| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 얻다 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 모델 지수(dB 일반 @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PMZB950UPELYL | 1.0000 | ![]() | 3640 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-XFDFN | MOSFET(금속) | DFN1006B-3 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PMZB950UPELYL-954 | 1 | P채널 | 20V | 500mA(타) | 1.2V, 4.5V | 1.4옴 @ 500mA, 4.5V | 250μA에서 950mV | 2.1nC @ 4.5V | ±8V | 10V에서 43pF | - | 360mW(타) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV29F-600,127 | 0.3700 | ![]() | 51 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | TO-220-2 | 기준 | TO-220AC | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0080 | 802 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 600V | 1.9V @ 8A | 35ns | 600V에서 50μA | 150°C(최대) | 9A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV49-C11,115 | - | ![]() | 4934 | 0.00000000 | NXP 반도체 | BZV49 | 대부분 | 활동적인 | ±5% | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-243AA | 1W | SOT-89 | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-BZV49-C11,115-954 | 1 | 1V @ 50mA | 100nA @ 8V | 11V | 20옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-C75,215 | 0.0200 | ![]() | 510 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | - | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300mW | TO-236AB | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZB84-C75,215-954 | 1 | 1쌍 구역 | 900mV @ 10mA | 50nA @ 52.5V | 75V | 255옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC817RA147 | 0.0400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | BC817 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BC817RA147-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-B9V1,115 | - | ![]() | 2099 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 150°C(타) | 표면 실장 | SOD-123F | BZT52 | 375mW | SOD-123F | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZT52H-B9V1,115-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 500nA @ 6V | 9.1V | 10옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4160PANPSX | 0.1200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | PBSS4160 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PBSS4160PANPSX-954 | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,423 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCV62,215 | 0.0800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | BCV62 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BCV62,215-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU550WF | 0.2200 | ![]() | 764 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | 450mW | SC-70 | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-BFU550WF | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 18dB | 12V | 50mA | NPN | 60 @ 15mA, 8V | 11GHz | 1.3dB @ 1.8GHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU7.5B3,115 | 0.0300 | ![]() | 33 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-90, SOD-323F | 310mW | SOD-323F | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PZU7.5B3,115-954 | 1 | 1.1V @ 100mA | 500nA @ 4V | 7.5V | 10옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B11143 | - | ![]() | 4192 | 0.00000000 | NXP 반도체 | BZX79 | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 200°C (TJ) | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 400mW | ALF2 | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-BZX79-B11143-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 100nA @ 8V | 11V | 20옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-B2V4,315 | - | ![]() | 7880 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SOD-882 | 250mW | DFN1006-2 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZX884-B2V4,315-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 50μA @ 1V | 2.4V | 100옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C30,115 | 0.0200 | ![]() | 248 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 표면 실장 | DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 | 500mW | LLDS; 미니멜프 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZV55-C30,115-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 50nA @ 21V | 30V | 80옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C30,135 | 0.0200 | ![]() | 56 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 표면 실장 | DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 | 500mW | LLDS; 미니멜프 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZV55-C30,135-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 50nA @ 21V | 30V | 80옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B8V2113 | 1.0000 | ![]() | 6688 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-C13,115 | - | ![]() | 5511 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ±5% | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-90, SOD-323F | 550mW | SC-90 | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-BZX84J-C13,115-954 | 1 | 1.1V @ 100mA | 100nA @ 8V | 13V | 10옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B7V5,143 | - | ![]() | 2731 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 200°C (TJ) | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 400mW | ALF2 | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-BZX79-B7V5,143-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 5V에서 1μA | 7.5V | 15옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU4.7B2L,315 | - | ![]() | 5218 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -55°C ~ 150°C | 표면 실장 | SOD-882 | PZU4.7 | 250mW | DFN1006-2 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 1.1V @ 100mA | 2μA @ 1V | 4.7V | 80옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU13B2A,115 | 1.0000 | ![]() | 1332 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -55°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-76, SOD-323 | 320mW | SOD-323 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 1.1V @ 100mA | 100nA @ 10V | 13V | 10옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHPT60415PYX | 0.2300 | ![]() | 53 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 175°C (TJ) | 표면 실장 | SC-100, SOT-669 | 1.5W | LFPAK56, 전원-SO8 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PHPT60415PYX-954 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,280 | 40V | 15A | 100nA | PNP | 850mV @ 1.5A, 15A | 200 @ 500mA, 2V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC869,115 | 0.1000 | ![]() | 43 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-243AA | 1.2W | SOT-89 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BC869,115-954 | 1 | 20V | 1A | 100nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 100mA, 1A | 85 @ 500mA, 1V | 140MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B27,143 | 0.0200 | ![]() | 40 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 400mW | ALF2 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZX79-B27,143-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 50nA @ 18.9V | 27V | 80옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB984-C6V8,115 | 0.0400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | - | 표면 실장 | SOT-663 | 265mW | SOT-663 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZB984-C6V8,115-954 | 1 | 1쌍 구역 | 900mV @ 10mA | 2μA @ 4V | 6.8V | 6옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7506-55A,127 | - | ![]() | 1400 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 55V | 75A(Tc) | 10V | 6.3m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | ±20V | 6000pF @ 25V | - | 300W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBR941 | 0.2500 | ![]() | 175 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 360mW | TO-236AB | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 요청 시 REACH 정보 제공 | 2832-PBR941TR | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 16dB | 10V | 50mA | NPN | 100 @ 5mA, 6V | 9GHz | 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4220V,115 | 0.0500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | 900mW | SOT-666 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PBSS4220V,115-954 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 20V | 2A | 100nA | NPN | 350mV @ 200mA, 2A | 200 @ 1A, 2V | 210MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| BAS116GWJ | 1.0000 | ![]() | 6893 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SOD-123 | 기준 | SOD-123 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BAS116GWJ-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 75V | 1.25V @ 150mA | 3μs | 75V에서 5nA | 150°C(최대) | 215mA | 2pF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN6R0-25YLD115 | 0.2200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PSMN6R0-25YLD115-954 | 1,340 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG3010BEV,115 | 0.0500 | ![]() | 141 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | 쇼트키 | SOT-666 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PMEG3010BEV,115-954 | 6,542 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 30V | 560mV @ 1A | 30V에서 150μA | 150°C(최대) | 1A | 70pF @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU6.8B2L,315 | - | ![]() | 5372 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -55°C ~ 150°C | 표면 실장 | SOD-882 | PZU6.8 | 250mW | DFN1006-2 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 1.1V @ 100mA | 500nA @ 3.5V | 6.8V | 20옴 |

일일 평균 견적 요청량

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