| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 모델 지수(dB 일반 @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PMEG1020EJ,115 | - | ![]() | 8548 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SC-90, SOD-323F | 쇼트키 | SOD-323F | 다운로드 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PMEG1020EJ,115-954 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 10V | 460mV @ 2A | 10V에서 3mA | 150°C(최대) | 2A | 50pF @ 5V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2T27S007NT1 | 7.5100 | ![]() | 984 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 16-VDFN 보조형 패드 | 400MHz ~ 2.7GHz | LDMOS | 16-DFN(4x6) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-A2T27S007NT1 | EAR99 | 8542.33.0001 | 1 | 10μA | 60mA | 28.8dBm | 18.9dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFT20P060-4NR3 | 51.9900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 표면 실장 | OM-780-4L | 2.17GHz | LDMOS(이중) | OM-780-4L | - | 2156-AFT20P060-4NR3 | 6 | 2 N채널 | - | 450mA | 60W | 18.9dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT754C,215 | 0.0500 | ![]() | 530 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BAT754C,215-954 | 6,138 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHPT61006NYX | - | ![]() | 1263 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 175°C (TJ) | 표면 실장 | SC-100, SOT-669 | 1.3W | LFPAK56, 전원-SO8 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PHPT61006NYX-954 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 100V | 6A | 100nA | NPN | 340mV @ 600mA, 6A | 140 @ 500mA, 2V | 170MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMPB43XPE,115 | 1.0000 | ![]() | 6272 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-UDFN 옆패드 | PMPB43 | MOSFET(금속) | DFN2020MD-6 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | P채널 | 20V | 5A(타) | 1.8V, 4.5V | 48m옴 @ 5A, 4.5V | 250μA에서 900mV | 23.4nC @ 4.5V | ±12V | 1550pF @ 10V | - | 1.7W(Ta), 12.5W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NX7002AK2,215 | - | ![]() | 3433 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-NX7002AK2,215-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX6V2A,133 | 0.0200 | ![]() | 218 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -55°C ~ 175°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 500mW | ALF2 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-NZX6V2A,133-954 | 1 | 1.5V @ 200mA | 4V에서 3μA | 6.2V | 15옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4160PANP,115 | - | ![]() | 5380 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q100 | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-UFDFN 옆형 패드 | PBSS4160 | 510mW | 6-휴슨(2x2) | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PBSS4160PANP,115-954 | 1 | 60V | 1A | 100nA(ICBO) | NPN, PNP | 120mV @ 50mA, 500mA | 150 @ 500mA, 2V | 175MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC55-10PASX | - | ![]() | 3701 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-UDFN 옆패드 | 420mW | DFN2020D-3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BC55-10PASX-954 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 60V | 1A | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 50mA, 500mA | 63 @ 150mA, 2V | 180MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU27B,115 | 0.0300 | ![]() | 1401 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-90, SOD-323F | 310mW | SOD-323F | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PZU27B,115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 30 | 1.1V @ 100mA | 50nA @ 21V | 27V | 40옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF300BN | - | ![]() | 8346 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 133V | 스루홀 | TO-247-3 | 1.8MHz ~ 250MHz | LDMOS | TO-247-3 | - | 2156-MRF300BN | 1 | N채널 | 10μA | 100mA | 300W | 20.4dB | - | 50V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU4.7B2L,315 | - | ![]() | 5218 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -55°C ~ 150°C | 표면 실장 | SOD-882 | PZU4.7 | 250mW | DFN1006-2 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 1.1V @ 100mA | 2μA @ 1V | 4.7V | 80옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU13B2A,115 | 1.0000 | ![]() | 1332 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -55°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-76, SOD-323 | 320mW | SOD-323 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 1.1V @ 100mA | 100nA @ 10V | 13V | 10옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHPT60415PYX | 0.2300 | ![]() | 53 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 175°C (TJ) | 표면 실장 | SC-100, SOT-669 | 1.5W | LFPAK56, 전원-SO8 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PHPT60415PYX-954 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,280 | 40V | 15A | 100nA | PNP | 850mV @ 1.5A, 15A | 200 @ 500mA, 2V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C3V3,115 | - | ![]() | 4298 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 표면 실장 | DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 | 500mW | LLDS; 미니멜프 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZV55-C3V3,115-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 1V에서 5μA | 3.3V | 95옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU8.2BL,315 | 0.0300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -55°C ~ 150°C | 표면 실장 | SOD-882 | 250mW | DFN1006-2 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PZU8.2BL,315-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1V @ 100mA | 500nA @ 5V | 8.2V | 10옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B12,113 | 0.0200 | ![]() | 100 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 400mW | ALF2 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZX79-B12,113-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 100nA @ 8V | 12V | 25옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK6C3R3-75C,118 | 1.5900 | ![]() | 480 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-7, D²Pak(6 리드 + 탭) | MOSFET(금속) | D2PAK-7 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BUK6C3R3-75C,118-954 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 75V | 181A (Tc) | 10V | 3.4m옴 @ 90A, 10V | 2.8V @ 1mA | 253nC @ 10V | ±16V | 25V에서 15800pF | - | 300W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB984-C6V8,115 | 0.0400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | - | 표면 실장 | SOT-663 | 265mW | SOT-663 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZB984-C6V8,115-954 | 1 | 1쌍 구역 | 900mV @ 10mA | 2μA @ 4V | 6.8V | 6옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA113ET,215 | - | ![]() | 8996 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-PDTA113ET,215-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC869,115 | 0.1000 | ![]() | 43 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-243AA | 1.2W | SOT-89 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BC869,115-954 | 1 | 20V | 1A | 100nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 100mA, 1A | 85 @ 500mA, 1V | 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B27,143 | 0.0200 | ![]() | 40 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 400mW | ALF2 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BZX79-B27,143-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 50nA @ 18.9V | 27V | 80옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B7V5,143 | - | ![]() | 2731 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 200°C (TJ) | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 400mW | ALF2 | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-BZX79-B7V5,143-954 | 1 | 900mV @ 10mA | 5V에서 1μA | 7.5V | 15옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBR941 | 0.2500 | ![]() | 175 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 360mW | TO-236AB | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 요청 시 REACH 정보 제공 | 2832-PBR941TR | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 16dB | 10V | 50mA | NPN | 100 @ 5mA, 6V | 9GHz | 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4220V,115 | 0.0500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | 900mW | SOT-666 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PBSS4220V,115-954 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 20V | 2A | 100nA | NPN | 350mV @ 200mA, 2A | 200 @ 1A, 2V | 210MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG3010BEV,115 | 0.0500 | ![]() | 141 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | 쇼트키 | SOT-666 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PMEG3010BEV,115-954 | 6,542 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 30V | 560mV @ 1A | 30V에서 150μA | 150°C(최대) | 1A | 70pF @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN6R0-25YLD115 | 0.2200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-PSMN6R0-25YLD115-954 | 1,340 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAS116GWJ | 1.0000 | ![]() | 6893 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SOD-123 | 기준 | SOD-123 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-BAS116GWJ-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 75V | 1.25V @ 150mA | 3μs | 75V에서 5nA | 150°C(최대) | 215mA | 2pF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7506-55A,127 | - | ![]() | 1400 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 55V | 75A(Tc) | 10V | 6.3m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | ±20V | 6000pF @ 25V | - | 300W(Tc) |

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

전세계 제조업체

재고 창고