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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 트리 트리 유형 | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 노이즈 노이즈 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | BZX884-B24,315 | - | ![]() | 1145 | 0.00000000 | nxp 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-BZX884-B24,315-954 | 1 | 900 mV @ 10 ma | 50 NA @ 16.8 v | 24 v | 70 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | pmpb23xnez | 0.1000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | MOSFET (금속 (() | DFN2020MD-6 | 다운로드 | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-PMPB23XNEZ | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,600 | n 채널 | 20 v | 7A (TA) | 1.8V, 4.5V | 22mohm @ 7a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 17 NC @ 4.5 v | ± 12V | 1136 pf @ 10 v | - | 1.7W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | pumb2,115 | 0.0200 | ![]() | 77 | 0.00000000 | nxp 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | pumb2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-Pumb2,115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | PBSS4230T, 215 | 1.0000 | ![]() | 9776 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 480 MW | TO-236AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-PBSS4230T, 215-954 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 v | 2 a | 100NA (ICBO) | NPN | 320mv @ 200ma, 2a | 300 @ 1a, 2v | 230MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BC847CMB, 315 | - | ![]() | 4081 | 0.00000000 | nxp 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | BC847 | 250 MW | DFN1006B-3 | - | 0000.00.0000 | 1 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 200MV @ 500µA, 10MA | 420 @ 2MA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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일일 평균 RFQ 볼륨
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