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이산친구(1062)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 그들 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 내구성 인증(암페어) 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 현재 - 역방향 위치 @ Vr 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 테스트 - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
PDTC114TT,215 NXP Semiconductors PDTC114TT,215 0.0200
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 ECAD 570 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PDTC114TT,215-954 1
BZV55-C3V0,115 NXP Semiconductors BZV55-C3V0,115 0.0200
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 ECAD 210 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-C3V0,115-954 1 900mV @ 10mA 10μA @ 1V 3V 95옴
MRF6VP3450HR5 NXP Semiconductors MRF6VP3450HR5 230.3700
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 ECAD 497 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 110V 방역 NI-1230 470MHz ~ 860MHz LDMOS NI-1230 다운로드 RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-MRF6VP3450HR5 EAR99 8541.29.0075 1 더블, 세션 소스 10μA 1.4A 450W 22.5dB - 50V
PBSS304PZ,135 NXP Semiconductors PBSS304PZ,135 0.1900
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 ECAD 38 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA 2W SOT-223 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PBSS304PZ,135-954 EAR99 8541.21.0095 1 60V 4.5A 100nA(ICBO) PNP 375mV @ 225mA, 4.5A 150 @ 2A, 2V 130MHz
NX138BKR NXP Semiconductors NX138BKR 1.0000
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 ECAD 3178 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET(금속) TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-NX138BKR-954 EAR99 8541.21.0095 1 N채널 60V 265mA(타) 2.5V, 10V 3.5옴 @ 200mA, 10V 250μA에서 1.5V 0.49nC @ 4.5V ±20V 20.2pF @ 30V - 310mW(타)
PDTC144TM,315 NXP Semiconductors PDTC144TM,315 0.0200
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 ECAD 38 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 PDTC144 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PDTC144TM,315-954 15,000
PZU5.6B3,115 NXP Semiconductors PZU5.6B3,115 0.0300
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 ECAD 4529 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F 310mW SOD-323F 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PZU5.6B3,115-954 EAR99 8541.10.0050 1 1.1V @ 100mA 2.5V에서 1μA 5.6V 40옴
PUMB15,115 NXP Semiconductors PUMB15,115 -
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 ECAD 7596 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMB15 300mW 6-TSSOP 다운로드 0000.00.0000 1 50V 100mA 1μA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 500μA에서 150mV, 10mA 30 @ 10mA, 5V - 4.7k옴 4.7k옴
BZV55-C6V8,135 NXP Semiconductors BZV55-C6V8,135 0.0200
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 ECAD 50 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-C6V8,135-954 1 900mV @ 10mA 2μA @ 4V 6.8V 15옴
BZB84-B13,215 NXP Semiconductors BZB84-B13,215 -
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 ECAD 5137 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-B13 300mW TO-236AB 다운로드 0000.00.0000 1 1쌍 구역 900mV @ 10mA 100nA @ 8V 13V 30옴
BZX84J-C11,115 NXP Semiconductors BZX84J-C11,115 -
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 ECAD 3413 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±5% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-90, SOD-323F 550mW SC-90 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-BZX84J-C11,115-954 1 1.1V @ 100mA 100nA @ 8V 11V 10옴
NZX33B,133 NXP Semiconductors NZX33B,133 0.0200
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 ECAD 79 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -55°C ~ 175°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 500mW ALF2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-NZX33B,133-954 1 1.5V @ 200mA 50nA @ 23.1V 33V 120옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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