 
       | 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급업체 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 모델 지수 | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | 전압 - 출력(V(BR)GSS) | - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 저항 - RDS(켜짐) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | AFV10700HR5 | 537.6400 |  | 27 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 105V | 방역 | NI-780-4 | 960MHz ~ 1.215GHz | LDMOS(이중) | NI-780-4 | - | 2156-AFV10700HR5 | 1 | 2 N채널 | 1μA | 100mA | 700W | 19.2dB @ 1.03GHz | - | 52V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PDZ3.6B,115 | 0.0200 |  | 24 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-76, SOD-323 | 400mW | SOD-323 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PDZ3.6B,115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1V @ 100mA | 1V에서 5μA | 3.6V | 90옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | MMRF1304NR1 | 25.6700 |  | 410 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 133V | 표면 실장 | TO-270AA | 1.8MHz ~ 2GHz | LDMOS | TO-270-2 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-MMRF1304NR1 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 7μA | 10mA | 25W | 25.4dB | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BC846AW,115 | 0.0200 |  | 535 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | 200mW | SOT-323 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BC846AW,115-954 | 1 | 65V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 400mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PDTC124XM,315 | - |  | 2391 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SC-101, SOT-883 | PDTC124 | 250mW | DFN1006-3 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 50V | 100mA | 1μA | NPN - 사전 바이어스됨 | 500μA에서 150mV, 10mA | 80 @ 5mA, 5V | 22kΩ | 47kΩ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BZX84-A3V9,215 | 0.1000 |  | 6867 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ±1% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250mW | TO-236AB | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZX84-A3V9,215-954 | 1,304 | 900mV @ 10mA | 3μA @ 1V | 3.9V | 90옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PMEG6010CEH,115 | - |  | 6591 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SOD-123F | PMEG6010 | 쇼트키 | SOD-123F | - | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-PMEG6010CEH,115-954 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 60V | 660mV @ 1A | 60V에서 50μA | 150°C(최대) | 1A | 68pF @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PBLS4003D,115 | 0.0700 |  | 66 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | PBLS4003 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PBLS4003D,115-954 | 4,473 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BZX84J-B11,115 | 1.0000 |  | 7693 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-90, SOD-323F | 550mW | SOD-323F | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 1.1V @ 100mA | 100nA @ 8V | 11V | 10옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PZU4.3B2A,115 | - |  | 7770 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ±2% | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-76, SOD-323 | 320mW | SOD-323 | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-PZU4.3B2A,115-954 | 1 | 1.1V @ 100mA | 3μA @ 1V | 4.3V | 90옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PMDXB550UNE,147 | 0.0800 |  | 720 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PMDXB550UNE,147-954 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,878 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BZV55-B3V0,115 | 0.0200 |  | 86 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 200°C | 표면 실장 | DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 | 500mW | LLDS; 미니멜프 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZV55-B3V0,115-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 10μA @ 1V | 3V | 95옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BAT54SW,115 | 0.0200 |  | 21 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BAT54 | 쇼트키 | SOT-323 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BAT54SW,115-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 1쌍 직렬 연결 | 30V | 200mA | 800mV @ 100mA | 150°C(최대) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BC69-16PA,115 | 1.0000 |  | 8221 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-PowerUDFN | 69년 | 420mW | 3-휴슨(2x2) | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 20V | 2A | 100nA(ICBO) | PNP | 600mV @ 200mA, 2A | 100 @ 500mA, 1V | 140MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PMCXB900UEZ | 0.0800 |  | 1 | 0.00000000 | NXP 반도체 | TrenchFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-XFDFN 옆형 패드 | PMCXB900 | MOSFET(금속) | 265mW | DFN1010B-6 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,557 | N 및 P 채널 보완 | 20V | 600mA, 500mA | 620m옴 @ 600mA, 4.5V | 250μA에서 950mV | 0.7nC @ 4.5V | 21.3pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PDTC123YMB,315 | 0.0300 |  | 99 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | PDTC123 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PDTC123YMB,315-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 1N4737A,133 | - |  | 5624 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AL, DO-41, 축방향 | 1N4737 | 1W | DO-41 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2V @ 200mA | 5V에서 10μA | 7.5V | 4옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BZV90-C51,115 | - |  | 8346 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | 1.5W | SOT-223 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1V @ 50mA | 50nA @ 35.7V | 51V | 180옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PMBF4391 | 0.8700 |  | 22 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250mW | TO-236AB | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 요청 시 REACH 정보 제공 | 2832-PMBF4391TR | EAR99 | 8541.21.0080 | 575 | N채널 | 40V | 14pF @ 20V | 40V | 20V에서 50mA | 4V @ 1nA | 30옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BZV55-B6V8,115 | 0.0200 |  | 67 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 200°C | 표면 실장 | DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 | 500mW | LLDS; 미니멜프 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZV55-B6V8,115-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 2μA @ 4V | 6.8V | 15옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BAW56W135 | - |  | 7176 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | BAW56W | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | TDZ5V6J135 | 0.0300 |  | 18 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101, TDZxJ | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±1.96% | -55°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-90, SOD-323F | TDZ5V6 | 500mW | SOD-323F | - | RoHS 비준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-TDZ5V6J135 | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,414 | 1.1V @ 100mA | 2.5V에서 10μA | 5.6V | 40옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BZX84-A27,215 | - |  | 1887년 | 0.00000000 | NXP 반도체 | BZX84 | 대부분 | 활동적인 | ±1% | -65°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250mW | TO-236AB | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-BZX84-A27,215-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 50nA @ 18.9V | 27V | 80옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PSMN2R8-25MLC115 | - |  | 2760 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BZX884-C2V4315 | - |  | 2439 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | MRF1517NT1 | 4.3100 |  | 5 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 25V | 표면 실장 | PLD-1.5 | - | LDMOS | PLD-1.5 | - | 2156-MRF1517NT1 | 70 | N채널 | 4A | 150mA | 8W | 14dB @ 520MHz | - | 7.5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BAS16,215 | - |  | 3763 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101, BAS16 | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS16 | 기준 | TO-236AB | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BAS16,215-954 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 100V | 1.25V @ 150mA | 4ns | 500nA @ 80V | 150°C(최대) | 215mA | 1.5pF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | NMBT3906VL | 0.0200 |  | 400 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-NMBT3906VL-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PMBT3906,215 | 0.0200 |  | 2 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PMBT3906 | 250mW | TO-236AB | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PMBT3906,215-954 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 40V | 200mA | 50nA(ICBO) | PNP | 400mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 2PD601ASL,235 | - |  | 7114 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2PD601 | 250mW | TO-236AB | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 100mA | 10nA(ICBO) | NPN | 250mV @ 10mA, 100mA | 290 @ 2mA, 10V | 100MHz | 

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

전세계 제조업체

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