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이산친구(1062)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	전압 - 정격	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	그들	기술	파워 - 최대	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	내구성 인증(암페어)	현재 - 테스트	전력 - 출력	얻다	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	모델 지수	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	전압 - 테스트	다이오드	전압 - 역방향(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	모델 지수(dB 일반 @ f)	냄비에	냄비를 조건으로	Q@VR, F
BZB84-C2V4,215	-	보상요청	2536	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%		-	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZB84-C2V4			300mW	TO-236AB	다운로드						0000.00.0000	1	1쌍 구역																			900mV @ 10mA		50μA @ 1V										2.4V	100옴
BZV85-C5V1,133	0.0400	보상요청	46	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%		200°C	스루홀	DO-204AL, DO-41, 축방향				1W	DO-41	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZV85-C5V1,133-954			1																				1V @ 50mA		3μA @ 2V										5.1V	10옴
BAT17,215	0.0700	보상요청	32	NXP 반도체	*	대부분	활동적인											다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BAT17,215-954		0000.00.0000	1
BZT52H-B36,115	-	보상요청	4246	NXP 반도체	BZT52H	대부분	활동적인	±1.94%		150°C (TJ)	표면 실장	SOD-123F				375mW	SOD-123F	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-BZT52H-B36,115-954			1																				900mV @ 10mA		50nA @ 25.2V										36V	60옴
BZT52H-C5V6,115	0.0200	보상요청	84	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	±5%		-65°C ~ 150°C(타)	표면 실장	SOD-123F	BZT52			375mW	SOD-123F	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZT52H-C5V6,115-954			1																				900mV @ 10mA		1μA @ 2V										5.6V	40옴
BCW89,215	0.0200	보상요청	142	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCW89			250mW	TO-236AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BCW89,215-954			1																										60V	100mA				100nA(ICBO)			PNP	150mV @ 2.5mA, 50mA	120 @ 2mA, 5V	150MHz
PMZB950UPEL315	0.0500	보상요청	54	NXP 반도체	*	대부분	활동적인											다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	공급자가 규정하지 않는 경우	2156-PMZB950UPEL315-954			1
PBSS5630PA,115	0.1100	보상요청	1	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			150°C (TJ)	표면 실장	3-PowerUDFN				2.1W	3-휴슨(2x2)	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PBSS5630PA,115-954			1																										30V	6A				100nA			PNP	350mV @ 300mA, 6A	190 @ 2A, 2V	80MHz
BZX84-C24,215	0.0200	보상요청	469	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	±5%		-65°C ~ 150°C	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250mW	TO-236AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX84-C24,215-954			1																				900mV @ 10mA		16.8V에서 50nA										24V	70옴
BB208-03,135	-	보상요청	1101	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우			-55°C ~ 125°C (TJ)	표면 실장	SC-76, SOD-323					SOD-323	-				2156-BB208-03,135			1																									5.4pF @ 7.5V, 1MHz				하나의	10V									5.2	C1/C7.5	-
NX3008NBKSH	-	보상요청	3171	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			MOSFET(금속)	280mW(Ta), 990mW(Tc)	6-TSSOP	-				2156-NX3008NBKSH			1	2 N채널							30V	350mA(타)		1.4옴 @ 350mA, 4.5V	1.1V @ 250μA	0.68nC @ 4.5V		50pF @ 15V	기준
PHP29N08T,127	0.5400	보상요청	24	NXP 반도체	트렌치모스™	대부분	활동적인			-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드		해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PHP29N08T,127-954			600			N채널					75V	27A (Tc)	11V	50m옴 @ 14A, 11V	5V @ 2mA	19nC @ 10V	±30V	25V에서 810pF	-	88W(Tc)
BZV49-C2V7,115	0.1700	보상요청	16	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%		-65°C ~ 150°C	표면 실장	TO-243AA				1W	SOT-89	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZV49-C2V7,115-954			1																				1V @ 50mA		20μA @ 1V										2.7V	100옴
PDZ27BGWX	-	보상요청	4669	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101, PDZ-GW	대부분	활동적인	±2%		150°C (TJ)	표면 실장	SOD-123				365mW	SOD-123	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-PDZ27BGWX-954			1																				1.1V @ 100mA		50nA @ 21V										27V	40옴
MMRF5014HR5	523.3200	보상요청	17	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		125V		방역	NI-360H-2SB		1MHz ~ 2.7GHz	N채널		NI-360H-2SB	-				2156-MMRF5014HR5			1	N채널			5mA	350mA	125W	18dB @ 2.5GHz											-										50V
PMEG100T20ELPX	-	보상요청	3587	NXP 반도체	-	대부분	활동적인				표면 실장	SOD-128			쇼트키		SOD-128/CFP5	-				2156-PMEG100T20ELPX			1		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																	100V	800mV @ 2A	12ns	100V에서 1.25μA	175°C	2A	200pF @ 1V, 1MHz
PHN203,518	0.2500	보상요청	2	NXP 반도체	*	대부분	활동적인											다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PHN203,518-954			1
PBHV8115T,215	0.0900	보상요청	1	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				300mW	TO-236AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PBHV8115T,215-954			1																										150V	1A				100nA			NPN	350mV @ 200mA, 1A	50 @ 500mA, 10V	30MHz
BZX79-B8V2,113	0.0200	보상요청	130	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±2%		-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향				400mW	ALF2	다운로드					EAR99	8541.10.0050	1																				900mV @ 10mA		700nA @ 5V										8.2V	15옴
BUK6E4R0-75C,127	1.0200	보상요청	19	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™	대부분	활동적인			-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA			MOSFET(금속)		I2PAK	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BUK6E4R0-75C,127-954			1			N채널					75V	120A(Tc)	4.5V, 10V	4.2m옴 @ 25A, 10V	2.8V @ 1mA	234nC @ 10V	±16V	25V에서 15450pF	-	306W(Tc)
PMCM4401VNE/S500Z	-	보상요청	1093	NXP 반도체	*	대부분	활동적인											다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMCM4401VNE/S500Z-954			1
BUK7660-100A,118	0.5500	보상요청	4	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™	대부분	활동적인			-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BUK7660-100A,118-954			1			N채널					100V	26A(TC)	10V	60m옴 @ 15A, 10V	4V @ 1mA		±20V	25V에서 1377pF	-	106W(Tc)
PMEG2010AEJ,115	-	보상요청	3718	NXP 반도체	-	대부분	활동적인				표면 실장	SC-90, SOD-323F			쇼트키		SOD-323F	-				2156-PMEG2010AEJ,115			1		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																	20V	550mV @ 1A		20V에서 70μA	150°C	1A	40pF @ 1V, 1MHz
BFU768F,115	0.1600	보상요청	14	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우			150°C (TJ)	표면 실장	SOT-343F				220mW	4-DFP	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-BFU768F,115	EAR99	8541.21.0075	1							13.1dB																			2.8V	70mA							NPN		155 @ 10mA, 2V	110GHz	1.1dB ~ 1.2dB @ 5GHz ~ 5.9GHz
BZV55-C10,135	0.0200	보상요청	130	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%		-65°C ~ 200°C (TJ)	표면 실장	DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80				500mW	LLDS; 미니멜프	다운로드			REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZV55-C10,135-954			1																				900mV @ 10mA		200nA @ 7V										10V	20옴
PSMN7R0-100PS,127	-	보상요청	9099	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			-	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드		해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PSMN7R0-100PS,127-954			1			N채널					100V	100A(Tc)	10V	12m옴 @ 15A, 10V	4V @ 1mA	125nC @ 10V	±20V	50V에서 6686pF	-	269W(Tc)
BC53-16PASX	-	보상요청	3565	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			150°C (TJ)	표면 실장	3-UDFN 옆패드				420mW	DFN2020D-3	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BC53-16PASX-954	EAR99	8541.21.0075	1																										80V	1A				100nA(ICBO)			PNP	500mV @ 50mA, 500mA	63 @ 150mA, 2V	145MHz
BCM847BV,115	-	보상요청	9326	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			150°C (TJ)	표면 실장	SOT-563, SOT-666	BCM847			300mW	SOT-666	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BCM847BV,115-954			1																										45V	100mA				15nA(ICBO)			2 NPN(이중)일치쌍	400mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2mA, 5V	250MHz
BZX84-B16,215	0.0200	보상요청	26	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	±2%		-65°C ~ 150°C	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250mW	TO-236AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX84-B16,215-954	EAR99	8541.10.0050	1																				900mV @ 10mA		11.2V에서 50nA										16V	40옴
BC848B,235	-	보상요청	4135	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250mW	TO-236AB	다운로드						0000.00.0000	1																										30V	100mA				15nA(ICBO)			NPN	600mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2mA, 5V	100MHz

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

이산친구(1062)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²