| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PMBT3906,235 | 0.0200 | ![]() | 157 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PMBT3906 | 250mW | TO-236AB | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PMBT3906,235-954 | 1 | 40V | 200mA | 50nA(ICBO) | PNP | 400mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz | |||||||||||||||||||
![]() | BZV55-B6V2,115 | 0.0200 | ![]() | 312 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 200°C | 표면 실장 | DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 | 500mW | LLDS; 미니멜프 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZV55-B6V2,115-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900mV @ 10mA | 4V에서 3μA | 6.2V | 10옴 | ||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B12,215 | 0.0200 | ![]() | 105 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250mW | TO-236AB | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZX84-B12,215-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 100nA @ 8V | 12V | 25옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C33,215 | 0.0200 | ![]() | 295 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250mW | TO-236AB | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZX84-C33,215-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 50nA @ 23.1V | 33V | 80옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | PHPT610035NKX | 1.0000 | ![]() | 5556 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | PHPT610035 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PHPT610035NKX-954 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV70SRAZ | - | ![]() | 1579년 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | 6-XFDFN 옆형 패드 | 기준 | DFN1412-6 | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-BAV70SRAZ-954 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 2쌍씩 시작됩니다 | 100V | 355mA | 1.25V @ 150mA | 4ns | 80V에서 500nA | 150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | PZU7.5B2L,315 | 0.0300 | ![]() | 117 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -55°C ~ 150°C | 표면 실장 | SOD-882 | 250mW | DFN1006-2 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PZU7.5B2L,315-954 | 10,764 | 1.1V @ 100mA | 500nA @ 4V | 7.5V | 10옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-B30,115 | 0.0200 | ![]() | 243 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 200°C | 표면 실장 | DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 | 500mW | LLDS; 미니멜프 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZV55-B30,115-954 | 0000.00.0000 | 1 | 900mV @ 10mA | 50nA @ 700mV | 30V | 80옴 | |||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C6V8,113 | 0.0200 | ![]() | 300 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 400mW | ALF2 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZX79-C6V8,113-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 2μA @ 4V | 6.8V | 15옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZB984-C12,115 | - | ![]() | 4745 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | - | 표면 실장 | SOT-663 | 265mW | SOT-663 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZB984-C12,115-954 | 1 | 1쌍 구역 | 900mV @ 10mA | 100nA @ 8V | 12V | 10옴 | |||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C75,113 | 0.0200 | ![]() | 708 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 400mW | ALF2 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZX79-C75,113-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 50nA @ 700mV | 75V | 255옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-B3V9,215 | - | ![]() | 1884년 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | - | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZB84-B3V9 | 300mW | TO-236AB | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 1쌍 구역 | 900mV @ 10mA | 3μA @ 1V | 3.9V | 90옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | TIP42CTU-F129 | - | ![]() | 6126 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 2156-TIP42CTU-F129 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4741A,133 | 0.0400 | ![]() | 18 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-1N4741A,133-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C6V8,235 | 0.0200 | ![]() | 25 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250mW | TO-236AB | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZX84-C6V8,235-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 2μA @ 4V | 6.8V | 15옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-B68,115 | 0.0200 | ![]() | 19 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 200°C | 표면 실장 | DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 | 500mW | LLDS; 미니멜프 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZV55-B68,115-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900mV @ 10mA | 47.6V에서 50nA | 68V | 240옴 | ||||||||||||||||||||
![]() | BZV49-C39,115 | - | ![]() | 7119 | 0.00000000 | NXP 반도체 | BZV49 | 대부분 | 활동적인 | ±5% | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-243AA | 1W | SOT-89 | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-BZV49-C39,115-954 | 1 | 1V @ 50mA | 50nA @ 27.3V | 39V | 130옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-C62,215 | 1.0000 | ![]() | 8473 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | - | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZB84-C62 | 300mW | TO-236AB | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 1쌍 구역 | 900mV @ 10mA | 43.4V에서 50nA | 62V | 215옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C75143 | 0.0200 | ![]() | 185 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PUMH2,115 | 0.0300 | ![]() | 393 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PUMH2,115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB784-C15,115 | - | ![]() | 6350 | 0.00000000 | NXP 반도체 | BZB784 | 대부분 | 활동적인 | ±5% | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | 180mW | SC-70 | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-BZB784-C15,115-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 10.5V에서 50nA | 15V | 30옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BAV99/8,235 | - | ![]() | 5453 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | BAV99 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BAV99/8,235-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU24BA,115 | 0.0300 | ![]() | 124 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -55°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-76, SOD-323 | 320mW | SOD-323 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PZU24BA,115-954 | 1 | 1.1V @ 100mA | 19V에서 50nA | 24V | 30옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B5V6,133 | 0.0200 | ![]() | 155 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 400mW | ALF2 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZX79-B5V6,133-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 1μA @ 2V | 5.6V | 40옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN7R0-100PS127 | - | ![]() | 7709 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TDZ5V6J,115 | 0.0300 | ![]() | 63 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101, TDZxJ | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -55°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-90, SOD-323F | TDZ5V6 | 500mW | SOD-323F | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-TDZ5V6J,115-954 | 10,414 | 1.1V @ 100mA | 2.5V에서 10μA | 5.6V | 40옴 | |||||||||||||||||||||
![]() | 1PS74SB23,125 | 0.0900 | ![]() | 47 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SC-74, SOT-457 | 쇼트키 | 6-TSOP | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-1PS74SB23,125-954 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 25V | 450mV @ 1A | 25V에서 1mA | 125°C(최대) | 1A | 100pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | PZU20B,115 | 0.0300 | ![]() | 19 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-90, SOD-323F | 310mW | SOD-323F | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-PZU20B,115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1V @ 100mA | 50nA @ 15V | 19.97V | 20옴 | ||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B5V1,143 | 0.0200 | ![]() | 185 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 400mW | ALF2 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZX79-B5V1,143-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 2V에서 2μA | 5.1V | 60옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-C47,115 | - | ![]() | 8661 | 0.00000000 | NXP 반도체 | BZT52H | 대부분 | 활동적인 | ±6.38% | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOD-123F | 375mW | SOD-123F | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-BZT52H-C47,115-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 50nA @ 32.9V | 47V | 90옴 |

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