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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PBSS4021NT,215 Nexperia USA Inc. PBSS4021NT, 215 0.4700
RFQ
 ECAD 2837 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBSS4021 1.1 w TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 20 v 4.3 a 100NA NPN 200mv @ 400ma, 4a 300 @ 2A, 2V 165MHz
NX138BKR Nexperia USA Inc. NX138BKR 0.2200
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NX138 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 265MA (TA) 2.5V, 10V 3.5ohm @ 200ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.49 nc @ 4.5 v ± 20V 20.2 pf @ 30 v - 310MW (TA)
BZX884S-B2V7YL Nexperia USA Inc. BZX884S-B2V7YL -
RFQ
 ECAD 6813 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1.85% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 BZX884S-B2V7 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
PMBTA56-QVL Nexperia USA Inc. PMBTA56-QVL 0.0321
RFQ
 ECAD 8031 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PMBTA56-QVLTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 80 v 500 MA 50NA (ICBO) PNP 250mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1v 50MHz
PDTA113EM,315 Nexperia USA Inc. PDTA113EM, 315 0.0396
RFQ
 ECAD 5390 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 PDTA113 250 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 1.5ma, 30ma 30 @ 40MA, 5V 1 KOHMS 1 KOHMS
PUMD3-QZ Nexperia USA Inc. PUMD3-QZ 0.0368
RFQ
 ECAD 1265 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMD3 200MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50V 100ma 1µA NPN, PNP 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V 230MHz, 180MHz 10kohms 10kohms
BAS40-05/DG/B3VL Nexperia USA Inc. BAS40-05/DG/B3VL -
RFQ
 ECAD 5987 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 BAS40 Schottky 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069989235 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 40 v 120MA (DC) 1 v @ 40 ma 10 µa @ 40 v 150 ° C (°)
BAT720-QVL Nexperia USA Inc. BAT720-QVL 0.0923
RFQ
 ECAD 7689 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Schottky TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-BAT720-QVLTR 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550MV @ 500 MA 100 µa @ 35 v 125 ° C 500ma 90pf @ 0V, 1MHz
PMEG2005EGW,115 Nexperia USA Inc. PMEG2005EGW, 115 -
RFQ
 ECAD 3040 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
BZX384-B62Z Nexperia USA Inc. BZX384-B62Z 0.2300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 5 na @ 43.4 v 62 v 215 옴
BUK762R6-60E,118 Nexperia USA Inc. BUK762R6-60E, 118 2.3500
RFQ
 ECAD 2424 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK762 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 2.6mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 140 NC @ 10 v ± 20V 10170 pf @ 25 v - 324W (TC)
BC859B,215 Nexperia USA Inc. BC859B, 215 0.2200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC859 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
BUK7535-55A,127 Nexperia USA Inc. BUK7535-55A, 127 -
RFQ
 ECAD 9302 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 35A (TC) 10V 35mohm @ 20a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 872 pf @ 25 v - 85W (TC)
PEMH20,115 Nexperia USA Inc. PEMH20,115 0.4700
RFQ
 ECAD 7252 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMH20 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 20MA, 5V - 2.2kohms 2.2kohms
BUK72150-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK72150-55A, 118 0.8800
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 BUK72150 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 11A (TC) 10V 150mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 5.5 nc @ 10 v ± 20V 322 pf @ 25 v - 36W (TC)
PUMH20,115 Nexperia USA Inc. PUMH20,115 0.2900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumh20 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 20MA, 5V - 2.2kohms 2.2kohms
PDTB143EUX Nexperia USA Inc. PDTB143EUX 0.0680
RFQ
 ECAD 6523 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTB143 300MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 100mv @ 2.5ma, 50ma 60 @ 50MA, 5V 140MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
PDTC114ET/DG/B4,21 Nexperia USA Inc. PDTC114ET/DG/B4,21 -
RFQ
 ECAD 5577 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC114 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934066949215 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V 230MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
BZX8450-C2V2R Nexperia USA Inc. BZX8450-C2V2R 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 4 µa @ 1 v 2.2 v 100 옴
NZX2V1B,133 Nexperia USA Inc. NZX2V1B, 133 0.2000
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 Nexperia USA Inc. NZX 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 NZX2V1 500MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 500 mV 2.1 v 100 옴
PH1030DLSX Nexperia USA Inc. ph1030dlsx -
RFQ
 ECAD 2860 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-PH1030DLSX 쓸모없는 1
BUK9K30-80EX Nexperia USA Inc. BUK9K30-80EX 1.5900
RFQ
 ECAD 8297 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 buk9k30 MOSFET (금속 (() 53W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 80V 17A (TA) 26mohm @ 5a, 10V 2.1v @ 1ma 17.5NC @ 5V 2297pf @ 25v 논리 논리 게이트
HPZR-C42X Nexperia USA Inc. HPZR-C42X 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. HPZR 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123W 962 MW SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 36 v 42 v 53
BC859CW,115 Nexperia USA Inc. BC859CW, 115 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC859 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 100MHz
PEMB9,315 Nexperia USA Inc. PEMB9,315 0.1015
RFQ
 ECAD 5299 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMB9 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934057047315 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma 1µA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V - 10kohms 47kohms
BZX79-B6V2,143 Nexperia USA Inc. BZX79-B6V2,143 0.2100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-B6V2 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
BZT52-B4V7-QX Nexperia USA Inc. BZT52-B4V7-QX 0.0438
RFQ
 ECAD 4635 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZT52-BQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 78 옴
PDTC144EU,115 Nexperia USA Inc. PDTC144EU, 115 0.1900
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTC144 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V 47 Kohms 47 Kohms
BCX56-10,135 Nexperia USA Inc. BCX56-10,135 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX56 1.25 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
PMEG2015EPK,315 Nexperia USA Inc. PMEG2015EPK, 315 0.4900
RFQ
 ECAD 6496 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-xdfn PMEG2015 Schottky DFN1608D-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 8,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 420 MV @ 1.5 a 5 ns 350 µa @ 10 v 150 ° C (°) 1.5A 120pf @ 1v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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