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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PMEG100V080ELPDAZ Nexperia USA Inc. PMEG100V080ELPDAZ 0.6800
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn PMEG100 Schottky CFP15 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 8 a 10 ns 1 µa @ 100 v 175 ° C (°) 8a 110pf @ 10V, 1MHz
BZX884-C27,315 Nexperia USA Inc. BZX884-C27,315 0.0382
RFQ
ECAD 3603 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 BZX884-C27 250 MW DFN1006-2 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 18.9 v 27 v 80 옴
BAT160S,115 Nexperia USA Inc. BAT160S, 115 0.6500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BAT160 Schottky SOT-223 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 60 v 1A (DC) 650 mV @ 1 a 350 µa @ 60 v 150 ° C (°)
BZX884S-B3V0YL Nexperia USA Inc. BZX884S-B3V0YL -
RFQ
ECAD 6497 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 BZX884S-B3V0 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3 v 95 옴
PSMN4R0-30YLDX Nexperia USA Inc. psmn4r0-30yldx 0.9000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn4r0 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 95A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 25a, 10V 2.2v @ 1ma 19.4 NC @ 10 v ± 20V 1272 pf @ 15 v - 64W (TC)
BUK9575-55A,127 Nexperia USA Inc. BUK9575-55A, 127 -
RFQ
ECAD 4596 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 20A (TC) 4.5V, 10V 68mohm @ 10a, 10V 2V @ 1mA ± 10V 643 pf @ 25 v - 62W (TC)
BAS416Z Nexperia USA Inc. BAS416Z 0.3600
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 BAS416 기준 SOD-323 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1.25 V @ 150 mA 3 µs 5 na @ 75 v 150 ° C (°) 200ma 2pf @ 0V, 1MHz
BZX384-B13,115 Nexperia USA Inc. BZX384-B13,115 0.2300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 8 v 13 v 30 옴
PDTD113ZT-QR Nexperia USA Inc. PDTD113ZT-QR 0.0631
RFQ
ECAD 4569 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTD113 250 MW TO-236AB 다운로드 ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PDTD113ZT-QRTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 70 @ 50MA, 5V 1 KOHMS 10 KOHMS
PSMN015-100YLX Nexperia USA Inc. PSMN015-100YLX 1.5300
RFQ
ECAD 3331 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN015 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 69A (TC) 5V, 10V 14.7mohm @ 20a, 10V 2.1v @ 1ma 86.3 NC @ 10 v ± 20V 6139 pf @ 25 v - 195W (TC)
PMV27UPEAR Nexperia USA Inc. pmv27upear 0.4300
RFQ
ECAD 9117 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV27 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.5A (TA) 1.8V, 4.5V 32mohm @ 4.5a, 4.5v 950MV @ 250µA 22.1 NC @ 4.5 v ± 8V 1820 pf @ 10 v - 490MW (TA), 4.15W (TC)
NX3008NBK,215 Nexperia USA Inc. NX3008NBK, 215 0.2900
RFQ
ECAD 411 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NX3008 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 400MA (TC) 1.8V, 4.5V 1.4ohm @ 350ma, 4.5v 1.1V @ 250µA 0.68 nc @ 4.5 v ± 8V 50 pf @ 15 v - 350MW (TA), 1.14W (TC)
BZX884-C7V5,315 Nexperia USA Inc. BZX884-C7V5,315 0.4800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 BZX884-C7V5 250 MW DFN1006-2 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 10 옴
BAS521-QX Nexperia USA Inc. BAS521-QX 0.0571
RFQ
ECAD 4266 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 기준 SOD-523 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-BAS521-QXTR 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.1 v @ 100 ma 50 ns 150 NA @ 250 v 150 ° C 250ma 0.4pf @ 0V, 1MHz
PUMH11/ZLX Nexperia USA Inc. pumh11/zlx -
RFQ
ECAD 2464 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumh11 300MW 6-TSSOP 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-PUMH11/ZLX 쓸모없는 0000.00.0000 1 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V 230MHz 10kohms 10kohms
PUMH15,115 Nexperia USA Inc. PUMH15,115 0.2900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMH15 300MW 6-TSSOP 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 10ma, 5V - 4.7kohms 4.7kohms
RB521S30YL Nexperia USA Inc. RB521S30YL 0.2400
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 RB521S30 Schottky SOD-523 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 500 mV @ 200 mA 30 µa @ 10 v 150 ° C (°) 200ma 20pf @ 1v, 1MHz
BZT52-C4V7J Nexperia USA Inc. BZT52-C4V7J 0.2200
RFQ
ECAD 8133 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.4% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 350 MW SOD-123 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 78 옴
BZT52-B51J Nexperia USA Inc. BZT52-B51J 0.2400
RFQ
ECAD 6094 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.96% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 35.7 v 51 v 100 옴
BSR33,115 Nexperia USA Inc. BSR33,115 0.6000
RFQ
ECAD 8182 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BSR33 1.35 w SOT-89 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 5V 100MHz
BZT52H-B15,115 Nexperia USA Inc. BZT52H-B15,115 0.2300
RFQ
ECAD 56 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 10.5 v 15 v 15 옴
BAV70,235 Nexperia USA Inc. BAV70,235 0.1500
RFQ
ECAD 126 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 bav70 기준 TO-236AB 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 215MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°)
BC807-16LZ Nexperia USA Inc. BC807-16LZ 0.1600
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 250 MW TO-236AB 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 80MHz
BUK9660-100A,118 Nexperia USA Inc. BUK9660-100A, 118 -
RFQ
ECAD 9713 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 26A (TC) 4.5V, 10V 58mohm @ 15a, 10V 2V @ 1mA ± 10V 1924 pf @ 25 v - 106W (TC)
BC816-25VL Nexperia USA Inc. BC816-25VL 0.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC816 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC816 300MW TO-236AB 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 80 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
BC857AQCZ Nexperia USA Inc. BC857AQCZ 0.2500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC857XQC 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 BC857 360 MW DFN1412D-3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 850mv @ 5ma, 100ma 125 @ 2MA, 5V 100MHz
PSMN2R1-40PLQ Nexperia USA Inc. PSMN2R1-40PLQ 1.6229
RFQ
ECAD 7653 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 psmn2r1 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 150A (TC) 10V 2.2MOHM @ 25A, 10V 2.1v @ 1ma 87.8 NC @ 5 v ± 20V 9584 pf @ 25 v - 293W (TC)
BZX84-B18,215 Nexperia USA Inc. BZX84-B18,215 0.2100
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-B18 250 MW TO-236AB 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 12.6 v 18 v 45 옴
NZX14C,133 Nexperia USA Inc. NZX14C, 133 0.2000
RFQ
ECAD 79 0.00000000 Nexperia USA Inc. NZX 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 2% 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 NZX14 500MW ALF2 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 50 na @ 9.8 v 14.05 v 35 옴
BZT52-B24X Nexperia USA Inc. BZT52-B24X 0.2400
RFQ
ECAD 8826 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.08% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 16.8 v 24 v 30 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고