전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- v (vf) (max) @ if | 전류- 누출 리버스 @ vr | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PBSS5350THR | 0.4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PBSS5350 | 1.44 w | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 50 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 390mv @ 300ma, 3a | 80 @ 3a, 2v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | PZU22B3,115 | 0.2500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | PZU22 | 310 MW | SOD-323F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 v @ 100 ma | 50 na @ 17 v | 22 v | 25 옴 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PMPB40SNA, 115 | - | ![]() | 1360 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | MOSFET (금속 (() | DFN2020MD-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 12.9A (TC) | 4.5V, 10V | 43mohm @ 4.8a, 10V | 3V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 20V | 612 pf @ 30 v | - | 1.7W (TA), 12.5W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | PSMN009-100B, 118 | 1.3642 | ![]() | 5930 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | PSMN009 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 75A (TC) | 10V | 8.8mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 156 NC @ 10 v | ± 20V | 8250 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | MM5Z2V4T5GF | 0.2900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | MM5Z | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | 300MW | SOD-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 v @ 100 ma | 50 µa @ 1 v | 2.4 v | 100 옴 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS5320D, 125 | 0.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | PBSS5320 | 750 MW | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 20 v | 3 a | 100NA (ICBO) | PNP | 400mv @ 300ma, 3a | 150 @ 2a, 2v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG6010CEJ/ZL115 | - | ![]() | 5583 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PMEG6010 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG6020ELR | - | ![]() | 8345 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PMEG6020 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PMV130ENEAR | 0.4500 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PMV130 | MOSFET (금속 (() | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 2.1A (TA) | 4.5V, 10V | 120mohm @ 1.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 3.6 NC @ 10 v | ± 20V | 170 pf @ 20 v | - | 460MW (TA), 5W (TC) | |||||||||||||||||||
BZB84-B20,215 | 0.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | - | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZB84-B20 | 300MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 양극 양극 공통 | 900 mV @ 10 ma | 50 na @ 14 v | 20 v | 55 옴 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | pumd2/dg/b3,115 | - | ![]() | 1347 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | pumd2 | 300MW | 6-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934066961115 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100ma | 100NA | 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) | 150mv @ 500µa, 10ma | 60 @ 5MA, 5V | 230MHz, 180MHz | 22kohms | 22kohms | ||||||||||||||||||||
![]() | PMBT3904YS-QX | 0.0605 | ![]() | 3137 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PMBT3904 | 230MW | 6-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1727-PMBT3904YS-QXTR | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 200ma | 50NA (ICBO) | 2 NPN (() | 300mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 1v | 300MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | PUMD24,115 | 0.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PUMD24 | 300MW | 6-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 20MA | 1µA | 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) | 150mv @ 250µa, 5mA | 80 @ 5ma, 5V | - | 100kohms | 100kohms | |||||||||||||||||||||
![]() | pumb1,115 | 0.2900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | pumb1 | 300MW | 6-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100ma | 1µA | 2 pnp--바이어스 (듀얼) | 150mv @ 500µa, 10ma | 60 @ 5MA, 5V | - | 22kohms | 22kohms | |||||||||||||||||||||
![]() | PEMH2,315 | 0.1015 | ![]() | 4923 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | PEMH2 | 300MW | SOT-666 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 100ma | 1µA | 2 npn--바이어스 (듀얼) | 150mv @ 500µa, 10ma | 80 @ 5ma, 5V | - | 47kohms | 47kohms | |||||||||||||||||||||
![]() | BZX384-C30,115 | 0.2100 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BZX384 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZX384 | 300MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 v @ 100 ma | 50 na @ 21 v | 30 v | 80 옴 | ||||||||||||||||||||||||
BC846B/DG/B3,235 | - | ![]() | 9793 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BC846X | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC846 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934066597235 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 65 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9515-100A127 | 1.0300 | ![]() | 700 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BUK9515-100A127-1727 | 1 | n 채널 | 100 v | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 14.4mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | ± 10V | 8600 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | PMCM4401VNEAZ | 0.4600 | ![]() | 116 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-XFBGA, WLCSP | PMCM4401 | MOSFET (금속 (() | 4-WLCSP (0.78x0.78) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 9,000 | n 채널 | 12 v | 4.7A (TA) | 1.5V, 4.5V | 42mohm @ 3a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 9 NC @ 4.5 v | ± 8V | 335 pf @ 6 v | - | 400MW (TA), 12.5W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | PDTA114EMB, 315 | 0.2800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 3-xfdfn | PDTA114 | 250 MW | DFN1006B-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 50 v | 100 MA | 1µA | pnp- 사전- | 150mv @ 500µa, 10ma | 30 @ 5MA, 5V | 180MHz | 10 KOHMS | 10 KOHMS | |||||||||||||||||||||
NX6008NBKR | 0.2200 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 270MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 2.8ohm @ 300ma, 4.5v | 900MV @ 250µA | 0.7 nc @ 4.5 v | ± 8V | 27 pf @ 30 v | - | 270MW (TA), 1.3W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-B22,115 | 0.3800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | BZX585-B22 | 300MW | SOD-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 v @ 100 ma | 50 NA @ 15.4 v | 22 v | 55 옴 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | pmh550upeh | 0.3700 | ![]() | 80 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | PMH550 | MOSFET (금속 (() | DFN0606-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | p 채널 | 20 v | 800MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 640mohm @ 600ma, 4.5v | 950MV @ 250µA | 0.9 nc @ 4.5 v | ± 8V | 54.8 pf @ 10 v | - | 360MW (TA), 2.23W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | BC847CQB-QZ | 0.0381 | ![]() | 4184 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 3-xdfn d 패드 | 340 MW | DFN1110D-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 5ma, 100ma | 420 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | pmf250xnex | 0.4100 | ![]() | 43 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | PMF250 | MOSFET (금속 (() | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 1A (TA) | 2.5V, 4.5V | 254mohm @ 900ma, 4.5v | 1.25V @ 250µA | 1.65 nc @ 4.5 v | ± 12V | 81 pf @ 15 v | - | 342MW (TA) | ||||||||||||||||||
PBSS4021PT, 215 | 0.4700 | ![]() | 161 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PBSS4021 | 1.1 w | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 20 v | 3.5 a | 100NA | PNP | 330mv @ 400ma, 4a | 140 @ 2A, 2V | 155MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | BC807-25QBH-QZ | 0.3200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, BC807QBH-Q | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 3-xdfn d 패드 | 420 MW | DFN1110D-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 45 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 50ma, 500ma | 160 @ 100MA, 1V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9535-100A, 127 | - | ![]() | 6834 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 41A (TC) | 4.5V, 10V | 34mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | ± 10V | 3573 pf @ 25 v | - | 149W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | PSMN3R3-80PS, 127 | 4.6700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | psmn3r3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 80 v | 120A (TC) | 10V | 3.3mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 139 NC @ 10 v | ± 20V | 9961 pf @ 40 v | - | 338W (TC) | ||||||||||||||||||
PDTC114YT, 215 | 0.1700 | ![]() | 61 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTC114 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 1µA | npn-사전- | 100MV @ 250µA, 5MA | 100 @ 5ma, 5V | 10 KOHMS | 47 Kohms |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고