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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
PMBT3906,235 NXP Semiconductors PMBT3906,235 0.0200
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ECAD 157 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBT3906 250mW TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PMBT3906,235-954 1 40V 200mA 50nA(ICBO) PNP 400mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250MHz
BZV55-B6V2,115 NXP Semiconductors BZV55-B6V2,115 0.0200
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ECAD 312 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-B6V2,115-954 EAR99 8541.10.0070 1 900mV @ 10mA 4V에서 3μA 6.2V 10옴
BZX84-B12,215 NXP Semiconductors BZX84-B12,215 0.0200
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ECAD 105 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX84-B12,215-954 1 900mV @ 10mA 100nA @ 8V 12V 25옴
BZX84-C33,215 NXP Semiconductors BZX84-C33,215 0.0200
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ECAD 295 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX84-C33,215-954 1 900mV @ 10mA 50nA @ 23.1V 33V 80옴
PHPT610035NKX NXP Semiconductors PHPT610035NKX 1.0000
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ECAD 5556 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 PHPT610035 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PHPT610035NKX-954 EAR99 8541.29.0075 1
BAV70SRAZ NXP Semiconductors BAV70SRAZ -
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ECAD 1579년 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 실장 6-XFDFN 옆형 패드 기준 DFN1412-6 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-BAV70SRAZ-954 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 2쌍씩 시작됩니다 100V 355mA 1.25V @ 150mA 4ns 80V에서 500nA 150°C
PZU7.5B2L,315 NXP Semiconductors PZU7.5B2L,315 0.0300
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ECAD 117 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-882 250mW DFN1006-2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PZU7.5B2L,315-954 10,764 1.1V @ 100mA 500nA @ 4V 7.5V 10옴
BZV55-B30,115 NXP Semiconductors BZV55-B30,115 0.0200
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ECAD 243 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-B30,115-954 0000.00.0000 1 900mV @ 10mA 50nA @ 700mV 30V 80옴
BZX79-C6V8,113 NXP Semiconductors BZX79-C6V8,113 0.0200
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ECAD 300 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 400mW ALF2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX79-C6V8,113-954 1 900mV @ 10mA 2μA @ 4V 6.8V 15옴
BZB984-C12,115 NXP Semiconductors BZB984-C12,115 -
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ECAD 4745 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% - 표면 실장 SOT-663 265mW SOT-663 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZB984-C12,115-954 1 1쌍 구역 900mV @ 10mA 100nA @ 8V 12V 10옴
BZX79-C75,113 NXP Semiconductors BZX79-C75,113 0.0200
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ECAD 708 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 400mW ALF2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX79-C75,113-954 1 900mV @ 10mA 50nA @ 700mV 75V 255옴
BZB84-B3V9,215 NXP Semiconductors BZB84-B3V9,215 -
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ECAD 1884년 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-B3V9 300mW TO-236AB 다운로드 0000.00.0000 1 1쌍 구역 900mV @ 10mA 3μA @ 1V 3.9V 90옴
TIP42CTU-F129 NXP Semiconductors TIP42CTU-F129 -
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ECAD 6126 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 2156-TIP42CTU-F129 1
1N4741A,133 NXP Semiconductors 1N4741A,133 0.0400
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ECAD 18 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-1N4741A,133-954 EAR99 8541.10.0050 1
BZX84-C6V8,235 NXP Semiconductors BZX84-C6V8,235 0.0200
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ECAD 25 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX84-C6V8,235-954 1 900mV @ 10mA 2μA @ 4V 6.8V 15옴
BZV55-B68,115 NXP Semiconductors BZV55-B68,115 0.0200
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ECAD 19 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZV55-B68,115-954 EAR99 8541.10.0070 1 900mV @ 10mA 47.6V에서 50nA 68V 240옴
BZV49-C39,115 NXP Semiconductors BZV49-C39,115 -
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ECAD 7119 0.00000000 NXP 반도체 BZV49 대부분 활동적인 ±5% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 1W SOT-89 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-BZV49-C39,115-954 1 1V @ 50mA 50nA @ 27.3V 39V 130옴
BZB84-C62,215 NXP Semiconductors BZB84-C62,215 1.0000
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ECAD 8473 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-C62 300mW TO-236AB 다운로드 0000.00.0000 1 1쌍 구역 900mV @ 10mA 43.4V에서 50nA 62V 215옴
BZX79-C75143 NXP Semiconductors BZX79-C75143 0.0200
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ECAD 185 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8541.10.0050 1
PUMH2,115 NXP Semiconductors PUMH2,115 0.0300
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ECAD 393 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PUMH2,115-954 1
BZB784-C15,115 NXP Semiconductors BZB784-C15,115 -
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ECAD 6350 0.00000000 NXP 반도체 BZB784 대부분 활동적인 ±5% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 180mW SC-70 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-BZB784-C15,115-954 1 900mV @ 10mA 10.5V에서 50nA 15V 30옴
BAV99/8,235 NXP Semiconductors BAV99/8,235 -
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ECAD 5453 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 BAV99 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BAV99/8,235-954 1
PZU24BA,115 NXP Semiconductors PZU24BA,115 0.0300
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ECAD 124 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±5% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-76, SOD-323 320mW SOD-323 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PZU24BA,115-954 1 1.1V @ 100mA 19V에서 50nA 24V 30옴
BZX79-B5V6,133 NXP Semiconductors BZX79-B5V6,133 0.0200
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ECAD 155 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 400mW ALF2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX79-B5V6,133-954 1 900mV @ 10mA 1μA @ 2V 5.6V 40옴
PSMN7R0-100PS127 NXP Semiconductors PSMN7R0-100PS127 -
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ECAD 7709 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
TDZ5V6J,115 NXP Semiconductors TDZ5V6J,115 0.0300
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ECAD 63 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101, TDZxJ 대부분 활동적인 ±2% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F TDZ5V6 500mW SOD-323F 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-TDZ5V6J,115-954 10,414 1.1V @ 100mA 2.5V에서 10μA 5.6V 40옴
1PS74SB23,125 NXP Semiconductors 1PS74SB23,125 0.0900
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ECAD 47 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 쇼트키 6-TSOP 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-1PS74SB23,125-954 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 25V 450mV @ 1A 25V에서 1mA 125°C(최대) 1A 100pF @ 4V, 1MHz
PZU20B,115 NXP Semiconductors PZU20B,115 0.0300
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ECAD 19 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5% 150°C (TJ) 표면 실장 SC-90, SOD-323F 310mW SOD-323F - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-PZU20B,115-954 EAR99 8541.10.0050 1 1.1V @ 100mA 50nA @ 15V 19.97V 20옴
BZX79-B5V1,143 NXP Semiconductors BZX79-B5V1,143 0.0200
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ECAD 185 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 400mW ALF2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BZX79-B5V1,143-954 1 900mV @ 10mA 2V에서 2μA 5.1V 60옴
BZT52H-C47,115 NXP Semiconductors BZT52H-C47,115 -
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ECAD 8661 0.00000000 NXP 반도체 BZT52H 대부분 활동적인 ±6.38% 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-123F 375mW SOD-123F - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-BZT52H-C47,115-954 1 900mV @ 10mA 50nA @ 32.9V 47V 90옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고