| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BCP56-10H,115 | - | ![]() | 9329 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BCP56-10H,115-954 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP42CTU-F129 | - | ![]() | 6126 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 2156-TIP42CTU-F129 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C3V0,143 | 0.0200 | ![]() | 230 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 400mW | ALF2 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZX79-C3V0,143-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 10μA @ 1V | 3V | 95옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C75,113 | 0.0200 | ![]() | 708 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 400mW | ALF2 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZX79-C75,113-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 50nA @ 700mV | 75V | 255옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB984-C12,115 | - | ![]() | 4745 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | - | 표면 실장 | SOT-663 | 265mW | SOT-663 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZB984-C12,115-954 | 1 | 1쌍 구역 | 900mV @ 10mA | 100nA @ 8V | 12V | 10옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX384-C27,115 | 0.0200 | ![]() | 23 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-76, SOD-323 | BZX384 | 300mW | SOD-323 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZX384-C27,115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1V @ 100mA | 50nA @ 18.9V | 27V | 80옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-B3V9,215 | - | ![]() | 1884년 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | - | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZB84-B3V9 | 300mW | TO-236AB | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 1쌍 구역 | 900mV @ 10mA | 3μA @ 1V | 3.9V | 90옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C6V8,113 | 0.0200 | ![]() | 300 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 400mW | ALF2 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZX79-C6V8,113-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 2μA @ 4V | 6.8V | 15옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-B30,115 | 0.0200 | ![]() | 243 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 200°C | 표면 실장 | DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 | 500mW | LLDS; 미니멜프 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZV55-B30,115-954 | 0000.00.0000 | 1 | 900mV @ 10mA | 50nA @ 700mV | 30V | 80옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS40-05W,115 | 0.0300 | ![]() | 294 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | BAS40 | - | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BAS40-05W,115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-C62,215 | 1.0000 | ![]() | 8473 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | - | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZB84-C62 | 300mW | TO-236AB | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 1쌍 구역 | 900mV @ 10mA | 43.4V에서 50nA | 62V | 215옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS40-04,235 | 0.0200 | ![]() | 1041 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | BAS40 | - | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BAS40-04,235-954 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-C5V1,215 | - | ![]() | 6129 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300mW | TO-236AB | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-BZB84-C5V1,215-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 1쌍 구역 | 900mV @ 10mA | 5.1V | 60옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU24BA,115 | 0.0300 | ![]() | 124 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -55°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-76, SOD-323 | 320mW | SOD-323 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PZU24BA,115-954 | 1 | 1.1V @ 100mA | 19V에서 50nA | 24V | 30옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV99/8,235 | - | ![]() | 5453 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | BAV99 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BAV99/8,235-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC856AW,135 | - | ![]() | 2498 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BC856 | 200mW | SOT-323 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 65V | 100mA | 15nA(ICBO) | PNP | 600mV @ 5mA, 100mA | 125 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C10,115 | 0.0200 | ![]() | 469 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 표면 실장 | DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 | 500mW | LLDS; 미니멜프 | 다운로드 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZV55-C10,115-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900mV @ 10mA | 200nA @ 7V | 10V | 20옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C75143 | 0.0200 | ![]() | 185 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB784-C15,115 | - | ![]() | 6350 | 0.00000000 | NXP 반도체 | BZB784 | 대부분 | 활동적인 | ±5% | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | 180mW | SC-70 | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-BZB784-C15,115-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 10.5V에서 50nA | 15V | 30옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU3.0B2,115 | 1.0000 | ![]() | 7015 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-90, SOD-323F | 310mW | SOD-323F | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PZU3.0B2,115-954 | 1 | 1.1V @ 100mA | 10μA @ 1V | 3V | 95옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA143ZT,215 | 0.0200 | ![]() | 177 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PDTA143ZT,215-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-A6V8,215 | 0.1000 | ![]() | 4414 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ±1% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250mW | TO-236AB | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZX84-A6V8,215-954 | 2,785 | 900mV @ 10mA | 2μA @ 4V | 6.8V | 15옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN009-100P,127 | 1.5000 | ![]() | 291 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 트렌치모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PSMN009-100P,127-954 | 217 | N채널 | 100V | 75A(Tc) | 10V | 8.8m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 156nC @ 10V | ±20V | 8250pF @ 25V | - | 230W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCV63,215 | 0.0800 | ![]() | 18 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BCV63,215-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRFX600HSR5 | 138.9000 | ![]() | 9931 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 179V | 표면 실장 | NI-780S-4L | 1.8MHz ~ 400MHz | LDMOS(이중) | NI-780S-4L | - | 2156-MRFX600HSR5 | 2 | 2 N채널 | 10μA | 100mA | 600W | 26.4dB @ 230MHz | - | 65V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-C33,315 | - | ![]() | 8749 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SOD-882 | 250mW | DFN1006-2 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZX884-C33,315-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 50nA @ 23.1V | 33V | 80옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMPB55XNEA,115 | - | ![]() | 2259 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PMPB55XNEA,115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-B27315 | 0.0300 | ![]() | 479 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C75,215 | 0.0200 | ![]() | 209 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250mW | TO-236AB | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZX84-C75,215-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 50nA @ 52.5V | 75V | 255옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9Y11-80EX | - | ![]() | 8848 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 트렌치모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | SC-100, SOT-669 | MOSFET(금속) | LFPAK56, 전원-SO8 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BUK9Y11-80EX-954 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 80V | 84A(Tc) | 5V | 10m옴 @ 25A, 10V | 2.1V @ 1mA | 44.2nC @ 5V | ±10V | 25V에서 6506pF | - | 194W(Tc) |

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