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불연속 불연속 제품 (9943)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PZU15B,115 Nexperia USA Inc. PZU15B, 115 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU15 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 11 v 15 v 15 옴
BZT52H-B62,115 Nexperia USA Inc. BZT52H-B62,115 0.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 43.4 v 62 v 140 옴
HPZR-C17X Nexperia USA Inc. HPZR-C17X 0.3900
RFQ
 ECAD 7644 0.00000000 Nexperia USA Inc. HPZR 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123W 962 MW SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 14 v 17 v 27.56 옴
PMPB215ENEAX Nexperia USA Inc. PMPB215ENEAX 0.5200
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB215 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 1.9A (TA) 4.5V, 10V 230mohm @ 1.9a, 10V 2.7V @ 250µA 7.2 NC @ 10 v ± 20V 215 pf @ 40 v - 1.6W (TA), 15.6W (TC)
BZX585-C15,115 Nexperia USA Inc. BZX585-C15,115 0.3300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-C15 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 10.5 v 15 v 15 옴
BZB84-C4V3,215 Nexperia USA Inc. BZB84-C4V3,215 0.0469
RFQ
 ECAD 6136 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-C4V3 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
BZX84W-B18-QF Nexperia USA Inc. BZX84W-B18-QF 0.0312
RFQ
 ECAD 9523 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX84W-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.22% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84W-B18-QFTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 12.6 v 18 v 45 옴
PUMD9/ZLF Nexperia USA Inc. PUMD9/ZLF -
RFQ
 ECAD 6478 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumd9 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V 230MHz, 180MHz 10kohms 47kohms
PDTD113ZT,215 Nexperia USA Inc. PDTD113ZT, 215 0.3300
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTD113 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 70 @ 50MA, 5V 1 KOHMS 10 KOHMS
BAV99S/DG/B4X Nexperia USA Inc. BAV99S/DG/B4X -
RFQ
 ECAD 9920 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BAV99 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 bav99 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069956115 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 연결 연결 시리즈 100 v 200MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°)
PMZ600UNE/S500YL Nexperia USA Inc. PMZ600UNONE/S500YL 0.0300
RFQ
 ECAD 6491 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 MOSFET (금속 (() DFN1006-3 - 2156-PMZ600UN/S500YL 9,000 n 채널 20 v 600MA (TA) 1.2V, 4.5V 620mohm @ 600ma, 4.5v 0.95V @ 250µA 0.7 nc @ 4.5 v ± 8V 21.3 pf @ 10 v - 360MW (TA), 2.7W (TC)
BC858W-QX Nexperia USA Inc. BC858W-QX 0.0322
RFQ
 ECAD 5710 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1727-BC858W-QXTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 600mv @ 5ma, 100ma 125 @ 2MA, 5V 100MHz
BCM856DS,115 Nexperia USA Inc. BCM856DS, 115 0.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 BCM856 380MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 pnp (() 일치하는 쌍 쌍 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 175MHz
BZT52-C75,115 Nexperia USA Inc. BZT52-C75,115 -
RFQ
 ECAD 4199 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 BZT52 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1
PMZ290UNE2YL Nexperia USA Inc. PMZ290UNE2YL 0.3900
RFQ
 ECAD 166 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 PMZ290 MOSFET (금속 (() SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 1.2A (TA) 1.5V, 4.5V 320mohm @ 1.2a, 4.5v 950MV @ 250µA 1.4 NC @ 4.5 v ± 8V 46 pf @ 10 v - 350MW (TA), 5.43W (TC)
PBSS303PX,115 Nexperia USA Inc. PBSS303PX, 115 0.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBSS303 2.1 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 30 v 5.1 a 100NA (ICBO) PNP 230MV @ 255MA, 5.1A 200 @ 2a, 2v 130MHz
BZT52-B3V3J Nexperia USA Inc. BZT52-B3V3J 0.2400
RFQ
 ECAD 3840 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.12% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
BZX84-C11/DG/B3,23 Nexperia USA Inc. BZX84-C11/DG/B3,23 -
RFQ
 ECAD 9804 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065289235 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
BC807-40W/ZLX Nexperia USA Inc. BC807-40W/ZLX -
RFQ
 ECAD 8659 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
BZX585-C43,115 Nexperia USA Inc. BZX585-C43,115 0.2600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-C43 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 NA @ 30.1 v 43 v 150 옴
BUK7K12-60EX Nexperia USA Inc. BUK7K12-60EX 1.7600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 BUK7K12 MOSFET (금속 (() 68W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 60V 40a 9.3mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 10.4NC @ 10V 617pf @ 25v -
PHP18NQ11T,127 Nexperia USA Inc. php18nq11t, 127 1.6000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PHP18NQ11 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 110 v 18A (TC) 10V 90mohm @ 9a, 10V 4V @ 1MA 21 NC @ 10 v ± 20V 633 pf @ 25 v - 79W (TC)
BC869,135 Nexperia USA Inc. BC869,135 0.1506
RFQ
 ECAD 5817 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BC869 1.2 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 20 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100ma, 1a 85 @ 500ma, 1V 140MHz
BUK9640-100A/C1,118 Nexperia USA Inc. BUK9640-100A/C1,118 0.4300
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
BZX585-C9V1,135 Nexperia USA Inc. BZX585-C9V1,135 0.3300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-C9V1 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 10 옴
BZX884S-C10-QYL Nexperia USA Inc. BZX884S-C10-QYL 0.3300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 200 na @ 7 v 10 v 20 옴
BSR30,115 Nexperia USA Inc. BSR30,115 0.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BSR30 1.35 w SOT-89 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 100MA, 5V 100MHz
PMCXB1000UEZ Nexperia USA Inc. PMCXB1000UEZ 0.5100
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 PMCXB1000 MOSFET (금속 (() 285MW (TA) DFN1010B-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 n 보완 p 채널 및 30V 590MA (TA), 410MA (TA) 670mohm @ 590ma, 4.5v, 1.4ohm @ 410ma, 4.5v 950MV @ 250µA 1.05NC @ 4.5V, 1.2NC @ 4.5V 30.3pf @ 15V, 43.2pf @ 15V -
BUK9606-75B,118 Nexperia USA Inc. BUK9606-75B, 118 3.5200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK9606 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 75A (TC) 5V, 10V 5.5mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 95 NC @ 5 v ± 15V 11693 pf @ 25 v - 300W (TC)
BAT54AW,115 Nexperia USA Inc. Bat54aw, 115 0.1900
RFQ
 ECAD 142 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 Bat54 Schottky SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 30 v 200MA (DC) 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v 150 ° C (°)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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