFQ
 ECAD 9585 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-C2V4 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
BZX79-C75,133 Nexperia USA Inc. BZX79-C75,133 0.1600
RFQ
 ECAD 328 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-C75 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 52.5 v 75 v 255 옴
BAS30LSYL Nexperia USA Inc. BAS30LSYL -
RFQ
 ECAD 6019 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOD-882 기준 DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 150 NA @ 250 v 150 ° C 250ma 2pf @ 0V, 1MHz
BZX38450-C2V7F Nexperia USA Inc. BZX38450-C2V7F 0.2300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
PMEG4020ETP-QX Nexperia USA Inc. PMEG4020ETP-QX 0.5400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 Schottky SOD-128/CFP5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 490 mV @ 2 a 100 µa @ 40 v 175 ° C 2A 250pf @ 1v, 1MHz
BZT52-B13-QX Nexperia USA Inc. BZT52-B13-QX 0.0438
RFQ
 ECAD 9177 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZT52-BQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 13 v 10 옴
NZX5V1D,133 Nexperia USA Inc. NZX5V1D, 133 0.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. NZX 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 NZX5V1 500MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 2 µa @ 2 v 5.2 v 100 옴
PDTB114ET Nexperia USA Inc. pdtb114et 0.0300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.21.0075 12,000
PSMN2R0-100SSFJ Nexperia USA Inc. PSMN2R0-100SSFJ 7.1300
RFQ
 ECAD 1464 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1235 PSMN2R0 MOSFET (금속 (() LFPAK88 (SOT1235) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 267A (TA) 7V, 10V 2.07mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 242 NC @ 10 v ± 20V 16140 pf @ 50 v - 341W (TA)
PZU5.6B3A-QX Nexperia USA Inc. PZU5.6B3A-QX 0.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 320 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 1 ma @ 2.5 v 5.8 v 40
BZT52-C6V8X Nexperia USA Inc. BZT52-C6V8X 0.2200
RFQ
 ECAD 8068 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.9% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 4 v 6.8 v 8 옴
BZT52H-A9V1X Nexperia USA Inc. BZT52H-A9V1X 0.1463
RFQ
 ECAD 8261 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZT52H-A 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZT52H-A9V1XTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 10 옴
BC807-25,235 Nexperia USA Inc. BC807-25,235 0.1800
RFQ
 ECAD 177 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 80MHz
BAS116VYX Nexperia USA Inc. BAS116VYX 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 기준 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 3 독립 75 v 180ma 1.25 V @ 150 mA 3 µs 5 na @ 75 v 150 ° C
BZX84W-C27-QF Nexperia USA Inc. BZX84W-C27-QF 0.0263
RFQ
 ECAD 8357 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX84W-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.04% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84W-C27-QFTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 18.9 v 27 v 80 옴
PSMN008-75B,118 Nexperia USA Inc. PSMN008-75B, 118 2.0400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PSMN008 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 75A (TC) 10V 8.5mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 122.8 nc @ 10 v ± 20V 5260 pf @ 25 v - 230W (TC)
PH0930DLS,115 Nexperia USA Inc. PH0930DLS, 115 0.2000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
BZX84W-B3V6-QF Nexperia USA Inc. BZX84W-B3V6-QF 0.0312
RFQ
 ECAD 4651 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX84W-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.94% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84W-B3V6-QFTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
BZT52-B15-QX Nexperia USA Inc. BZT52-B15-QX 0.0438
RFQ
 ECAD 4043 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZT52-BQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 10.5 v 15 v 15 옴
BZX38450-C7V5X Nexperia USA Inc. BZX38450-C7V5X 0.2300
RFQ
 ECAD 836 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 5.7 v 7.5 v 15 옴
BZT52-B12-QX Nexperia USA Inc. BZT52-B12-QX 0.0438
RFQ
 ECAD 5114 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZT52-BQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 12 v 10 옴
BZX84W-B30-QX Nexperia USA Inc. BZX84W-B30-QX 0.0422
RFQ
 ECAD 5254 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX84W-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84W-B30-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 21 v 30 v 80 옴
BZX384-A8V2-QX Nexperia USA Inc. BZX384-A8V2-QX 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
PBSS4350D,135 Nexperia USA Inc. PBSS4350D, 135 0.4000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PBSS4350 750 MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 3 a 100NA (ICBO) NPN 290mv @ 200ma, 2a 100 @ 2a, 2v 100MHz
BUK9M19-60EX Nexperia USA Inc. BUK9M19-60EX 0.9300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK9M19 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 38A (TC) 5V 17mohm @ 10a, 10V 2.1v @ 1ma 13.8 nc @ 5 v ± 10V 1814 pf @ 25 v - 62W (TC)
BZX84-A15,215 Nexperia USA Inc. BZX84-A15,215 0.5200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-A15 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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