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이산친구(1062)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	전압 - 정격	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	그들	기술	파워 - 최대	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	내구성 인증(암페어)	현재 - 테스트	전력 - 출력	얻다	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	모델 지수	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	현재 - 역방향 위치 @ Vr	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	전압 - 테스트	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)
BC859BW,115	-	보상요청	4466	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			150°C (TJ)	표면 실장	SC-70, SOT-323				200mW	SOT-323	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BC859BW,115-954			1																				30V	100mA		15nA(ICBO)			PNP	650mV @ 5mA, 100mA	220 @ 2mA, 5V	100MHz
BLC6G27LS-100,118	563.3800	보상요청	100	NXP 반도체	*	대부분	활동적인											다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BLC6G27LS-100,118-954			1
BZT52H-C22,115	0.0200	보상요청	60	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	±5%		-65°C ~ 150°C(타)	표면 실장	SOD-123F	BZT52			375mW	SOD-123F	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZT52H-C22,115-954			1																		900mV @ 10mA	15.4V에서 50nA					22V	25옴
PSMN2R0-60PS,127	1.0000	보상요청	5598	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	PSMN2R0		MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드		해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PSMN2R0-60PS,127-954			1		N채널					60V	120A(Tc)	10V	2.2m옴 @ 25A, 10V	4V @ 1mA	137nC @ 10V	±20V	9997pF @ 30V	-	338W(Tc)
BZX585-C20,115	1.0000	보상요청	8197	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%		-65°C ~ 150°C	표면 실장	SC-79, SOD-523				300mW	SOD-523	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX585-C20,115-954	EAR99	8541.10.0050	1																		1.1V @ 100mA	14V에서 50nA					20V	55옴
TDZ27J,115	1.0000	보상요청	9840	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101, TDZxJ	대부분	활동적인	±2%		-55°C ~ 150°C	표면 실장	SC-90, SOD-323F	TDZ27			500mW	SOD-323F	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-TDZ27J,115-954	EAR99	8541.10.0050	1																		1.1V @ 100mA	50nA @ 18.9V					27V	40옴
MW7IC930NR1	59.9800	보상요청	2	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		65V		표면 실장	TO-270-16 변형, 편평형		920MHz ~ 960MHz	LDMOS(이중)		TO-270WB-16	-				2156-MW7IC930NR1	EAR99	8542.33.0001	6	2 N채널		10μA	285mA	3.2W	35.9dB											-					28V
BZX585-C62,115	0.0300	보상요청	96	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%		-65°C ~ 150°C	표면 실장	SC-79, SOD-523				300mW	SOD-523	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX585-C62,115-954			10,764																		1.1V @ 100mA	43.4V에서 50nA					62V	215옴
BC857CMB,315	0.0200	보상요청	178	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			150°C (TJ)	표면 실장	3-XFDFN	BC857			250mW	DFN1006B-3	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BC857CMB,315-954	EAR99	8541.21.0075	1																				45V	100mA		15nA(ICBO)			PNP	500μA, 10mA에서 300mV	420 @ 2mA, 5V	100MHz
BZT52H-C6V8,115	0.0200	보상요청	150	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	±5%		-65°C ~ 150°C(타)	표면 실장	SOD-123F	BZT52			375mW	SOD-123F	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZT52H-C6V8,115-954			1																		900mV @ 10mA	2μA @ 4V					6.8V	8옴
BZX79-C2V4,133	0.0200	보상요청	339	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%		-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향				400mW	ALF2	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX79-C2V4,133-954			1																		900mV @ 10mA	50μA @ 1V					2.4V	100옴
PUMB19,115	1.0000	보상요청	7660	NXP 반도체	-	대부분	활동적인				표면 실장	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PUMB19			300mW	6-TSSOP	다운로드						0000.00.0000	1																				50V	100mA		1μA			2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)	500μA에서 150mV, 10mA	100 @ 1mA, 5V	-	22kΩ	-
PSMN015-100B,118	0.8000	보상요청	3	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우			-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK	다운로드	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-PSMN015-100B,118-954	EAR99	8541.29.0075	407		N채널					100V	75A(타)	10V	15m옴 @ 25A, 10V	4V @ 1mA	90nC @ 10V	±20V	25V에서 4900pF	-	300W(타)
BZV55-C16,115	0.0200	보상요청	75	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%		-65°C ~ 200°C	표면 실장	DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80				500mW	LLDS; 미니멜프	다운로드			REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZV55-C16,115-954			1																		900mV @ 10mA	11.2V에서 50nA					16V	40옴
PBSS4130QAZ	0.0700	보상요청	243	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			150°C (TJ)	표면 실장	3-XDFN옆패드				325mW	DFN1010D-3	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PBSS4130QAZ-954	EAR99	8541.29.0075	1																				30V	1A		100nA(ICBO)			NPN	245mV @ 50mA, 1A	180 @ 1A, 2V	190MHz
PDTD123YQAZ	0.0300	보상요청	24	NXP 반도체	*	대부분	활동적인						PDTD123					다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PDTD123YQAZ-954	EAR99	8541.21.0075	1
PBSS4620PA,115	-	보상요청	5876	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			150°C (TJ)	표면 실장	3-PowerUDFN				2.1W	3-휴슨(2x2)	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PBSS4620PA,115-954			1																				20V	6A		100nA			NPN	275mV @ 300mA, 6A	260 @ 2A, 2V	80MHz
PDTC114EM,315	-	보상요청	8997	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인				표면 실장	SC-101, SOT-883				250mW	DFN1006-3	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-PDTC114EM,315-954			1																				50V	100mA		1μA			NPN - 사전 바이어스됨	500μA에서 150mV, 10mA	30 @ 5mA, 5V	230MHz	10kΩ	10kΩ
PSMN8R5-100ESFQ	0.6900	보상요청	1	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA			MOSFET(금속)		I2PAK	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PSMN8R5-100ESFQ-954			1		N채널					100V	97A(타)	7V, 10V	8.8m옴 @ 25A, 10V	4V @ 1mA	44.5nC @ 10V	±20V	50V에서 3181pF	-	183W(타)
BZV85-C4V3,113	0.0300	보상요청	30	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%		-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AL, DO-41, 축방향				1.3W	DO-41	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZV85-C4V3,113-954			1																		1V @ 50mA	1V에서 5μA					4.3V	13옴
PMPB20EN/S500X	0.0700	보상요청	5	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-UDFN 옆패드			MOSFET(금속)		DFN2020MD-6	다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMPB20EN/S500X	EAR99	8541.21.0075	1		N채널					30V	7.2A(타)	4.5V, 10V	19.5m옴 @ 7A, 10V	2V @ 250μA	10.8nC @ 10V	±20V	10V에서 435pF	-	1.7W(Ta), 12.5W(Tc)
PQMH11147	-	보상요청	1700	NXP 반도체	-	대부분	활동적인											-				2156-PQMH11147			1
BZX84J-C68,115	0.0300	보상요청	30	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	±5%		-65°C ~ 150°C	표면 실장	SC-90, SOD-323F				550mW	SOD-323F	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX84J-C68,115-954			11,823																		1.1V @ 100mA	47.6V에서 50nA					68V	160옴
PHP27NQ11T,127	0.6100	보상요청	4	NXP 반도체	트렌치모스™	대부분	활동적인			-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드		해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PHP27NQ11T,127-954			536		N채널					110V	27.6A(Tc)	10V	50m옴 @ 14A, 10V	4V @ 1mA	30nC @ 10V	±20V	25V에서 1240pF	-	107W(Tc)
BZT52H-C6V2,115	0.0200	보상요청	41	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	±5%		-65°C ~ 150°C(타)	표면 실장	SOD-123F	BZT52			375mW	SOD-123F	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZT52H-C6V2,115-954			1																		900mV @ 10mA	4V에서 3μA					6.2V	10옴
PHP23NQ11T,127	0.6600	보상요청	6	NXP 반도체	트렌치모스™	대부분	활동적인			-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드		해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PHP23NQ11T,127-954			496		N채널					110V	23A(TC)	10V	70m옴 @ 13A, 10V	4V @ 1mA	22nC @ 10V	±20V	25V에서 830pF	-	100W(Tc)
PMCM6501VPE/S500Z	0.1900	보상요청	4	NXP 반도체	*	대부분	활동적인											다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMCM6501VPE/S500Z-954			1
BLF8G20LS-220J	-	보상요청	3448	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		65V		표면 실장	SOT-502B		1.81GHz ~ 1.88GHz	LDMOS		SOT502B	-				2156-BLF8G20LS-220J			1	N채널		4.2μA	1.6A	55W	18.9dB											-					28V
BC847BPN,115	-	보상요청	4290	NXP 반도체	*	대부분	활동적인											다운로드						0000.00.0000	1
PBHV8115TLH215	0.0900	보상요청	4	NXP 반도체	*	대부분	활동적인											다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	공급자가 규정하지 않는 경우	2156-PBHV8115TLH215-954			4,000

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

이산친구(1062)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²