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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
2SAR502E3HZGTL Rohm Semiconductor 2SAR502E3HZGTL 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 2SAR502 150 MW EMT3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 30 v 500 MA 200NA (ICBO) PNP 400mv @ 10ma, 200ma 200 @ 100ma, 2v 520MHz
DTD113EKFRAT146 Rohm Semiconductor DTD113EKFRAT146 0.1594
RFQ
 ECAD 3903 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTD113 200 MW smt3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 33 @ 50MA, 5V 200MHz 1 KOHMS 1 KOHMS
2SCR544PT100 Rohm Semiconductor 2SCR544PT100 0.7100
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SCR544 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 2.5 a 1µA (ICBO) NPN 300mv @ 50ma, 1a 120 @ 100MA, 3V 280MHz
RBQ30NS45BFHTL Rohm Semiconductor RBQ30NS45BFHTL 2.2300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RBQ30 Schottky LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 590 mV @ 30 a 350 µa @ 45 v 150 ° C (°) 30A -
RB168VWM-60TR Rohm Semiconductor RB168VWM-60TR 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RB168 Schottky PMDE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 760 mV @ 1 a 500 NA @ 60 v 175 ° C 1A -
RRS110N03TB1 Rohm Semiconductor RRS110N03TB1 -
RFQ
 ECAD 5244 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RRS110 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 11A (TA) 4V, 10V 12.6MOHM @ 11a, 10V 2.5V @ 1mA 33 NC @ 5 v ± 20V 2000 pf @ 10 v - 2W (TA)
EDZGTE615.6B Rohm Semiconductor edzgte615.6b -
RFQ
 ECAD 5381 0.00000000 Rohm 반도체 EDZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 Edzgt 100MW 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-EDZGTE615.6BTR 귀 99 8541.10.0050 3,000
BSM080D12P2C008 Rohm Semiconductor BSM080D12P2C008 382.4800
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Rohm 반도체 - 쟁반 활동적인 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 BSM080 실리콘 실리콘 (sic) 600W 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 12 2 n 채널 (채널) 1200V (1.2kv) 80A (TC) - 4V @ 13.2ma - 800pf @ 10V -
RSD130P10TL Rohm Semiconductor RSD130P10TL 0.8604
RFQ
 ECAD 5849 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RSD130 MOSFET (금속 (() CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 100 v 13A (TA) 4V, 10V - - ± 20V - 20W (TA)
KDZVTR2.7B Rohm Semiconductor KDZVTR2.7B 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 KDZV 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.41% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F KDZVTR2.7 1 W. PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 µa @ 1 v 2.9 v
RB162LAM-60TFTR Rohm Semiconductor rb162lam-60tftr 0.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 RB162 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 100 µa @ 60 v 150 ° C (°) 1A -
RR2LAM4STR Rohm Semiconductor rr2lam4str 0.4800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOD-128 rr2lam4 기준 pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 400 v 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 400 v 150 ° C (°) 2A -
RB520VM-40TE-17 Rohm Semiconductor RB520VM-40TE-17 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F RB520 Schottky UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 550 mV @ 100 ma 10 µa @ 40 v 150 ° C 200ma -
EDZFJTE615.6B Rohm Semiconductor edzfjte615.6b -
RFQ
 ECAD 9220 0.00000000 Rohm 반도체 EDZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 Edzfjt 100MW 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-edzfjte615.6btr 귀 99 8541.10.0050 3,000
RBR10BGE60ATL Rohm Semiconductor RBR10BGE60ATL 1.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RBR10 Schottky TO-252GE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 650 mV @ 5 a 200 µa @ 60 v 150 ° C
EMG2T2R Rohm Semiconductor EMG2T2R 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-SMD (5 d), 플랫 리드 EMG2T2 150MW EMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47kohms 47kohms
SCT4018KW7TL Rohm Semiconductor SCT4018KW7TL 38.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA sicfet ((카바이드) TO-263-7L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 1200 v 75A (TJ) 18V 23.4mohm @ 42a, 18V 4.8V @ 22.2ma 170 nc @ 18 v +21V, -4V 4532 pf @ 800 v - 267W
DTA123EE3TL Rohm Semiconductor DTA123EE3TL 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 DTA124E 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA123 150 MW EMT3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- + 다이오드 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
TDZTR18 Rohm Semiconductor tdztr18 0.3800
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 tdztr18 500MW Tumd2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 12 v 18 v
R6015ENZC17 Rohm Semiconductor R6015ENZC17 4.9800
RFQ
 ECAD 294 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6015 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6015ENZC17 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 15A (TC) 10V 290mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 1MA 40 nc @ 10 v ± 20V 910 pf @ 25 v - 120W (TC)
RGTH50TK65DGC11 Rohm Semiconductor RGTH50TK65DGC11 6.2800
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-3pfm, SC-93-3 RGTH50 기준 59 w to-3pfm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 25A, 10ohm, 15V 58 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 26 a 100 a 2.1V @ 15V, 25A - 49 NC 27ns/94ns
2SCR574DGTL Rohm Semiconductor 2SCR574DGTL 0.4665
RFQ
 ECAD 9866 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SCR574 10 W. CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 80 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 300mv @ 50ma, 1a 120 @ 100MA, 3V 280MHz
RSQ015N06TR Rohm Semiconductor rsq015n06tr 0.2100
RFQ
 ECAD 9373 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RSQ015 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 1.5A (TA) 4V, 10V 290mohm @ 1.5a, 10V 2.5V @ 1mA 2 nc @ 5 v ± 20V 110 pf @ 10 v - 950MW (TA)
QS6J11TR Rohm Semiconductor qs6j11tr 0.6300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 QS6J11 MOSFET (금속 (() 600MW TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 2A 105mohm @ 2a, 4.5v 1V @ 1mA 6.5NC @ 4.5V 770pf @ 6v 논리 논리 게이트
RB481Y-40T2R Rohm Semiconductor RB481Y-40T2R -
RFQ
 ECAD 6452 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-75-4, SOT-543 RB481Y-40 Schottky EMD4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 40 v 200ma 450 mV @ 100 ma 90 µa @ 40 v 125 ° C (°)
RLZTE-1130B Rohm Semiconductor RLZTE-1130B -
RFQ
 ECAD 6010 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% - 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW llds 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 200 na @ 23 v 28.4 v 55 옴
BZX84C22VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84C22VLYT116 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.68% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 15 v 22 v 56 옴
DTC114TE3HZGTL Rohm Semiconductor DTC114TE3HZGTL 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC114 150 MW EMT3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-DTC114TE3HZGTLCT 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 10 KOHMS
RSX058BM2STL Rohm Semiconductor RSX058BM2STL 1.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Schottky TO-252 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 870 mV @ 3 a 200 na @ 200 v 175 ° C 3A -
RFN30TS6SGC11 Rohm Semiconductor RFN30TS6SGC11 2.5630
RFQ
 ECAD 7713 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 새로운 새로운 아닙니다 구멍을 구멍을 TO-247-3 RFN30 기준 TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 450 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.55 V @ 30 a 60 ns 10 µa @ 600 v 150 ° C (°) 30A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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