| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 테스트 조건 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RBQ20BGE65ATL | 2.1500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 로옴 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | RBQ20 | 쇼트키 | TO-252GE | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1쌍의 세션이 시작됩니다 | 65V | 20A | 630mV @ 10A | 65V에서 200μA | 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD3T100CNTL1 | 1.5900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 로옴 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | RD3T100 | MOSFET(금속) | TO-252 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 200V | 10A(TC) | 10V | 182m옴 @ 5A, 10V | 5.25V @ 1mA | 25nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1400pF | - | 85W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SH8M12TB1 | 0.4439 | ![]() | 6892 | 0.00000000 | 로옴 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | SH8M12 | MOSFET(금속) | 2W | 8-SOP | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N 및 P 채널 | 30V | 5A, 4.5A | 42m옴 @ 5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 4nC @ 5V | 250pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SP8M4FU6TB | - | ![]() | 7977 | 0.00000000 | 로옴 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | SP8M4 | MOSFET(금속) | 2W | 8-SOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N 및 P 채널 | 30V | 9A, 7A | 18m옴 @ 9A, 10V | 2.5V @ 1mA | 21nC @ 5V | 1190pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMG9T2R | 0.3900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 로옴 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | 6-SMD(5리드), 플랫 리드 | EMG9T2 | 150mW | EMT5 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 100mA | 500nA | 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) | 500μA, 10mA에서 300mV | 30 @ 5mA, 5V | 250MHz | 10k옴 | 10k옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB520S-309HLTE61 | - | ![]() | 3101 | 0.00000000 | 로옴 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | RB520 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 846-RB520S-309HLTE61TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KDZVTFTR22B | 0.4700 | ![]() | 9146 | 0.00000000 | 로옴 | 자동차, AEC-Q101, KDZVTF | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | ±5.68% | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOD-123F | KDZVTFTR22 | 1W | PMDU | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 17V에서 10μA | 23.25V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB531SM-30FHT2R | 0.3700 | ![]() | 32 | 0.00000000 | 로옴 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SC-79, SOD-523 | RB531 | 쇼트키 | EMD2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 30V | 350mV @ 10mA | 10V에서 10μA | 125°C(최대) | 200mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB558VYM150FHTR | 0.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 로옴 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | 표면 실장 | 2-SMD, 플랫 리드 | RB558 | 쇼트키 | TUMD2M | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 150V | 950mV @ 500mA | 6.35ns | 150V에서 500nA | 150°C(최대) | 500mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT4045DEC11 | 14.8500 | ![]() | 430 | 0.00000000 | 로옴 | - | 튜브 | 활동적인 | 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | SCT4045 | SiCFET(탄화규소) | TO-247N | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 846-SCT4045DEC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | N채널 | 750V | 34A(티씨) | 18V | 59m옴 @ 17A, 18V | 4.8V @ 8.89mA | 63nC @ 18V | +21V, -4V | 500V에서 14600pF | - | 115W | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6530ENZ4C13 | 6.8600 | ![]() | 486 | 0.00000000 | 로옴 | - | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | R6530 | MOSFET(금속) | TO-247G | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 846-R6530ENZ4C13 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 650V | 30A(Tc) | 10V | 140m옴 @ 14.5A, 10V | 4V @ 960μA | 90nC @ 10V | ±20V | 2100pF @ 25V | - | 305W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6020ENXC7G | 5.3400 | ![]() | 956 | 0.00000000 | 로옴 | - | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | R6020 | MOSFET(금속) | TO-220FM | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 846-R6020ENXC7G | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 20A(타) | 10V | 196m옴 @ 9.5A, 10V | 4V @ 1mA | 60nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1400pF | - | 68W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZWTE-1724B | - | ![]() | 5940 | 0.00000000 | 로옴 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SC-90, SOD-323F | UMD2 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0000.00.0000 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143TCAT116 | 0.0488 | ![]() | 5030 | 0.00000000 | 로옴 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTA143 | 200mW | SST3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 500nA(ICBO) | PNP - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 300mV, 5mA | 250MHz | 4.7kΩ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC115EE3HZGTL | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 로옴 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SC-75, SOT-416 | DTC115 | 150mW | EMT3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500nA | NPN - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 300mV, 5mA | 82 @ 5mA, 5V | 250MHz | 100kΩ | 100kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA114TMT2L | 0.0615 | ![]() | 2429 | 0.00000000 | 로옴 | DTA114T | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SOT-723 | DTA114 | 150mW | VMT3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 100mA | 500nA(ICBO) | PNP - 사전 바이어스됨 | 300mV @ 1mA, 10mA | 100 @ 1mA, 5V | 250MHz | 10kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6507KND3TL1 | 1.7200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 로옴 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | R6507 | MOSFET(금속) | TO-252 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 650V | 7A(TC) | 10V | 665m옴 @ 2.4A, 10V | 200μA에서 5V | 14.5nC @ 10V | ±20V | 470pF @ 25V | - | 78W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGW50TS65GC11 | 4.7400 | ![]() | 8799 | 0.00000000 | 로옴 | - | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -40°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | 기준 | 156W | TO-247N | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V, 25A, 10옴, 15V | 트렌치 필드스톱 | 650V | 50A | 100A | 1.9V @ 15V, 25A | 390μJ(켜짐), 430μJ(꺼짐) | 73nC | 35ns/102ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RLZTE-116.2B | - | ![]() | 2618 | 0.00000000 | 로옴 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±3% | - | 표면 실장 | DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 | 500mW | LLDS | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 3V에서 5μA | 6.2V | 10옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMP11NTN | 0.5200 | ![]() | 46 | 0.00000000 | 로옴 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | UMP11 | 기준 | UMD6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 2쌍 구역 | 80V | 100mA | 1.2V @ 100mA | 4ns | 70V에서 100nA | 150°C(최대) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZVTE-172.4B | 0.2700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 로옴 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | - | -55°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-90, SOD-323F | 우즈베테 | 200mW | UMD2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2.4V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB521S-40TE61 | - | ![]() | 4710 | 0.00000000 | 로옴 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SC-79, SOD-523 | RB521 | 쇼트키 | EMD2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 40V | 540mV @ 200mA | 40V에서 90μA | 150°C(최대) | 200mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SP8J5FU6TB | - | ![]() | 5786 | 0.00000000 | 로옴 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | SP8J5 | MOSFET(금속) | 2W | 8-SOP | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 P채널(듀얼) | 30V | 7A | 28m옴 @ 7A, 10V | 2.5V @ 1mA | 25nC @ 5V | 2600pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KDZTR7.5B | 0.5200 | ![]() | 488 | 0.00000000 | 로옴 | KDZ | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | ±6% | -55°C ~ 150°C | 표면 실장 | SOD-123F | KDZTR7.5 | 1W | PMDU | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 20μA @ 4V | 7.9V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4148T-77 | - | ![]() | 9782 | 0.00000000 | 로옴 | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 1N4148 | 기준 | GSD | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 75V | 1V @ 10mA | 4ns | 75V에서 5μA | -65°C ~ 200°C | 150mA | 4pF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ5L035GNTCL | 0.7800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 로옴 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-96 | RQ5L035 | MOSFET(금속) | TSMT3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 60V | 3.5A(타) | 4.5V, 10V | 50m옴 @ 3.5A, 10V | 50μA에서 2.7V | 7.3nC @ 10V | ±20V | 375pF @ 30V | - | 700mW(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB058L-40TE25 | 0.5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 로옴 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | 표면 실장 | DO-214AC, SMA | RB058 | 쇼트키 | PMDS | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 40V | 700mV @ 3A | 40V에서 5μA | 150°C(최대) | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EDZGJTE615.6B | - | ![]() | 4664 | 0.00000000 | 로옴 | EDZ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | -55°C ~ 125°C | 표면 실장 | EDZGJT | 100mW | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 846-EDZGJTE615.6BTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB162MM-30TFTR | 0.4800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 로옴 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SOD-123F | RB162 | 쇼트키 | PMDU | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 30V | 520mV @ 1A | 30V에서 100μA | 150°C(최대) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSS065N06FW6TB1 | - | ![]() | 9949 | 0.00000000 | 로옴 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 846-RSS065N06FW6TB1TR | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 2,500 | 6.5A |

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