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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PTZTE2520B Rohm Semiconductor PTZTE2520B 0.2014
RFQ
 ECAD 5725 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 6% - 표면 표면 DO-214AC, SMA PTZTE2520 1 W. PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 15 v 20.8 v 14 옴
TFZVTR2.4B Rohm Semiconductor tfzvtr2.4b 0.3700
RFQ
 ECAD 265 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 TFZVTR2.4 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 120 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
DTC014TEBTL Rohm Semiconductor DTC014TEBTL 0.1900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTC014 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 150MV @ 500µA, 5MA 100 @ 5ma, 10V 250MHz 10 KOHMS
IMH10AT110 Rohm Semiconductor IMH10AT110 0.4900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-74, SOT-457 IMH10 300MW smt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
BM63374S-VA Rohm Semiconductor BM63374S-VA 24.6300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 25-powerdip ip (1.134 ", 28.80mm) IGBT BM63374 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-BM63374S-VA 귀 99 8542.39.0001 60 3 상 인버터 15 a 600 v 1500VRMS
DTC114YMFHAT2L Rohm Semiconductor dtc114ymfhat2l 0.2800
RFQ
 ECAD 735 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTC114 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 100 MA - npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 47 Kohms
RB161VA-20TR Rohm Semiconductor RB161VA-20TR 0.1565
RFQ
 ECAD 8926 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 2-SMD,, 리드 RB161 Schottky Tumd2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 420 MV @ 1 a 1 ma @ 20 v 125 ° C (°) 1A -
RGS80TSX2HRC11 Rohm Semiconductor RGS80TSX2HRC11 11.6100
RFQ
 ECAD 2889 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGS80 기준 555 W. TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGS80TSX2HRC11 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 40A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 1200 v 80 a 120 a 2.1V @ 15V, 40A 3MJ (on), 3.1mj (OFF) 104 NC 49ns/199ns
DTA114TUBTL Rohm Semiconductor dta114tubtl 0.0366
RFQ
 ECAD 6332 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTA114 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 10 KOHMS
RBR2LAM60ATFTR Rohm Semiconductor rbr2lam60atftr 0.4500
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 rbr2lam60 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 75 µa @ 60 v 150 ° C (°) 2A -
RRR040P03TL Rohm Semiconductor RRR040P03TL 0.1351
RFQ
 ECAD 4266 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RRR040 MOSFET (금속 (() TSMT3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4A (TA) 4V, 10V 45mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 1mA 10.5 nc @ 5 v ± 20V 1000 pf @ 10 v - 1W (TA)
RF071LAM4STFTR Rohm Semiconductor RF071LAM4STFTR 0.3900
RFQ
 ECAD 192 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 RF071 기준 pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 700 ma 25 ns 10 µa @ 400 v 150 ° C (°) 1A -
PDZVTR2.4B Rohm Semiconductor PDZVTR2.4B 0.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 PDZV 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-128 PDZVTR2.4 1 W. pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 µa @ 1 v 2.4 v 15 옴
EDZVT2R8.2B Rohm Semiconductor EDZVT2R8.2B 0.2800
RFQ
 ECAD 222 0.00000000 Rohm 반도체 EDZV 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 EDZVT2 150 MW EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 500 na @ 5 v 8.2 v 30 옴
RB521S-30HRTE61 Rohm Semiconductor RB521S-30HRTE61 -
RFQ
 ECAD 8807 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 RB521 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RB521S-30HRTE61TR 귀 99 8541.10.0070 3,000
DTA113ZEBTL Rohm Semiconductor DTA113ZEBTL 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTA113 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
KDZVTFTR13B Rohm Semiconductor KDZVTFTR13B 0.4700
RFQ
 ECAD 728 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101, KDZVTF 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.54% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F KDZVTFTR13 1 W. PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 10 v 14.15 v
EDZTE6110B Rohm Semiconductor edzte6110b -
RFQ
 ECAD 2654 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 EDZTE6110 150 MW EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 7 v 10 v 30 옴
RB168L150TE25 Rohm Semiconductor RB168L150TE25 0.1613
RFQ
 ECAD 5329 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RB168 Schottky PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 840 mV @ 1 a 4 µa @ 150 v 150 ° C (°) 1A -
RGT16NS65DGC9 Rohm Semiconductor RGT16NS65DGC9 2.7900
RFQ
 ECAD 663 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA RGT16 기준 94 w TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 8A, 10ohm, 15V 42 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 16 a 24 a 2.1V @ 15V, 8A - 21 NC 13ns/33ns
SCS220KGC17 Rohm Semiconductor SCS220KGC17 13.0800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220ACFP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCS220KGC17 귀 99 8541.10.0080 1,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.6 V @ 20 a 0 ns 400 µa @ 1200 v 175 ° C 20A 1050pf @ 1v, 1MHz
DTC043XUBTL Rohm Semiconductor dtc043xubtl 0.2300
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-85 DTC043 200 MW umt3f 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 150MV @ 500µA, 5MA 35 @ 5MA, 10V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
UMH10NFHATN Rohm Semiconductor umh10nfhatn 0.4800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMH10 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
R6015KNZC17 Rohm Semiconductor R6015KNZC17 4.9800
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6015 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6015KNZC17 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 15A (TC) 10V 290mohm @ 6.5a, 10V 5V @ 1MA 27.5 nc @ 10 v ± 20V 1050 pf @ 25 v - 60W (TC)
RSH070N05GZETB Rohm Semiconductor RSH070N05GZETB 1.1500
RFQ
 ECAD 2261 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSH070 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 45 v 7A (TA) 4V, 10V 25mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 16.8 nc @ 5 v ± 20V 1000 pf @ 10 v - 2W (TA)
RB480SGTE61 Rohm Semiconductor RB480SGTE61 -
RFQ
 ECAD 9238 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-rb480sgte61tr 쓸모없는 3,000
EDZVFHT2R4.3B Rohm Semiconductor EDZVFHT2R4.3B 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3.02% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 EDZVFHT2 150 MW EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 5 µa @ 1 v 4.3 v 100 옴
2SC4617TLQ Rohm Semiconductor 2SC4617TLQ 0.3500
RFQ
 ECAD 923 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 2SC4617 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 180MHz
RS1G120MNTB Rohm Semiconductor RS1G120MNTB 0.5800
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn Rs1g MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 12A (TA) 4.5V, 10V 16.2mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 1mA 9.4 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 20 v - 3W (TA), 25W (TC)
RTF016N05TL Rohm Semiconductor RTF016N05TL 0.5200
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 RTF016 MOSFET (금속 (() tumt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 45 v 1.6A (TA) 2.5V, 4.5V 190mohm @ 1.6a, 4.5v 1.5V @ 1mA 2.3 NC @ 4.5 v ± 12V 150 pf @ 10 v - 320MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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