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이산친구(1062)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	전압 - 정격	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	그들	기술	파워 - 최대	구조	공급자 장치	데이터 시트	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	내구성 인증(암페어)	전류 - 유지(Ih)(최대)	현재 - 테스트	전력 - 출력	얻다	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - 꺼진 상태	현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대)	전압 - 수채화(Vgt)(최대)	현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm)	메모리 - 메모리(Igt)(최대)	현재 - 충전상태(It(AV))(최대)	모델 지수	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	SCR, 다이오드 수	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	전압 - 테스트	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
BZX79-B43,133	-	보상요청	4691	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±2%		-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향	BZX79-B43			400mW		ALF2	다운로드					0000.00.0000	1																											900mV @ 10mA	50nA @ 30.1V									43V	150옴
BC846BW/ZLF	0.0200	보상요청	160	NXP 반도체	-	대부분	활동적인				표면 실장	6-TSSOP, SC-88, SOT-363						6-TSSOP	다운로드	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BC846BW/ZLF-954			1
1N4740A,133	0.0300	보상요청	83	NXP 반도체	*	대부분	활동적인												다운로드	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-1N4740A,133-954			1
PMBT4403YSX	0.0300	보상요청	300	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250mW		TO-236AB	다운로드	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMBT4403YSX-954	EAR99	8541.21.0075	10,414																																	40V	600mA		50nA(ICBO)			PNP	750mV @ 50mA, 500mA	100 @ 10mA, 1V	200MHz
BZV90-C3V0,115	0.1500	보상요청	2	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%		-65°C ~ 150°C	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA				1.5W		SOT-223	다운로드	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZV90-C3V0,115-954	EAR99	8541.10.0050	1																											1V @ 50mA	10μA @ 1V									3V	95옴
BZX79-C56,113	0.0200	보상요청	400	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%		-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향				400mW		ALF2	다운로드	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX79-C56,113-954			1																											900mV @ 10mA	50nA @ 39.2V									56V	200옴
CLF1G0035-200P	-	보상요청	2878	NXP 반도체	*	대부분	활동적인												다운로드	공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-CLF1G0035-200P-954	EAR99	8541.29.0095	1
A2T18H455W23NR6	162.2600	보상요청	153	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		65V		표면 실장	OM-1230-4L2S		1.805GHz ~ 1.88GHz	LDMOS			OM-1230-4L2S	-			2156-A2T18H455W23NR6			2	N채널			10μA		1.08A	87W	14.5dB @ 1.805GHz																	-										31.5V
PSMN035-150B,118	-	보상요청	3385	NXP 반도체	트렌치모스™	대부분	활동적인			-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)			D2PAK	다운로드	공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PSMN035-150B,118-954	EAR99	8541.29.0095	1			N채널						150V	50A(Tc)	10V	35m옴 @ 25A, 10V	4V @ 1mA	79nC @ 10V	±20V	4720pF @ 25V	-	250W(Tc)
PBSS4260PANPSX	-	보상요청	1672년	NXP 반도체	*	대부분	활동적인												다운로드	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PBSS4260PANPSX-954	EAR99	8541.21.0075	1
BZB84-B12,215	-	보상요청	2966	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±2%		-	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				300mW		SOT-23	다운로드					0000.00.0000	1	1쌍 구역																										900mV @ 10mA	100nA @ 8V									12V	25옴
BC856W,115	0.0200	보상요청	341	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			150°C (TJ)	표면 실장	SC-70, SOT-323	BC856			200mW		SOT-323	다운로드	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BC856W,115-954			1																																	65V	100mA		15nA(ICBO)			PNP	600mV @ 5mA, 100mA	125 @ 2mA, 5V	100MHz
BZX84-A16,215	0.1000	보상요청	4	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	±1%		-65°C ~ 150°C	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250mW		TO-236AB	다운로드	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX84-A16,215-954	EAR99	8541.10.0050	1																											900mV @ 10mA	50nA @ 700mV									16V	40옴
PMEG1020EV,115	0.0600	보상요청	264	NXP 반도체	-	대부분	활동적인				표면 실장	SOT-563, SOT-666			쇼트키			SOT-666	다운로드	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMEG1020EV,115-954			4,991		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																								10V	460mV @ 2A	10V에서 3mA	150°C(최대)	2A	45pF @ 5V, 1MHz
PDTA144WU,115	0.0200	보상요청	162	NXP 반도체	*	대부분	활동적인												다운로드	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PDTA144WU,115-954		0000.00.0000	1
BZV85-C6V2,133	0.0400	보상요청	96	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%		-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AL, DO-41, 축방향				1W		DO-41	다운로드	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZV85-C6V2,133-954			1																											1V @ 50mA	2μA @ 3V									6.2V	4옴
BUK9614-60E,118	-	보상요청	1845년	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™	대부분	활동적인			-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)			D2PAK	다운로드	공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BUK9614-60E,118-954			1			N채널						60V	56A(티씨)	5V	12.8m옴 @ 15A, 10V	2.1V @ 1mA	20.5nC @ 5V	±10V	25V에서 2651pF	-	96W(Tc)
BZX79-B2V7,143	0.0200	보상요청	80	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±2%		-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향				400mW		ALF2	다운로드	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX79-B2V7,143-954			1																											900mV @ 10mA	20μA @ 1V									2.7V	100옴
AFV10700HSR5178	538.8700	보상요청	50	NXP 반도체	*	대부분	활동적인												다운로드	공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-AFV10700HSR5178-954			1
TD600N16KOFTIMHPSA1	332.0700	보상요청	2	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			125°C (TJ)	방역	기준기준					직렬 연결 - SCR/다이오드		-			2156-TD600N16KOFTIMHPSA1			1					300mA														1.6kV	1050A	2V	21000A @ 50Hz	250mA	600A								SCR 1개, 다이오드 1개
PMK50XP,518	0.1000	보상요청	56	NXP 반도체	트렌치모스™	대부분	활동적인			-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)			MOSFET(금속)			8-SO	다운로드	2(1년)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMK50XP,518-954			1			P채널						20V	7.9A(Tc)	4.5V	50m옴 @ 2.8A, 4.5V	250μA에서 950mV	10nC @ 4.5V	±12V	1020pF @ 20V	-	5W(Tc)
BZV85-C8V2,133	0.0300	보상요청	66	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%		-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AL, DO-41, 축방향				1.3W		DO-41	다운로드	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZV85-C8V2,133-954			1																											1V @ 50mA	700nA @ 5V									8.2V	5옴
BZB784-C2V7,115	0.0300	보상요청	75	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%		-	표면 실장	SC-70, SOT-323				180mW		SOT-323	다운로드	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZB784-C2V7,115-954	EAR99	8541.10.0050	1	1쌍 구역																										900mV @ 10mA	20μA @ 1V									2.7V	100옴
BC856BMYL	0.0200	보상요청	15	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			150°C (TJ)	표면 실장	SC-101, SOT-883	BC856			250mW		SOT-883	다운로드	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BC856BMYL-954	EAR99	8541.21.0075	15,560																																	60V	100mA		15nA(ICBO)			PNP	500μA, 10mA에서 200mV	220 @ 2mA, 5V	100MHz
BUK663R2-40C,118	0.5000	보상요청	724	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™	대부분	활동적인			-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)			D2PAK	다운로드	공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BUK663R2-40C,118-954			1			N채널						40V	100A(Tc)	10V	3.2m옴 @ 25A, 10V	2.8V @ 1mA	125nC @ 10V	±16V	8020pF @ 25V	-	204W(Tc)
BZV85-C43,133	-	보상요청	7382	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%		-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AL, DO-41, 축방향				1.3W		DO-41	다운로드					0000.00.0000	1																											1V @ 50mA	30V에서 50nA									43V	75옴
BZX79-C56,143	0.0200	보상요청	367	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%		-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향				400mW		ALF2	다운로드	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX79-C56,143-954			1																											900mV @ 10mA	50nA @ 39.2V									56V	200옴
PDTA143XU,115	0.0200	보상요청	742	NXP 반도체	*	대부분	활동적인												다운로드	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PDTA143XU,115-954			1
PDTA144VU,115	0.0200	보상요청	117	NXP 반도체	*	대부분	활동적인												다운로드	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PDTA144VU,115-954			1
PBSS4230T,215	1.0000	보상요청	9776	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				480mW		TO-236AB	다운로드	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PBSS4230T,215-954	EAR99	8541.21.0075	1																																	30V	2A		100nA(ICBO)			NPN	320mV @ 200mA, 2A	300 @ 1A, 2V	230MHz

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

이산친구(1062)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²