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이산친구(1062)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 최대	구조	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	속도	FET 종류	전류 - 유지(Ih)(최대)	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - 꺼진 상태	현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대)	전압 - 수채화(Vgt)(최대)	현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm)	메모리 - 메모리(Igt)(최대)	현재 - 충전상태(It(AV))(최대)	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	SCR, 다이오드 수	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	다이오드	전압 - 역방향(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	냄비에	냄비를 조건으로	Q@VR, F
BZX79-C3V0,133	0.0200	보상요청	409	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향			400mW		ALF2	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX79-C3V0,133-954			1																					900mV @ 10mA	10μA @ 1V										3V	95옴
RD6.2FM(01)-T1-AZ	-	보상요청	3520	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	±6.45%	150°C (TJ)	표면 실장	DO-214AC, SMA			1W		2파워 미니 몰드	-				2156-RD6.2FM(01)-T1-AZ			1																						20μA @ 3V										6.2V	40옴
1N4742A,113	-	보상요청	1206	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-1N4742A,113-954			1
BZX84-C27,215	-	보상요청	2500	NXP 반도체	BZX84	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			250mW		TO-236AB	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-BZX84-C27,215-954			1																					900mV @ 10mA	50nA @ 18.9V										27V	80옴
1N4728A,113	0.0300	보상요청	258	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-1N4728A,113-954			1
PMST4401,115	-	보상요청	1398	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	SC-70, SOT-323			200mW		SOT-323	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMST4401,115-954			1																											40V	600mA			50nA(ICBO)			NPN	750mV @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 1V	250MHz
SMMUN2116LT1G	-	보상요청	2695	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			246mW		SOT-23-3(TO-236)	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-SMMUN2116LT1G-954			1																											50V	100mA			500nA			PNP - 사전 바이어스됨	250mV @ 1mA, 10mA	160 @ 5mA, 10V		4.7kΩ
BZV55-B11,135	0.0200	보상요청	30	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±2%	-65°C ~ 200°C	표면 실장	DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80			500mW		LLDS; 미니멜프	다운로드			REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZV55-B11,135-954			1																					900mV @ 10mA	100nA @ 8V										11V	20옴
CLF1G0035-100P	202.5400	보상요청	9	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-CLF1G0035-100P-954			1
BAS321115	1.0000	보상요청	1886년	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드					EAR99	8541.10.0070	1
BTA330Y-800BT127	-	보상요청	6661	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드			REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BTA330Y-800BT127-954	EAR99	8541.30.0080	1
PDTA113ZU,115	0.0200	보상요청	240	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PDTA113ZU,115-954			1
TD330N16KOFHPSA2	181.5400	보상요청	3	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		130°C (TJ)	방역	기준기준				직렬 연결 - SCR/다이오드		-				2156-TD330N16KOFHPSA2			2			300mA											1.6kV	520A	2V	12500A	200mA	330A							SCR 1개, 다이오드 1개
BZX585-B51,115	0.0300	보상요청	104	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±2%	-65°C ~ 150°C	표면 실장	SC-79, SOD-523			300mW		SOD-523	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX585-B51,115-954			9,366																					1.1V @ 100mA	50nA @ 35.7V										51V	180옴
PBLS1504Y,115	0.0700	보상요청	74	NXP 반도체	*	대부분	활동적인					PBLS1504					다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PBLS1504Y,115-954			4,873
BZT52H-C30,115	0.0200	보상요청	157	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 150°C(타)	표면 실장	SOD-123F	BZT52		375mW		SOD-123F	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZT52H-C30,115-954			1																					900mV @ 10mA	50nA @ 21V										30V	40옴
BZX79-B9V1,133	1.0000	보상요청	9762	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±2%	-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향	BZX79-B9V1		400mW		ALF2	다운로드						0000.00.0000	1																					900mV @ 10mA	500nA @ 6V										9.1V	15옴
PMV20EN215	1.0000	보상요청	4213	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMV20EN215-954			1
BCP51	-	보상요청	3460	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA			1W		SOT-223	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-BCP51-954			1																											45V	1A			100nA(ICBO)			PNP	500mV @ 50mA, 500mA	63 @ 150mA, 2V	145MHz
NZX16C,133	0.0200	보상요청	26	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±2%	-55°C ~ 175°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향			500mW		ALF2	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-NZX16C,133-954			1																					1.5V @ 200mA	11.2V에서 50nA										16V	45옴
PMCM6501VPEZ	0.2000	보상요청	7	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-XFBGA, WLCSP		MOSFET(금속)			6-WLCSP(1.48x0.98)	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1,528		P채널		12V	6.2A(타)	1.8V, 4.5V	25m옴 @ 3A, 4.5V	250μA에서 900mV	29.4nC @ 4.5V	±8V	6V에서 1400pF	-	556mW(Ta), 12.5W(Tc)
BB131,115	0.1000	보상요청	12	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 125°C (TJ)	표면 실장	SC-76, SOD-323					SOD-323	다운로드	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-BB131,115	EAR99	8541.10.0070	1																									1.055pF @ 28V, 1MHz				하나의	30V									16	C0.5/C28	-
1N4744A,133	0.0400	보상요청	25	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AL, DO-41, 축방향			1W		DO-41	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-1N4744A,133-954	EAR99	8541.10.0050	1																					1.2V @ 200mA	11.4V에서 5μA										15V	14옴
NZX13A,133	0.0200	보상요청	88	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±2%	-55°C ~ 175°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향			500mW		ALF2	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-NZX13A,133-954			1																					1.5V @ 200mA	100nA @ 8V										13V	35옴
BZV90-C13,115	0.1500	보상요청	4	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 150°C	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA			1.5W		SOT-223	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZV90-C13,115-954			1																					1V @ 50mA	100nA @ 8V										13V	30옴
BC54-10PASX	0.0600	보상요청	146	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	3-UDFN 옆패드			420mW		DFN2020D-3	다운로드					EAR99	8541.29.0075	1																											45V	1A			100nA(ICBO)			NPN	500mV @ 50mA, 500mA	63 @ 150mA, 2V	180MHz
BUK6218-40C,118	0.2200	보상요청	2350	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)			DPAK	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BUK6218-40C,118-954			1		N채널		40V	42A(Tc)	10V	16m옴 @ 10A, 10V	2.8V @ 1mA	22nC @ 10V	±16V	25V에서 1170pF	-	60W(Tc)
PMEG4005EGWJ	-	보상요청	1938년	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			표면 실장	SOD-123		쇼트키			SOD-123	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMEG4005EGWJ-954	EAR99	8541.10.0070	1	빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																			40V	470mV @ 500mA	40V에서 100μA	150°C(최대)	500mA	43pF @ 1V, 1MHz
1PS70SB20,115	0.0400	보상요청	11	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			표면 실장	SC-70, SOT-323		쇼트키			SOT-323	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-1PS70SB20,115-954			1	빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																			40V	550mV @ 500mA	35V에서 100μA	125°C(최대)	500mA	90pF @ 0V, 1MHz
BZX585-B56,115	-	보상요청	2618	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±2%	-65°C ~ 150°C	표면 실장	SC-79, SOD-523	BZX585-B56		300mW		SOD-523	다운로드						0000.00.0000	1																					1.1V @ 100mA	50nA @ 39.2V										56V	200옴

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

이산친구(1062)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²