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이산친구(1062)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 그들 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 내구성 인증(암페어) 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 모델 지수 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 현재 - 역방향 위치 @ Vr 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 테스트 - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
BC856W,115 NXP Semiconductors BC856W,115 0.0200
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 ECAD 341 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 BC856 200mW SOT-323 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BC856W,115-954 1 65V 100mA 15nA(ICBO) PNP 600mV @ 5mA, 100mA 125 @ 2mA, 5V 100MHz
CLF1G0035-200P NXP Semiconductors CLF1G0035-200P -
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 ECAD 2878 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-CLF1G0035-200P-954 EAR99 8541.29.0095 1
BZX84-B20,215 NXP Semiconductors BZX84-B20,215 -
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 ECAD 1267 0.00000000 NXP 반도체 BZX84 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW TO-236AB - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-BZX84-B20,215-954 1 900mV @ 10mA 14V에서 50nA 20V 55옴
PHPT610035PKX NXP Semiconductors PHPT610035PKX -
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 ECAD 3836 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 PHPT610035 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PHPT610035PKX-954 EAR99 8541.29.0075 1
BZV55-B3V6,115 NXP Semiconductors BZV55-B3V6,115 0.0200
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 ECAD 218 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-B3V6,115-954 1 900mV @ 10mA 1V에서 5μA 3.6V 90옴
BZX884-C13,315 NXP Semiconductors BZX884-C13,315 -
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 ECAD 7950 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-882 BZX884-C13 250mW DFN1006-2 다운로드 0000.00.0000 1 900mV @ 10mA 100nA @ 8V 13V 10옴
BC68-25PASX NXP Semiconductors BC68-25PASX 0.0700
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 ECAD 85 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-UDFN 옆패드 420mW DFN2020D-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BC68-25PASX-954 EAR99 8541.21.0075 1 20V 2A 100nA(ICBO) NPN 600mV @ 200mA, 2A 85 @ 500mA, 1V 170MHz
BZT52H-B16,115 NXP Semiconductors BZT52H-B16,115 -
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 ECAD 2958 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C(타) 표면 실장 SOD-123F 375mW SOD-123F - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-BZT52H-B16,115-954 1 900mV @ 10mA 11.2V에서 50nA 16V 20옴
PMBTA14,215 NXP Semiconductors PMBTA14,215 0.0400
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 ECAD 99 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PMBTA14,215-954 7,378 30V 500mA 100nA(ICBO) NPN-달링턴 1.5V @ 100μA, 100mA 20000 @ 100mA, 5V 125MHz
BZX884-C4V3,315 NXP Semiconductors BZX884-C4V3,315 0.0300
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 ECAD 16 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-882 250mW DFN1006-2 - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX884-C4V3,315-954 EAR99 8541.10.0050 1 900mV @ 10mA 3μA @ 1V 4.3V 90옴
BZV90-C6V2,115 NXP Semiconductors BZV90-C6V2,115 0.1600
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 ECAD 4 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA 1.5W SOT-223 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV90-C6V2,115-954 1 1V @ 50mA 4V에서 3μA 6.2V 10옴
BZX79-C47,143 NXP Semiconductors BZX79-C47,143 0.0200
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 ECAD 175 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 400mW ALF2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX79-C47,143-954 1 900mV @ 10mA 50nA @ 700mV 47V 170옴
PBSS4240XF NXP Semiconductors PBSS4240XF -
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 ECAD 9139 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 500mW SOT-89 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PBSS4240XF-954 EAR99 8541.21.0095 1 40V 2A 100nA(ICBO) NPN 140mV @ 50mA, 500mA 300 @ 500mA, 5V 150MHz
BZV55-C56,115 NXP Semiconductors BZV55-C56,115 0.0200
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 ECAD 37 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-C56,115-954 EAR99 8541.10.0050 1 900mV @ 10mA 50nA @ 39.2V 56V 200옴
PBSS4612PA,115 NXP Semiconductors PBSS4612PA,115 0.1000
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 ECAD 77 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-PowerUDFN 2.1W 3-휴슨(2x2) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PBSS4612PA,115-954 1 12V 6A 100nA NPN 275mV @ 300mA, 6A 260 @ 2A, 2V 80MHz
PDTA114EE,115 NXP Semiconductors PDTA114EE,115 -
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 ECAD 9293 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-PDTA114EE,115-954 1
BZV85-C6V8,133 NXP Semiconductors BZV85-C6V8,133 0.0300
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 ECAD 5093 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 1.3W DO-41 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV85-C6V8,133-954 3,375 1V @ 50mA 2μA @ 4V 6.8V 3.5옴
BZV55-C11,115 NXP Semiconductors BZV55-C11,115 0.0200
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 ECAD 284 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-C11,115-954 1 900mV @ 10mA 100nA @ 8V 11V 20옴
BC55-10PA,115 NXP Semiconductors BC55-10PA,115 1.0000
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 ECAD 5909 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-PowerUDFN 650mW 3-휴슨(2x2) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BC55-10PA,115-954 1 60V 1A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 500mA 63 @ 150mA, 2V 180MHz
PHPT61010PYX NXP Semiconductors PHPT61010PYX -
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 ECAD 1462 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 SC-100, SOT-669 1.5W LFPAK56, 전원-SO8 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PHPT61010PYX-954 EAR99 8541.29.0075 1 100V 10A 100nA PNP 800mV @ 1A, 10A 180 @ 500mA, 2V 90MHz
BZT52-C33X NXP Semiconductors BZT52-C33X -
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 ECAD 9569 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101, BZT52 대부분 활동적인 ±6.06% 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-123 350mW SOD-123 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-BZT52-C33X-954 1 900mV @ 10mA 50nA @ 23.1V 33V 40옴
2PD2150,115 NXP Semiconductors 2PD2150,115 0.0800
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 ECAD 8 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2W SOT-89 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-2PD2150,115-954 EAR99 8541.29.0075 1 20V 3A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 100mA, 2A 180 @ 100mA, 2V 220MHz
TDZ22J,115 NXP Semiconductors TDZ22J,115 0.0300
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 ECAD 42 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101, TDZxJ 대부분 활동적인 ±2% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F TDZ22 500mW SOD-323F 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-TDZ22J,115-954 10,414 1.1V @ 100mA 15.4V에서 50nA 22V 25옴
BC847CW,115 NXP Semiconductors BC847CW,115 -
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 ECAD 5099 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 200mW SOT-323 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BC847CW,115-954 1 45V 100mA 15nA(ICBO) NPN 400mV @ 5mA, 100mA 420 @ 2mA, 5V 100MHz
BLM7G1822S-20PBY NXP Semiconductors BLM7G1822S-20PBY 22.8800
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 ECAD 1 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BLM7G1822S-20PBY-954 14
BZV85-C5V1,113 NXP Semiconductors BZV85-C5V1,113 0.0300
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 ECAD 80 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% 200°C 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 1W DO-41 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV85-C5V1,113-954 1 1V @ 50mA 3μA @ 2V 5.1V 10옴
BCV61A,215 NXP Semiconductors BCV61A,215 0.0800
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 ECAD 47 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BCV61A,215-954 1
PBSS5320D,115 NXP Semiconductors PBSS5320D,115 0.0600
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 ECAD 23 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-74, SOT-457 750mW 6-TSOP 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PBSS5320D,115-954 1 20V 3A 100nA(ICBO) PNP 400mV @ 300mA, 3A 150 @ 2A, 2V 100MHz
MRF6VP11KGSR5 NXP Semiconductors MRF6VP11KGSR5 271.3200
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 ECAD 2 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 110V 표면 실장 NI-1230-4S GW 1.8MHz ~ 150MHz LDMOS(이중) NI-1230-4S 갈매기 - 2156-MRF6VP11KGSR5 2 2 N채널 100μA 150mA 1000W 26dB @ 130MHz - 50V
BSR41,115 NXP Semiconductors BSR41,115 0.1900
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 ECAD 25 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 1.35W SOT-89 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BSR41,115-954 1 60V 1A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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