| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2PC4617RMB,315 | - | ![]() | 7989 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-XFDFN | 2PC4617 | 250mW | DFN1006B-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 200mV @ 5mA, 50mA | 180@1mA, 6V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF1046,112 | 67.6000 | ![]() | 20 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BLF1046,112-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMV160UP235 | - | ![]() | 8538 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-PMV160UP235-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-B2V4,115 | 0.0200 | ![]() | 19 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 150°C(타) | 표면 실장 | SOD-123F | BZT52 | 375mW | SOD-123F | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZT52H-B2V4,115-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 50μA @ 1V | 2.4V | 85옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX70K,235 | - | ![]() | 7939 | 0.00000000 | NXP 반도체 | BCX70 | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250mW | TO-236AB | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-BCX70K,235-954 | 1 | 45V | 100mA | 20nA(ICBO) | NPN | 550mV @ 1.25mA, 50mA | 380 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-B5V1,135 | - | ![]() | 7200 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 200°C | 표면 실장 | DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 | 500mW | LLDS; 미니멜프 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 900mV @ 10mA | 2V에서 2μA | 5.1V | 60옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC143TT,215 | 0.0200 | ![]() | 422 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PDTC143TT,215-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF24301HSR5 | 89.6400 | ![]() | 100 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 32V | NI-780S | 2.4GHz ~ 2.5GHz | LDMOS | NI-780S | - | RoHS 비준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-MRF24301HSR5 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 300W | 13.5dB | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B47133 | 0.0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMH18,115 | - | ![]() | 1354 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PEMH18,115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMB2,115 | - | ![]() | 2804 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PEMB2,115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG4020EP,115 | 0.0900 | ![]() | 21 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SOD-128 | 쇼트키 | SOD-128/CFP5 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PMEG4020EP,115-954 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 40V | 490mV @ 2A | 40V에서 100μA | 150°C(최대) | 2A | 95pF @ 10V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B5V1,133 | 0.0200 | ![]() | 139 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 400mW | ALF2 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZX79-B5V1,133-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 2V에서 2μA | 5.1V | 60옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU2.4BL,315 | - | ![]() | 6739 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ±5% | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOD-882 | 250mW | DFN1006-2 | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-PZU2.4BL,315-954 | 1 | 1.1V @ 100mA | 50μA @ 1V | 2.4V | 100옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG2015EH,115 | 0.0500 | ![]() | 94 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SOD-123F | 쇼트키 | SOD-123F | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PMEG2015EH,115-954 | 5,912 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 20V | 660mV @ 1.5A | 20V에서 70μA | 150°C(최대) | 1.5A | 50pF @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 바스56,215 | 0.0300 | ![]() | 6825 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BAS56,215-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,780 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-B51,315 | 0.0300 | ![]() | 149 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SOD-882 | 250mW | DFN1006-2 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 9,648 | 900mV @ 10mA | 50nA @ 35.7V | 51V | 180옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN9R5-30YLC,115 | - | ![]() | 6015 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PSMN9R5-30YLC,115-954 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-B68,115 | 1.0000 | ![]() | 9101 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-90, SOD-323F | BZX84J-B68 | 550mW | SOD-323F | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 1.1V @ 100mA | 47.6V에서 50nA | 68V | 160옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS5230QAZ | 0.0600 | ![]() | 554 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-XDFN옆패드 | 325mW | DFN1010D-3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PBSS5230QAZ-954 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 30V | 2A | 100nA(ICBO) | PNP | 210mV @ 50mA, 1A | 60 @ 2A, 2V | 170MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMSS3906,115 | 0.0200 | ![]() | 387 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | 200mW | SOT-323 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PMSS3906,115-954 | 1 | 40V | 100mA | 50nA(ICBO) | PNP | 400mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF824,215 | - | ![]() | 2584 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250mW | SOT-23 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 30V | 25mA | 50nA(ICBO) | PNP | - | 25 @ 4mA, 10V | 450MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMXB43UNE/S500Z | - | ![]() | 3938 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-XDFN옆패드 | MOSFET(금속) | DFN1010D-3 | - | 2156-PMXB43UNE/S500Z | 1 | N채널 | 20V | 3.2A(타) | 1.5V, 4.5V | 54m옴 @ 3.2A, 4.5V | 250μA에서 900mV | 10nC @ 4.5V | ±8V | 10V에서 551pF | - | 400mW(Ta), 8.33W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMZ1,115 | - | ![]() | 9747 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | PEMZ1 | 300mW | SOT-666 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 40V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN, PNP | 200mV @ 5mA, 50mA | 120@1mA, 6V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C20,135 | 0.0200 | ![]() | 155 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 표면 실장 | DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 | 500mW | LLDS; 미니멜프 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 900mV @ 10mA | 14V에서 50nA | 20V | 55옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF8G27LS-100PJ | - | ![]() | 4497 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 표면 실장 | SOT-1121B | 2.5GHz ~ 2.7GHz | LDMOS(이중), 후반소스 | LDMOST | - | 2156-BLF8G27LS-100PJ | 1 | 2 N채널 | - | 860mA | 25W | 18dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT2222A,215 | - | ![]() | 2521 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT2222 | 250mW | TO-236AB | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-MMBT2222A,215-954 | 1 | 40V | 600mA | 10nA(ICBO) | NPN | 1V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLP05M7200Y | - | ![]() | 9352 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 2156-BLP05M7200Y | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHPT61002PYCX | 1.0000 | ![]() | 8712 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PHPT61002PYCX-954 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN9R5-100PS,127 | 1.0700 | ![]() | 42 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PSMN9R5-100PS,127-954 | EAR99 | 8541.29.0075 | 280 |

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