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이산친구(1062)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	테스트 조건	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	관리요금	Td(켜기/끄기) @ 25°C	전압 - 출력(V(BR)GSS)	- 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0)	전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	저항 - RDS(켜짐)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
BZV90-C13,115	0.1500	보상요청	4	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 150°C	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA				1.5W	SOT-223	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZV90-C13,115-954			1																1V @ 50mA		100nA @ 8V																13V	30옴
BZX84-B24,215	0.0200	보상요청	255	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	±2%	-65°C ~ 150°C	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250mW	TO-236AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX84-B24,215-954	EAR99	8541.10.0050	1																900mV @ 10mA		16.8V에서 50nA																24V	70옴
PMBF4391	0.8700	보상요청	22	NXP 반도체	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250mW	TO-236AB	-	ROHS3 준수	1(무제한)	요청 시 REACH 정보 제공	2832-PMBF4391TR	EAR99	8541.21.0080	575			N채널		40V							14pF @ 20V																		40V	20V에서 50mA	4V @ 1nA				30옴
PMBT2222A,235	-	보상요청	4493	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PMBT2222			250mW	TO-236AB	-		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMBT2222A,235-954	EAR99	8541.21.0075	1																							40V	600mA									10μA(ICBO)				NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	300MHz
BAT54L,315	0.0300	보상요청	21	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			표면 실장	SOD-882	BAT54		쇼트키		DFN1006-2	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BAT54L,315-954	EAR99	8541.10.0070	1		작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도													30V	800mV @ 100mA		25V에서 2μA	150°C(최대)	200mA	10pF @ 1V, 1MHz
BZX84-A20,215	0.1000	보상요청	127	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	±1%	-65°C ~ 150°C	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250mW	TO-236AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX84-A20,215-954	EAR99	8541.10.0050	1																900mV @ 10mA		14V에서 50nA																20V	55옴
BC51PASX	0.0600	보상요청	54	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	3-UDFN 옆패드				420mW	DFN2020D-3	다운로드					EAR99	8541.29.0075	1																							45V	1A									100nA(ICBO)				PNP	500mV @ 50mA, 500mA	63 @ 150mA, 2V	145MHz
PBSS4260QAZ	0.0800	보상요청	305	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드					EAR99	8541.21.0075	3,904
PDTC143ZU,115	-	보상요청	6330	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PDTC143ZU,115-954			1
BC847BPN,115	-	보상요청	4290	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드						0000.00.0000	1
BZB84-B30,215	0.0300	보상요청	80	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±2%	-	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				300mW	TO-236AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZB84-B30,215-954			11,823	1쌍 구역															900mV @ 10mA		50nA @ 21V																30V	80옴
BZX585-C20,115	1.0000	보상요청	8197	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 150°C	표면 실장	SC-79, SOD-523				300mW	SOD-523	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX585-C20,115-954	EAR99	8541.10.0050	1																1.1V @ 100mA		14V에서 50nA																20V	55옴
BZV55-C24,135	0.0200	보상요청	220	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 200°C	표면 실장	DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80				500mW	LLDS; 미니멜프	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZV55-C24,135-954			1																900mV @ 10mA		50nA @ 700mV																24V	70옴
PMBT2222,215	1.0000	보상요청	2242	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PMBT2222			250mW	TO-236AB	-		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMBT2222,215-954	EAR99	8541.21.0075	1																							30V	600mA									10nA(ICBO)				NPN	1.6V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	250MHz
PSMN2R0-60PS,127	1.0000	보상요청	5598	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	PSMN2R0		MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드		해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PSMN2R0-60PS,127-954			1			N채널		60V	120A(Tc)	10V	2.2m옴 @ 25A, 10V	4V @ 1mA	137nC @ 10V	±20V	9997pF @ 30V	-	338W(Tc)
PBHV8115TLH215	0.0900	보상요청	4	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	공급자가 규정하지 않는 경우	2156-PBHV8115TLH215-954			4,000
NZX13A,133	0.0200	보상요청	88	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±2%	-55°C ~ 175°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향				500mW	ALF2	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-NZX13A,133-954			1																1.5V @ 200mA		100nA @ 8V																13V	35옴
PZU9.1B2A,115	0.0300	보상요청	25	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±2%	-55°C ~ 150°C	표면 실장	SC-76, SOD-323				320mW	SOD-323	다운로드						0000.00.0000	11,632																1.1V @ 100mA		500nA @ 6V																9.1V	10옴
BUK7620-100A,118	0.5700	보상요청	3	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BUK7620-100A,118-954	EAR99	0000.00.0000	1			N채널		100V	63A(Tc)	10V	20m옴 @ 25A, 10V	4V @ 1mA		±20V	4373pF @ 25V	-	200W(Tc)
BAT54VV,115	-	보상요청	5705	NXP 반도체	*	대부분	활동적인					BAT54					다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BAT54VV,115-954			1
PDTA144WT,215	0.0200	보상요청	107	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PDTA144WT,215-954			1
MRF085HR5178	146.7100	보상요청	100	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-MRF085HR5178-954			1
TDZ3V3J,115	0.0300	보상요청	10	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101, TDZxJ	대부분	활동적인	±2%	-55°C ~ 150°C	표면 실장	SC-90, SOD-323F	TDZ3V3			500mW	SOD-323F	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-TDZ3V3J,115-954	EAR99	8541.10.0050	1																1.1V @ 100mA		1V에서 5μA																3.3V	95옴
NZX24C,133	0.0200	보상요청	249	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±2%	-55°C ~ 175°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향				500mW	ALF2	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-NZX24C,133-954			1																1.5V @ 200mA		16.8V에서 50nA																24V	70옴
STGWT20V60DF	1.5200	보상요청	600	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3		기준		167W	TO-3P-3	-				2156-STGWT20V60DF			198				400V, 20A, 15V													40ns					트렌치 필드스톱	600V	40A	80A	2.2V @ 15V, 20A	200μJ(켜짐), 130μJ(꺼짐)	116nC	38ns/149ns
BZX585-C11,115	-	보상요청	8989	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 150°C	표면 실장	SC-79, SOD-523				300mW	SOD-523	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX585-C11,115-954			1																1.1V @ 100mA		8V에서 100μA																11V	10옴
NZX7V5D,133	-	보상요청	5910	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±2%	-55°C ~ 175°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향	NZX7V5			500mW	ALF2	다운로드					EAR99	8541.10.0050	1																1.5V @ 200mA		5V에서 1μA																7.5V	15옴
BZB984-C3V6,115	0.0400	보상요청	133	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	-	표면 실장	SOT-663				265mW	SOT-663	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZB984-C3V6,115-954	EAR99	8541.10.0050	1	1쌍 구역															900mV @ 10mA		1V에서 5μA																3.6V	85옴
PMBD914,215	0.0200	보상요청	191	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PMBD914		기준		TO-236AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMBD914,215-954			1		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)													100V	1.25V @ 150mA	4ns	75V에서 1μA	150°C(최대)	215mA	1.5pF @ 0V, 1MHz
BZX79-C3V3,143	0.0200	보상요청	290	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향				400mW	ALF2	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BZX79-C3V3,143-954			1																900mV @ 10mA		1V에서 5μA																3.3V	95옴

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

이산친구(1062)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²