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이산친구(1062)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	전압 - 정격	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	그들	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	내구성 인증(암페어)	현재 - 테스트	전력 - 출력	얻다	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	모델 지수	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	전압 - 테스트	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
NZX22C,133	0.0200	보상요청	84	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±2%		-55°C ~ 175°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향				500mW	ALF2	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-NZX22C,133-954			1																				1.5V @ 200mA		15.4V에서 50nA								22V	65옴
BUK7E2R3-40E,127	0.8500	보상요청	3	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™	대부분	활동적인			-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA			MOSFET(금속)		I2PAK	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BUK7E2R3-40E,127-954			1			N채널					40V	120A(Tc)	10V	2.3m옴 @ 25A, 10V	4V @ 1mA	109.2nC @ 10V	±20V	8500pF @ 25V	-	293W(Tc)
BZX79-B56,113	0.0200	보상요청	24	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±2%		-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향				400mW	ALF2	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX79-B56,113-954			1																				900mV @ 10mA		50nA @ 39.2V								56V	200옴
PZU20B1A,115	0.0300	보상요청	26	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±2%		-55°C ~ 150°C	표면 실장	SC-76, SOD-323				320mW	SOD-323	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PZU20B1A,115-954			1																				1.1V @ 100mA		50nA @ 15V								20V	20옴
PEMB18,115	0.0400	보상요청	12	NXP 반도체	*	대부분	활동적인											다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PEMB18,115-954			1
PZU7.5B,115	0.0300	보상요청	110	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%		-65°C ~ 150°C	표면 실장	SC-90, SOD-323F				310mW	SOD-323F	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PZU7.5B,115-954	EAR99	8541.10.0050	1																				1.1V @ 100mA		500nA @ 4V								7.5V	10옴
BZX79-B4V7,113	0.0200	보상요청	120	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±2%		-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향				400mW	ALF2	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX79-B4V7,113-954			1																				900mV @ 10mA		3μA @ 2V								4.7V	80옴
NZX13C,133	1.0000	보상요청	4910	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±2%		-55°C ~ 175°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향	NZX13			500mW	ALF2	다운로드					EAR99	8541.10.0050	1																				1.5V @ 200mA		100nA @ 8V								13V	35옴
PMDXB600UNEL/S500Z	-	보상요청	6059	NXP 반도체	-	대부분	활동적인											-				2156-PMDXB600UNEL/S500Z			1
NZH3V3A,115	0.0200	보상요청	52	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±3%		-55°C ~ 150°C	표면 실장	SOD-123F				500mW	SOD-123F	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-NZH3V3A,115-954			1																				900mV @ 10mA		20μA @ 1V								3.3V	70옴
NZX5V6D,133	-	보상요청	7082	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±2%		175°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향				500mW	ALF2	-					EAR99	8541.10.0050	1																				1.5V @ 200mA		1μA @ 2V								5.6V	40옴
PDTC143ZMB,315	0.0300	보상요청	126	NXP 반도체	*	대부분	활동적인											다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PDTC143ZMB,315-954			1
PMN48XPAX	-	보상요청	2032년	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SC-74, SOT-457			MOSFET(금속)		6-TSOP	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,260			P채널					20V	4.1A(타)	2.5V, 4.5V	55m옴 @ 2.4A, 4.5V	250μA에서 1.25V	13nC @ 4.5V	±12V	10V에서 1000pF	-	530mW(Ta), 6.25W(Tc)
A2I25D025NR1	34.3300	보상요청	4	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		65V			TO-270-17 변형, 편평형		2.1GHz ~ 2.9GHz	LDMOS		TO-270WB-17	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-A2I25D025NR1	EAR99	8542.33.0001	9	2개			10μA	157mA	3.2W	31.9dB											-										28V
PMG85XPH	-	보상요청	7317	NXP 반도체	*	대부분	활동적인											다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMG85XPH-954			1
BZX84-C2V4,215	0.0200	보상요청	4	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	±5%		-65°C ~ 150°C	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250mW	TO-236AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX84-C2V4,215-954			1																				900mV @ 10mA		50μA @ 1V								2.4V	100옴
A2T21H450W19SR6	217.4300	보상요청	277	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		65V		방역	NI-1230S-4S4S		2.11GHz ~ 2.2GHz	LDMOS		NI-1230S-4S4S	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-A2T21H450W19SR6	EAR99	8541.29.0075	1				10μA	800mA	89W	15.7dB											-										30V
BZV85-C10,133	0.0400	보상요청	98	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%		-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AL, DO-41, 축방향				1.3W	DO-41	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZV85-C10,133-954			1																				1V @ 50mA		200nA @ 7V								10V	8옴
PSMN6R3-120PS	2.0100	보상요청	319	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우			-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220AB	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-PSMN6R3-120PS	EAR99	8541.29.0075	162			N채널					120V	70A(타)	10V	6.7m옴 @ 25A, 10V	4V @ 1mA	207.1nC @ 10V	±20V	60V에서 11384pF	-	405W(타)
BZX84J-B62,115	0.0300	보상요청	59	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	±2%		-65°C ~ 150°C	표면 실장	SC-90, SOD-323F				550mW	SOD-323F	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX84J-B62,115-954			1																				1.1V @ 100mA		43.4V에서 50nA								62V	140옴
BLF6G22LS-180RN	-	보상요청	4998	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		65V		표면 실장	SOT-502B		2.11GHz ~ 2.17GHz	LDMOS		SOT502B	-				2156-BLF6G22LS-180RN			1	N채널			5μA	1.4A	40W	16dB											-										30V
PMEG045V050EPDZ	0.1700	보상요청	9	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인				표면 실장	TO-277, 3-PowerDFN			쇼트키		CFP15	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMEG045V050EPDZ-954	EAR99	8541.10.0080	1		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																	45V	490mV @ 5A	19ns	45V에서 300μA	175°C(최대)	5A	580pF @ 1V, 1MHz
BZX884-B10315	-	보상요청	6947	NXP 반도체	*	대부분	활동적인											다운로드						0000.00.0000	1
BC54-16PA,115	0.0600	보상요청	29	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			150°C (TJ)	표면 실장	3-PowerUDFN				420mW	3-휴슨(2x2)	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BC54-16PA,115-954	EAR99	8541.21.0075	1																										45V	1A		100nA(ICBO)			NPN	500mV @ 50mA, 500mA	63 @ 150mA, 2V	180MHz
PHPT61002PYCX	1.0000	보상요청	8712	NXP 반도체	*	대부분	활동적인											다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PHPT61002PYCX-954	EAR99	8541.29.0075	1
MMBT2222A,215	-	보상요청	2521	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT2222			250mW	TO-236AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-MMBT2222A,215-954			1																										40V	600mA		10nA(ICBO)			NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	300MHz
BZV85-C36,133	-	보상요청	3634	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%		-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AL, DO-41, 축방향	BZV85-C36			1.3W	DO-41	다운로드						0000.00.0000	1																				1V @ 50mA		50nA @ 25V								36V	50옴
PDTD113EQAZ	0.0300	보상요청	30	NXP 반도체	*	대부분	활동적인						PDTD113					다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PDTD113EQAZ-954	EAR99	8541.21.0075	1
TDZ16J,115	-	보상요청	4263	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101, TDZxJ	대부분	활동적인	±1.88%		150°C (TJ)	표면 실장	SC-90, SOD-323F				500mW	SC-90	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-TDZ16J,115-954			1																				1.1V @ 100mA		11.2V에서 50nA								16V	20옴
BZX84-A43,215	0.1100	보상요청	95	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	±1%		-65°C ~ 150°C	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250mW	TO-236AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX84-A43,215-954			1																				900mV @ 10mA		50nA @ 30.1V								43V	150옴

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

이산친구(1062)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²