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이산친구(1062)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 그들 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 내구성 인증(암페어) 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 현재 - 역방향 위치 @ Vr 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 테스트 - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
BCP56-10H,115 NXP Semiconductors BCP56-10H,115 -
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 ECAD 9329 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BCP56-10H,115-954 0000.00.0000 1
TIP42CTU-F129 NXP Semiconductors TIP42CTU-F129 -
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 ECAD 6126 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 2156-TIP42CTU-F129 1
BZX79-C3V0,143 NXP Semiconductors BZX79-C3V0,143 0.0200
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 ECAD 230 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 400mW ALF2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX79-C3V0,143-954 1 900mV @ 10mA 10μA @ 1V 3V 95옴
BZX79-C75,113 NXP Semiconductors BZX79-C75,113 0.0200
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 ECAD 708 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 400mW ALF2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX79-C75,113-954 1 900mV @ 10mA 50nA @ 700mV 75V 255옴
BZB984-C12,115 NXP Semiconductors BZB984-C12,115 -
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 ECAD 4745 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% - 표면 실장 SOT-663 265mW SOT-663 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZB984-C12,115-954 1 1쌍 구역 900mV @ 10mA 100nA @ 8V 12V 10옴
BZX384-C27,115 NXP Semiconductors BZX384-C27,115 0.0200
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 ECAD 23 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-76, SOD-323 BZX384 300mW SOD-323 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX384-C27,115-954 EAR99 8541.10.0050 1 1.1V @ 100mA 50nA @ 18.9V 27V 80옴
BZB84-B3V9,215 NXP Semiconductors BZB84-B3V9,215 -
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 ECAD 1884년 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-B3V9 300mW TO-236AB 다운로드 0000.00.0000 1 1쌍 구역 900mV @ 10mA 3μA @ 1V 3.9V 90옴
BZX79-C6V8,113 NXP Semiconductors BZX79-C6V8,113 0.0200
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 ECAD 300 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 400mW ALF2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX79-C6V8,113-954 1 900mV @ 10mA 2μA @ 4V 6.8V 15옴
BZV55-B30,115 NXP Semiconductors BZV55-B30,115 0.0200
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 ECAD 243 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-B30,115-954 0000.00.0000 1 900mV @ 10mA 50nA @ 700mV 30V 80옴
BAS40-05W,115 NXP Semiconductors BAS40-05W,115 0.0300
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 ECAD 294 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 BAS40 - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BAS40-05W,115-954 1
BZB84-C62,215 NXP Semiconductors BZB84-C62,215 1.0000
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 ECAD 8473 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-C62 300mW TO-236AB 다운로드 0000.00.0000 1 1쌍 구역 900mV @ 10mA 43.4V에서 50nA 62V 215옴
BAS40-04,235 NXP Semiconductors BAS40-04,235 0.0200
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 ECAD 1041 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 BAS40 - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BAS40-04,235-954 10,000
BZB84-C5V1,215 NXP Semiconductors BZB84-C5V1,215 -
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 ECAD 6129 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300mW TO-236AB - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-BZB84-C5V1,215-954 EAR99 8541.10.0070 1 1쌍 구역 900mV @ 10mA 5.1V 60옴
PZU24BA,115 NXP Semiconductors PZU24BA,115 0.0300
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 ECAD 124 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-76, SOD-323 320mW SOD-323 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PZU24BA,115-954 1 1.1V @ 100mA 19V에서 50nA 24V 30옴
BAV99/8,235 NXP Semiconductors BAV99/8,235 -
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 ECAD 5453 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 BAV99 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BAV99/8,235-954 1
BC856AW,135 NXP Semiconductors BC856AW,135 -
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 ECAD 2498 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 BC856 200mW SOT-323 다운로드 0000.00.0000 1 65V 100mA 15nA(ICBO) PNP 600mV @ 5mA, 100mA 125 @ 2mA, 5V 100MHz
BZV55-C10,115 NXP Semiconductors BZV55-C10,115 0.0200
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 ECAD 469 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-C10,115-954 EAR99 8541.10.0070 1 900mV @ 10mA 200nA @ 7V 10V 20옴
BZX79-C75143 NXP Semiconductors BZX79-C75143 0.0200
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 ECAD 185 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8541.10.0050 1
BZB784-C15,115 NXP Semiconductors BZB784-C15,115 -
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 ECAD 6350 0.00000000 NXP 반도체 BZB784 대부분 활동적인 ±5% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 180mW SC-70 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-BZB784-C15,115-954 1 900mV @ 10mA 10.5V에서 50nA 15V 30옴
PZU3.0B2,115 NXP Semiconductors PZU3.0B2,115 1.0000
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 ECAD 7015 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F 310mW SOD-323F 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PZU3.0B2,115-954 1 1.1V @ 100mA 10μA @ 1V 3V 95옴
PDTA143ZT,215 NXP Semiconductors PDTA143ZT,215 0.0200
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 ECAD 177 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PDTA143ZT,215-954 1
BZX84-A6V8,215 NXP Semiconductors BZX84-A6V8,215 0.1000
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 ECAD 4414 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±1% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX84-A6V8,215-954 2,785 900mV @ 10mA 2μA @ 4V 6.8V 15옴
PSMN009-100P,127 NXP Semiconductors PSMN009-100P,127 1.5000
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 ECAD 291 0.00000000 NXP 반도체 트렌치모스™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PSMN009-100P,127-954 217 N채널 100V 75A(Tc) 10V 8.8m옴 @ 25A, 10V 4V @ 1mA 156nC @ 10V ±20V 8250pF @ 25V - 230W(Tc)
BCV63,215 NXP Semiconductors BCV63,215 0.0800
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 ECAD 18 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BCV63,215-954 1
MRFX600HSR5 NXP Semiconductors MRFX600HSR5 138.9000
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 ECAD 9931 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 179V 표면 실장 NI-780S-4L 1.8MHz ~ 400MHz LDMOS(이중) NI-780S-4L - 2156-MRFX600HSR5 2 2 N채널 10μA 100mA 600W 26.4dB @ 230MHz - 65V
BZX884-C33,315 NXP Semiconductors BZX884-C33,315 -
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 ECAD 8749 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-882 250mW DFN1006-2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX884-C33,315-954 1 900mV @ 10mA 50nA @ 23.1V 33V 80옴
PMPB55XNEA,115 NXP Semiconductors PMPB55XNEA,115 -
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 ECAD 2259 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PMPB55XNEA,115-954 1
BZX884-B27315 NXP Semiconductors BZX884-B27315 0.0300
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 ECAD 479 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8541.10.0050 1
BZX84-C75,215 NXP Semiconductors BZX84-C75,215 0.0200
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 ECAD 209 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX84-C75,215-954 1 900mV @ 10mA 50nA @ 52.5V 75V 255옴
BUK9Y11-80EX NXP Semiconductors BUK9Y11-80EX -
보상요청
 ECAD 8848 0.00000000 NXP 반도체 트렌치모스™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 SC-100, SOT-669 MOSFET(금속) LFPAK56, 전원-SO8 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BUK9Y11-80EX-954 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 80V 84A(Tc) 5V 10m옴 @ 25A, 10V 2.1V @ 1mA 44.2nC @ 5V ±10V 25V에서 6506pF - 194W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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