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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
cdzt2ra5.6b	0.0841	RFQ	1474	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-923	CDZT2		100MW	VMN2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	8,000																		1 µa @ 2.5 v							5.6 v	60 옴
rfn2lam4str	0.5400	RFQ	1	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-128	rfn2lam4	기준		pmdtm	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1.2 v @ 1.5 a	30 ns	1 µa @ 400 v	150 ° C (°)	1.5A	-
RBR10T40ANZC9	1.1600	RFQ	996	Rohm 반도체	-	컷 컷 (CT)	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	RBR10	Schottky		TO-220FN	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	40 v	5a	620 MV @ 5 a		120 µa @ 40 v	150 ° C
RB068VWM-30TR	0.4800	RFQ	45	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 리드	RB068	Schottky		PMDE	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													30 v		750 mv @ 2 a		600 na @ 30 v	175 ° C	2A	-
RB058LAM100TFTR	0.5700	RFQ	17	Rohm 반도체	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-128	RB058	Schottky		pmdtm	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v				3 µa @ 150 v	150 ° C (°)	3A	-
edzfhte613.6b	-	RFQ	7299	Rohm 반도체	EDZ	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면		Edzfht		100MW		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		846-edzfhte613.6btr	귀 99	8541.10.0050	3,000
tdzvtr20	0.3800	RFQ	3	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	150 ° C (TJ)	표면 표면	2-SMD,, 리드	tdzvtr20		500MW	tumd2m	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																		10 µa @ 14 v							20 v
edzgte6110b	-	RFQ	2248	Rohm 반도체	EDZ	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면		Edzgt		100MW		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		846-EDZGTE6110BTR	귀 99	8541.10.0050	3,000
RBQ3RSM65BTFTL1	1.0800	RFQ	4	Rohm 반도체	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn		Schottky		TO-277A	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													65 v		570 mV @ 3 a		90 µa @ 65 v	150 ° C	3A	-
SST6427T116	0.1417	RFQ	1013	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다		-	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SST6427			smd3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000																						40 v		50NA (ICBO)			npn-달링턴	1.5V @ 500µA, 500mA	10000 @ 10ma, 5V	-
DTA043EMT2L	0.0382	RFQ	9910	Rohm 반도체	DTA043E	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOT-723	DTA043		150 MW	VMT3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	8,000																						50 v	100 MA	500NA			pnp- 사전- + 다이오드	150MV @ 500µA, 5MA	20 @ 5ma, 10V	250MHz	4.7 Kohms	4.7 Kohms
DA228KFHT146	0.4700	RFQ	1	Rohm 반도체	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DA228	기준		smd3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												1 연결 연결 시리즈	80 v	100ma	1.2 v @ 100 ma		100 na @ 80 v	150 ° C (°)
RSR025N03HZGTL	0.6500	RFQ	2	Rohm 반도체	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-96	RSR025	MOSFET (금속 (()		TSMT3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	30 v	2.5A (TA)	4V, 10V	70mohm @ 2.5a, 10V	2.5V @ 1mA	4.1 NC @ 5 v	± 20V	165 pf @ 10 v	-	700MW (TA)
SCT4062KW7TL	12.7000	RFQ	985	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA		sicfet ((카바이드)		TO-263-7L	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	1200 v	24A (TJ)	18V	81mohm @ 12a, 18V	4.8V @ 6.45MA	64 NC @ 18 v	+21V, -4V	1498 pf @ 800 v	-	93W
KDZVTR3.3B	0.4300	RFQ	4	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.06%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	KDZVTR3.3		1 W.	PMDU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																		80 µa @ 1 v							3.3 v
pdzvtftr9.1b	0.4400	RFQ	1	Rohm 반도체	자동차, AEC-Q101, PDZVTF	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.04%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-128	pdzvtftr9.1		1 W.	pmdtm	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																		20 µa @ 6 v							9.65 v	6 옴
PTZTFTE2530B	0.6100	RFQ	2	Rohm 반도체	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.25%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA			1 W.	PMD	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500																		10 µa @ 23 v							32 v	18 옴
RB520S-30T9TE61	-	RFQ	1504	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는					RB520				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		846-RB520S-30T9TE61TR	귀 99	8541.10.0070	3,000
rue002n02tl	0.4600	RFQ	30	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다		150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-75, SOT-416	rue002	MOSFET (금속 (()		EMT3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	20 v	200MA (TA)	1.2V, 2.5V	1.2ohm @ 200ma, 2.5v	1V @ 1mA		± 8V	25 pf @ 10 v	-	150MW (TA)
EMH4FHAT2R	0.0958	RFQ	4607	Rohm 반도체	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다			표면 표면	SOT-563, SOT-666	EMH4FHAT2		150MW	EMT6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	8,000																						50V	100ma	500NA (ICBO)			2 npn--바이어스 (듀얼)	300mv @ 1ma, 10ma	100 @ 1ma, 5V	250MHz	10kohms	-
RB060M-60TR	0.4000	RFQ	5	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다			표면 표면	SOD-123F	RB060	Schottky		PMDU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		610 MV @ 2 a		50 µa @ 60 v	150 ° C (°)	2A	-
BZX84C18VLYT116	0.4200	RFQ	1	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.39%	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																		100 na @ 13 v							18 v	45 옴
1SS4009HNTE61	-	RFQ	3785	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는									-	Rohs3 준수	1 (무제한)		846-1SSSSS4009HNTE61TR	쓸모없는		3,000
2SD2153T100W	0.6400	RFQ	5	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	2SD2153		2 w	MPT3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1,000																						25 v	2 a	500NA (ICBO)			NPN	500mv @ 20ma, 1a	1200 @ 500ma, 6V	110MHz
UDZVTE-179.1B	0.2700	RFQ	2	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-90, SOD-323F	udzvte		200 MW	UMD2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																		500 na @ 6 v							9.1 v	30 옴
R6524KNX3C16	4.5500	RFQ	388	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	R6524	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	650 v	24A (TC)	10V	185mohm @ 11.3a, 10V	5V @ 750µA	45 NC @ 10 v	± 20V	1850 pf @ 25 v	-	253W (TC)
RLZTE-115.1C	-	RFQ	2168	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	llds	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500																		5 µa @ 1.5 v							5.1 v	20 옴
RB050M-30TR	0.1772	RFQ	5125	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다			표면 표면	SOD-123F	RB050	Schottky		PMDU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													30 v		510 mV @ 3 a		50 µa @ 30 v	150 ° C (°)	3A	-
rf101lam4str	0.4500	RFQ	8	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-128	RF101	기준		pmdtm	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1.25 V @ 1 a	25 ns	10 µa @ 400 v	150 ° C (°)	1A	-
RB480Y-40GT2R	-	RFQ	8041	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SC-75-4, SOT-543		Schottky		EMD4	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	846-RB480Y-40GT2RTR	귀 99	8541.10.0070	8,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												2 독립	30 v	100ma	530 mv @ 100 ma		1 µa @ 10 v	125 ° C (°)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (6960)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²