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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
RBR20BM60AFHTL Rohm Semiconductor RBR20BM60AFHTL 1.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RBR20 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 20A 590 mV @ 10 a 600 µa @ 60 v 150 ° C (°)
2SB1237TV2R Rohm Semiconductor 2SB1237TV2R -
RFQ
 ECAD 2797 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-sip 1 W. ATV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 32 v 1 a 500NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 180 @ 100MA, 3V 150MHz
RBR2LB30ATBR1 Rohm Semiconductor RBR2LB30ATBR1 0.6100
RFQ
 ECAD 2742 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB RBR2LB Schottky SMBP 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 490 mV @ 2 a 80 µa @ 30 v 150 ° C 2A -
2SA2088U3HZGT106Q Rohm Semiconductor 2SA2088U3HZGT106Q 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 500 MA 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 10ma, 100ma 120 @ 50MA, 2V 400MHz
SP8J65TB1 Rohm Semiconductor SP8J65TB1 -
RFQ
 ECAD 6043 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8J65 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 30V 7a 29mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 18NC @ 5V 1200pf @ 10V 논리 논리 게이트
RSX501L-20TE25 Rohm Semiconductor RSX501L-20TE25 0.5800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RSX501 Schottky PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 390 mV @ 3 a 500 µa @ 20 v 125 ° C (°) 5a -
DTC143ZUBTL Rohm Semiconductor DTC143ZUBTL -
RFQ
 ECAD 8255 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-85 DTC143 200 MW umt3f 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
MTZJT-7710B Rohm Semiconductor MTZJT-7710B -
RFQ
 ECAD 1007 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 500MW MSD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 7 v 10 v 20 옴
UDZVTE-176.8B Rohm Semiconductor UDZVTE-176.8B 0.2700
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F udzvte 200 MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 NA @ 3.5 v 6.8 v 40
RBR20T40ANZC9 Rohm Semiconductor RBR20T40ANZC9 1.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RBR20 Schottky TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 10A 620 MV @ 10 a 240 µa @ 40 v 150 ° C
RBE05SM20AT2R Rohm Semiconductor RBE05SM20AT2R -
RFQ
 ECAD 2632 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-79, SOD-523 Schottky EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 530mV @ 500 MA 150 µa @ 20 v 150 ° C (°) 500ma -
UFZVTE-1716B Rohm Semiconductor UFZVTE-1716B 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.66% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F ufzvte 500MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 12 v 16 v 18 옴
RF201LAM2STFTR Rohm Semiconductor RF201LAM2STFTR 0.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 RF201 기준 pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 870 mv @ 2 a 25 ns 10 µa @ 200 v 150 ° C (°) 2A -
TFZGTR6.2B Rohm Semiconductor TFZGTR6.2B 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 TFZGTR6.2 500MW Tumd2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 3 v 6.2 v 10 옴
R5011ANJTL Rohm Semiconductor r5011anjtl 1.9272
RFQ
 ECAD 1713 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R5011 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 11A (TA) 10V 500mohm @ 5.5a, 10V 4.5V @ 1mA 30 nc @ 10 v ± 30V 1000 pf @ 25 v - 75W (TC)
EDZVT2R2.2B Rohm Semiconductor EDZVT2R2.2B 0.3800
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Rohm 반도체 EDZV 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 4.32% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 150 MW EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 120 µa @ 700 mV 2.2 v 100 옴
RFN1LAM7STR Rohm Semiconductor rfn1lam7str 0.4400
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 rfn1lam7 기준 pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 700 v 1.5 v @ 800 ma 80 ns 1 µa @ 700 v 150 ° C (°) 800ma -
RCX200N20 Rohm Semiconductor RCX200N20 1.6400
RFQ
 ECAD 123 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RCX200 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 200 v 20A (TC) 10V 130mohm @ 10a, 10V 5V @ 1MA 40 nc @ 10 v ± 30V 1900 pf @ 25 v - 2.23W (TA), 40W (TC)
DTD543ZMT2L Rohm Semiconductor DTD543ZMT2L 0.1035
RFQ
 ECAD 4048 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTD543 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 12 v 500 MA 500NA npn-사전- 300mv @ 5ma, 100ma 140 @ 100MA, 2V 260MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
EDZTE612.4B Rohm Semiconductor edzte612.4b -
RFQ
 ECAD 6113 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000
RRL025P03TR Rohm Semiconductor rrl025p03tr 0.7000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 RRL025 MOSFET (금속 (() Tumt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 2.5A (TA) 4V, 10V 75mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 1mA 5.2 NC @ 5 v ± 20V 480 pf @ 10 v - 320MW (TA)
DTB143ECHZGT116 Rohm Semiconductor DTB143ECHZGT116 0.2700
RFQ
 ECAD 255 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB143 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 500 MA - pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 47 @ 50MA, 5V 200MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RQ6E080AJTCR Rohm Semiconductor RQ6E080AJTCR 0.8000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RQ6E080 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 8A (TA) 2.5V, 4.5V 16.5mohm @ 8a, 4.5v 1.5V @ 2MA 16.2 nc @ 4.5 v ± 12V 1810 pf @ 15 v - 950MW (TA)
RSQ035P03HZGTR Rohm Semiconductor rsq035p03hzgtr 0.8100
RFQ
 ECAD 146 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RSQ035 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 3.5A (TA) 4V, 10V 65mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 1mA 9.2 NC @ 5 v ± 20V 780 pf @ 10 v - 950MW (TA)
CDZT2RA9.1B Rohm Semiconductor cdzt2ra9.1b 0.0841
RFQ
 ECAD 9923 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2.09% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-923 CDZT2 100MW VMN2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 500 na @ 6 v 9.1 v 30 옴
BZX84B33VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B33VLYFHT116 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.12% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 23 v 33 v 80 옴
2SC4617E3HZGTLQ Rohm Semiconductor 2SC4617E3HZGTLQ 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 2SC4617 150 MW EMT3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 180MHz
SH8K52GZETB Rohm Semiconductor SH8K52GZETB 1.2600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SH8K52 MOSFET (금속 (() 1.4W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 100V 3A (TA) 170mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 1mA 8.5NC @ 5V 610pf @ 25v -
EDZVT2R2.4B Rohm Semiconductor EDZVT2R2.4B 0.2800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 EDZV 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 EDZVT2 150 MW EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 120 µa @ 500 mV 2.4 v 100 옴
RB088RSM10STFTL1 Rohm Semiconductor RB088RSM10STFTL1 1.6000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn Schottky TO-277A 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 840 mV @ 10 a 3.7 µa @ 100 v 175 ° C 10A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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