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불연속 불연속 제품 (9943)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BZX84W-C11F Nexperia USA Inc. BZX84W-C11F 0.1800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX84W 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
PSMN8R5-100PSFQ Nexperia USA Inc. PSMN8R5-100PSFQ -
RFQ
 ECAD 6001 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070402127 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 98A (TA) 7V, 10V 8.7mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 44.5 nc @ 10 v ± 20V 3181 pf @ 50 v - 183W (TA)
BZX84-A6V8-QR Nexperia USA Inc. BZX84-A6V8-QR 0.1443
RFQ
 ECAD 1168 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-A6V8-QRTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 4 v 6.8 v 15 옴
PBSS4032PZ,115 Nexperia USA Inc. PBSS4032PZ, 115 0.7400
RFQ
 ECAD 7057 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PBSS4032 2 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 30 v 4.4 a 100NA PNP 400mv @ 200ma, 4a 150 @ 2a, 2v 130MHz
PMEG3050BEP,115 Nexperia USA Inc. PMEG3050BEP, 115 0.6500
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 PMEG3050 Schottky SOD-128/CFP5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 450 mV @ 5 a 250 µa @ 30 v 150 ° C (°) 5a 800pf @ 1v, 1MHz
PZU10BA,115 Nexperia USA Inc. PZU10BA, 115 0.2800
RFQ
 ECAD 890 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 PZU10 320 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 7 v 10 v 10 옴
PMEG2010EA-QZ Nexperia USA Inc. PMEG2010EA-QZ 0.0736
RFQ
 ECAD 3731 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 PMEG2010 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PMEG2010EA-QZTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 1 a 50 µa @ 15 v 125 ° C 1A 19pf @ 5V, 1MHz
BZX384-A2V4X Nexperia USA Inc. BZX384-A2V4X 0.1463
RFQ
 ECAD 7746 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384-A 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX384-A2V4XTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 85 옴
BZT52H-A2V4X Nexperia USA Inc. BZT52H-A2V4X 0.1463
RFQ
 ECAD 7071 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZT52H-A 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZT52H-A2V4XTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 85 옴
BZT52H-C27-QX Nexperia USA Inc. BZT52H-C27-QX 0.0378
RFQ
 ECAD 1327 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.04% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZT52H-C27-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 18.9 v 27 v 40
BC857B/DG/B3,215 Nexperia USA Inc. BC857B/DG/B3,215 -
RFQ
 ECAD 4446 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934066595215 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 100MHz
PDTC124EU-QX Nexperia USA Inc. PDTC124EU-QX 0.0365
RFQ
 ECAD 9510 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTC124 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PDTC124EU-QXTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 60 @ 5MA, 5V 230MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
PBSS302ND,125 Nexperia USA Inc. PBSS302nd, 125 1.0000
RFQ
 ECAD 9229 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
PNE20060EPE-QZ Nexperia USA Inc. PNE20060EPE-QZ 0.6600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn 기준 CFP15B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 940 MV @ 6 a 30 ns 1 µa @ 200 v 175 ° C 6A 65pf @ 4V, 1MHz
MM3Z5V1T1GX Nexperia USA Inc. MM3Z5V1T1GX 0.2200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. MM3Z 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 2 µa @ 1.5 v 5.1 v 60 옴
TDZ5V6JF Nexperia USA Inc. tdz5v6jf 0.3400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, TDZXJ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F TDZ5V6 500MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 10 µa @ 2.5 v 5.6 v 40
BUK7107-55AIE,118 Nexperia USA Inc. BUK7107-55AIE, 118 -
RFQ
 ECAD 2274 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 7mohm @ 50a, 10V 4V @ 1MA 116 NC @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v 현재 현재 272W (TC)
MM3Z36VT1GX Nexperia USA Inc. MM3Z36VT1GX 0.2200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. MM3Z 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 25.2 v 36 v 90 옴
PDTA144EQCZ Nexperia USA Inc. PDTA144EQCZ 0.2600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 PDTA144 360 MW DFN1412D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 100mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V 180MHz 47 Kohms 47 Kohms
EGP20K Nexperia USA Inc. EGP20K 0.2500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-15 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-EGP20K-1727 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 2 a 75 ns 5 µa @ 800 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 45pf @ 4V, 1MHz
PMZ130UNE315 Nexperia USA Inc. PMZ130UN315 1.0000
RFQ
 ECAD 6534 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 10,000
BZX79-C15,113 Nexperia USA Inc. BZX79-C15,113 0.1600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-C15 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
BZV55-C68,115 Nexperia USA Inc. BZV55-C68,115 0.2100
RFQ
 ECAD 292 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-C68 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 47.6 v 68 v 240 옴
BC817-25QCH-QZ Nexperia USA Inc. BC817-25QCH-QZ 0.3400
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC817QCH-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 BC817 455 MW DFN1412D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
BCV49,115 Nexperia USA Inc. BCV49,115 0.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCV49 1.3 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 500 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 220MHz
BCV72-QR Nexperia USA Inc. BCV72-QR 0.0366
RFQ
 ECAD 2247 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-BCV72-QRTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 60 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 500µa, 10ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BC847BS/ZLF Nexperia USA Inc. BC847BS/ZLF -
RFQ
 ECAD 1297 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BC846BW/DG/B4,115 Nexperia USA Inc. BC846BW/DG/B4,115 0.0200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 15,000
PMBT2907A,235 Nexperia USA Inc. PMBT2907A, 235 0.1400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBT2907 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 60 v 600 MA 10NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
BSH114,215 Nexperia USA Inc. BSH114,215 -
RFQ
 ECAD 8152 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 500MA (TA) 10V 500mohm @ 500ma, 10V 4V @ 1MA 4.6 NC @ 10 v ± 20V 138 pf @ 25 v - 360MW (TA), 830MW (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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