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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 그들 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 내구성 인증(암페어) 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 모델 지수 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 테스트 전압 - 출력(V(BR)GSS) - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 저항 - RDS(켜짐) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
AFV10700HR5 NXP Semiconductors AFV10700HR5 537.6400
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ECAD 27 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 105V 방역 NI-780-4 960MHz ~ 1.215GHz LDMOS(이중) NI-780-4 - 2156-AFV10700HR5 1 2 N채널 1μA 100mA 700W 19.2dB @ 1.03GHz - 52V
PDZ3.6B,115 NXP Semiconductors PDZ3.6B,115 0.0200
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ECAD 24 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-76, SOD-323 400mW SOD-323 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PDZ3.6B,115-954 EAR99 8541.10.0050 1 1.1V @ 100mA 1V에서 5μA 3.6V 90옴
MMRF1304NR1 NXP Semiconductors MMRF1304NR1 25.6700
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ECAD 410 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 133V 표면 실장 TO-270AA 1.8MHz ~ 2GHz LDMOS TO-270-2 다운로드 RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-MMRF1304NR1 EAR99 8541.29.0075 1 7μA 10mA 25W 25.4dB - 50V
BC846AW,115 NXP Semiconductors BC846AW,115 0.0200
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ECAD 535 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 200mW SOT-323 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BC846AW,115-954 1 65V 100mA 15nA(ICBO) NPN 400mV @ 5mA, 100mA 110 @ 2mA, 5V 100MHz
PDTC124XM,315 NXP Semiconductors PDTC124XM,315 -
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ECAD 2391 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 표면 실장 SC-101, SOT-883 PDTC124 250mW DFN1006-3 다운로드 0000.00.0000 1 50V 100mA 1μA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 10mA 80 @ 5mA, 5V 22kΩ 47kΩ
BZX84-A3V9,215 NXP Semiconductors BZX84-A3V9,215 0.1000
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ECAD 6867 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±1% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX84-A3V9,215-954 1,304 900mV @ 10mA 3μA @ 1V 3.9V 90옴
PMEG6010CEH,115 NXP Semiconductors PMEG6010CEH,115 -
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ECAD 6591 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 표면 실장 SOD-123F PMEG6010 쇼트키 SOD-123F - 공급자가 규정하지 않는 경우 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-PMEG6010CEH,115-954 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 60V 660mV @ 1A 60V에서 50μA 150°C(최대) 1A 68pF @ 1V, 1MHz
PBLS4003D,115 NXP Semiconductors PBLS4003D,115 0.0700
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ECAD 66 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 PBLS4003 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PBLS4003D,115-954 4,473
BZX84J-B11,115 NXP Semiconductors BZX84J-B11,115 1.0000
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ECAD 7693 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F 550mW SOD-323F 다운로드 0000.00.0000 1 1.1V @ 100mA 100nA @ 8V 11V 10옴
PZU4.3B2A,115 NXP Semiconductors PZU4.3B2A,115 -
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ECAD 7770 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±2% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-76, SOD-323 320mW SOD-323 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-PZU4.3B2A,115-954 1 1.1V @ 100mA 3μA @ 1V 4.3V 90옴
PMDXB550UNE,147 NXP Semiconductors PMDXB550UNE,147 0.0800
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ECAD 720 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PMDXB550UNE,147-954 EAR99 8541.21.0095 3,878
BZV55-B3V0,115 NXP Semiconductors BZV55-B3V0,115 0.0200
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ECAD 86 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-B3V0,115-954 1 900mV @ 10mA 10μA @ 1V 3V 95옴
BAT54SW,115 NXP Semiconductors BAT54SW,115 0.0200
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ECAD 21 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 BAT54 쇼트키 SOT-323 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BAT54SW,115-954 EAR99 8541.10.0070 15,000 1쌍 직렬 연결 30V 200mA 800mV @ 100mA 150°C(최대)
BC69-16PA,115 NXP Semiconductors BC69-16PA,115 1.0000
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ECAD 8221 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-PowerUDFN 69년 420mW 3-휴슨(2x2) 다운로드 0000.00.0000 1 20V 2A 100nA(ICBO) PNP 600mV @ 200mA, 2A 100 @ 500mA, 1V 140MHz
PMCXB900UEZ NXP Semiconductors PMCXB900UEZ 0.0800
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ECAD 1 0.00000000 NXP 반도체 TrenchFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-XFDFN 옆형 패드 PMCXB900 MOSFET(금속) 265mW DFN1010B-6 다운로드 EAR99 8541.21.0095 3,557 N 및 P 채널 보완 20V 600mA, 500mA 620m옴 @ 600mA, 4.5V 250μA에서 950mV 0.7nC @ 4.5V 21.3pF @ 10V 게임 레벨 레벨
PDTC123YMB,315 NXP Semiconductors PDTC123YMB,315 0.0300
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ECAD 99 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 PDTC123 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PDTC123YMB,315-954 1
1N4737A,133 NXP Semiconductors 1N4737A,133 -
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ECAD 5624 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 1N4737 1W DO-41 다운로드 EAR99 8541.10.0050 1 1.2V @ 200mA 5V에서 10μA 7.5V 4옴
BZV90-C51,115 NXP Semiconductors BZV90-C51,115 -
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ECAD 8346 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA 1.5W SOT-223 다운로드 EAR99 8541.10.0050 1 1V @ 50mA 50nA @ 35.7V 51V 180옴
PMBF4391 NXP Semiconductors PMBF4391 0.8700
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ECAD 22 0.00000000 NXP 반도체 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW TO-236AB - ROHS3 준수 1(무제한) 요청 시 REACH 정보 제공 2832-PMBF4391TR EAR99 8541.21.0080 575 N채널 40V 14pF @ 20V 40V 20V에서 50mA 4V @ 1nA 30옴
BZV55-B6V8,115 NXP Semiconductors BZV55-B6V8,115 0.0200
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ECAD 67 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-B6V8,115-954 1 900mV @ 10mA 2μA @ 4V 6.8V 15옴
BAW56W135 NXP Semiconductors BAW56W135 -
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ECAD 7176 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 BAW56W 다운로드 0000.00.0000 1
TDZ5V6J135 NXP Semiconductors TDZ5V6J135 0.0300
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ECAD 18 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101, TDZxJ 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±1.96% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F TDZ5V6 500mW SOD-323F - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-TDZ5V6J135 EAR99 8541.10.0050 10,414 1.1V @ 100mA 2.5V에서 10μA 5.6V 40옴
BZX84-A27,215 NXP Semiconductors BZX84-A27,215 -
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ECAD 1887년 0.00000000 NXP 반도체 BZX84 대부분 활동적인 ±1% -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW TO-236AB - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-BZX84-A27,215-954 1 900mV @ 10mA 50nA @ 18.9V 27V 80옴
PSMN2R8-25MLC115 NXP Semiconductors PSMN2R8-25MLC115 -
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ECAD 2760 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1
BZX884-C2V4315 NXP Semiconductors BZX884-C2V4315 -
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ECAD 2439 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
MRF1517NT1 NXP Semiconductors MRF1517NT1 4.3100
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ECAD 5 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 25V 표면 실장 PLD-1.5 - LDMOS PLD-1.5 - 2156-MRF1517NT1 70 N채널 4A 150mA 8W 14dB @ 520MHz - 7.5V
BAS16,215 NXP Semiconductors BAS16,215 -
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ECAD 3763 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101, BAS16 대부분 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS16 기준 TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BAS16,215-954 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 100V 1.25V @ 150mA 4ns 500nA @ 80V 150°C(최대) 215mA 1.5pF @ 0V, 1MHz
NMBT3906VL NXP Semiconductors NMBT3906VL 0.0200
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ECAD 400 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-NMBT3906VL-954 1
PMBT3906,215 NXP Semiconductors PMBT3906,215 0.0200
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ECAD 2 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBT3906 250mW TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PMBT3906,215-954 EAR99 8541.21.0095 1 40V 200mA 50nA(ICBO) PNP 400mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250MHz
2PD601ASL,235 NXP Semiconductors 2PD601ASL,235 -
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ECAD 7114 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2PD601 250mW TO-236AB 다운로드 EAR99 8541.21.0075 1 50V 100mA 10nA(ICBO) NPN 250mV @ 10mA, 100mA 290 @ 2mA, 10V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고