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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 전류 전류 (ID) - 최대
DTC113ZE3TL Rohm Semiconductor DTC113ZE3TL 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 DTC143E 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC113 150 MW EMT3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- + 다이오드 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
UDZWTE-1710B Rohm Semiconductor udzwte-1710b -
RFQ
 ECAD 1422 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 3,000
UDZWTE-178.2B Rohm Semiconductor Udzwte-178.2b -
RFQ
 ECAD 6646 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 3,000
DSK9J01Q0L Rohm Semiconductor DSK9J01Q0L -
RFQ
 ECAD 5838 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-89, SOT-490 125 MW SSMINI3-F3-B - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-DSK9J01Q0LTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 6pf @ 10V 30 MA
QH8JC5TCR Rohm Semiconductor qh8jc5tcr 1.2600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 QH8JC5 MOSFET (금속 (() 1.1W (TA) TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 60V 3.5A (TA) 91mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 1mA 17.3NC @ 10V 850pf @ 30V -
RRQ030P03HZGTR Rohm Semiconductor rrq030p03hzgtr 0.6600
RFQ
 ECAD 806 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RRQ030 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 3A (TA) 4V, 10V 125mohm @ 1.5a, 4v 2.5V @ 1mA 5.2 NC @ 5 v ± 20V 480 pf @ 10 v - 950MW (TA)
R8007AND3FRATL Rohm Semiconductor R8007 및 3Fratl 5.2200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 R8007 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 800 v 7A (TC) 10V 1.6ohm @ 3.5a, 10V 5V @ 1MA 28 nc @ 10 v ± 30V 850 pf @ 25 v - 140W (TC)
RGS30TSX2DHRC11 Rohm Semiconductor RGS30TSX2DHRC11 8.2600
RFQ
 ECAD 543 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGS30 기준 267 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGS30TSX2DHRC11 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 15a, 10ohm, 15V 157 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 30 a 45 a 2.1V @ 15V, 15a 740µJ (ON), 600µJ (OFF) 41 NC 30ns/70ns
RD3H160SPFRATL Rohm Semiconductor RD3H160SPFRATL 1.7000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3H160 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 45 v 16A (TA) 4V, 10V 50mohm @ 16a, 10V 3V @ 1mA 16 nc @ 5 v ± 20V 2000 pf @ 10 v - 20W (TC)
R6507KNXC7G Rohm Semiconductor R6507KNXC7G 2.3500
RFQ
 ECAD 980 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6507 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 7A (TA) 10V 665mohm @ 2.4a, 10V 5V @ 200µA 14.5 nc @ 10 v ± 20V 470 pf @ 25 v - 46W (TC)
R6524KNZ4C13 Rohm Semiconductor R6524KNZ4C13 5.9900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 R6524 MOSFET (금속 (() TO-247G 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6524KNZ4C13 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 185mohm @ 11.3a, 10V 5V @ 750µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1850 pf @ 25 v - 245W (TC)
RH6L040BGTB1 Rohm Semiconductor RH6L040BGTB1 2.0600
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn RH6L040 MOSFET (금속 (() 8-HSMT (3.2x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 40A (TA) 4.5V, 10V 7.1MOHM @ 40A, 10V 2.5V @ 1mA 18.8 nc @ 10 v ± 20V 1320 pf @ 30 v - 2W (TA), 59W (TC)
BSS138BKWT106 Rohm Semiconductor BSS138BKWT106 0.4900
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BSS138 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-BSS138BKWT106TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 380MA (TA) 2.5V, 10V 680mohm @ 380ma, 10V 2V @ 10µA ± 20V 47 pf @ 30 v - 200MW (TA)
RR268MM-600TFTR Rohm Semiconductor rr268mm-600tftr 0.4200
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOD-123F RR268 기준 PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 400 v 980 MV @ 1 a 10 µa @ 400 v 150 ° C (°) 1A -
TFZVTR6.8B Rohm Semiconductor tfzvtr6.8b 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 TFZVTR6.8 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 µa @ 3.5 v 6.8 v 8 옴
RGWSX2TS65GC13 Rohm Semiconductor RGWSX2TS65GC13 6.8400
RFQ
 ECAD 5230 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGWSX2 기준 288 w TO-247G 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGWSX2TS65GC13 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 60A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 104 a 180 a 2V @ 15V, 60A 1.43mj (on), 1.2mj (OFF) 140 NC 55ns/180ns
QS6K1FRATR Rohm Semiconductor qs6k1fratr 0.6000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 QS6K1 MOSFET (금속 (() 900MW (TC) TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 1A (TA) 238mohm @ 1a, 4.5v 1.5V @ 1mA 2.4NC @ 4.5V 77pf @ 10V 로직 로직 게이트, 2.5V 드라이브
RGW80TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGW80TS65DGC11 6.5400
RFQ
 ECAD 438 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGW80 기준 214 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 10ohm, 15V 92 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 78 a 160 a 1.9V @ 15V, 40A 760µJ (on), 720µJ (OFF) 110 NC 44ns/143ns
R6547ENZ4C13 Rohm Semiconductor R6547ENZ4C13 9.5600
RFQ
 ECAD 466 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 R6547 MOSFET (금속 (() TO-247G 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6547ENZ4C13 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 47A (TC) 10V 80mohm @ 25.8a, 10V 4V @ 1.72ma 150 nc @ 10 v ± 20V 3800 pf @ 25 v - 480W (TC)
SH8M31GZETB Rohm Semiconductor SH8M31GZETB 1.9400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) Sh8m31 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 60V 4.5A (TA) 65mohm @ 4.5a, 10v, 70mohm @ 4.5a, 10v 3V @ 1mA 7NC @ 5V, 40NC @ 10V 500pf @ 10V, 2500pf @ 10V -
2SA2029FHAT2LQ Rohm Semiconductor 2SA2029FHAT2LQ 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 2SA2029 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 140MHz
BZX84C8V2LT116 Rohm Semiconductor BZX84C8V2LT116 0.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 6.1% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW SSD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
RD3L080SNFRATL Rohm Semiconductor RD3L080SNFRATL 1.5100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3L080 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 8A (TA) 4V, 10V 80mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 1mA 9.4 NC @ 10 v ± 20V 380 pf @ 10 v - 15W (TC)
R6024ENZ1C9 Rohm Semiconductor R6024ENZ1C9 -
RFQ
 ECAD 1809 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 600 v 24A (TC) 10V 165mohm @ 11.3a, 10V 4V @ 1MA 70 nc @ 10 v ± 20V 1650 pf @ 25 v - 120W (TC)
RBR2LAM30ATFTR Rohm Semiconductor rbr2lam30atftr 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 rbr2lam30 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 80 µa @ 30 v 150 ° C (°) 2A -
RFN5BGE2STL Rohm Semiconductor RFN5BGE2STL 1.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RFN5B 기준 TO-252GE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 980 MV @ 5 a 25 ns 10 µa @ 200 v 150 ° C 5a -
RDN100N20FU6 Rohm Semiconductor RDN100N20FU6 -
RFQ
 ECAD 9065 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RDN100 MOSFET (금속 (() TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 200 v 10A (TA) 10V 360mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 30 nc @ 10 v ± 30V 543 pf @ 10 v - 35W (TC)
PTZTFTE259.1B Rohm Semiconductor PTZTFTE259.1B 0.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.7% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1 W. PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 20 µa @ 6 v 9.65 v 6 옴
RK7002BT116 Rohm Semiconductor RK7002BT116 0.3200
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RK7002 MOSFET (금속 (() SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 250MA (TA) 2.5V, 10V 2.4ohm @ 250ma, 10V 2.3v @ 1ma ± 20V 15 pf @ 25 v - 200MW (TA)
R6022YNZ4C13 Rohm Semiconductor R6022YNZ4C13 6.8500
RFQ
 ECAD 3211 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 R6022 MOSFET (금속 (() TO-247G 다운로드 1 (무제한) 846-R6022YNZ4C13 30 n 채널 600 v 22A (TC) 10V, 12V 165mohm @ 6.5a, 12v 6V @ 1.8mA 33 NC @ 10 v ± 30V 1400 pf @ 100 v - 205W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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