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불연속 불연속 제품 (6960)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 최대 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 저항 @ if, f 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DA221TL Rohm Semiconductor DA221TL 0.4200
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DA221 기준 EMD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 20 v 100ma 1 V @ 10 ma 100 na @ 15 v 150 ° C (°)
DTA124EETL Rohm Semiconductor dta124eetl 0.2300
RFQ
 ECAD 1038 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA124 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 30 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
2SAR542PFRAT100 Rohm Semiconductor 2SAR542PFRAT100 0.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SAR542 500MW MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 30 v 5 a 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 100ma, 2a 200 @ 500ma, 2v 240MHz
DTC115EUAT106 Rohm Semiconductor DTC115EUAT106 0.3000
RFQ
 ECAD 361 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC115 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 20 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 82 @ 5MA, 5V 250MHz 100 KOHMS 100 KOHMS
CDZVT2R3.9B Rohm Semiconductor cdzvt2r3.9b 0.2700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 cdzvt2 100MW vmn2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 5 µa @ 1 v 3.9 v 100 옴
UM6K33NTN Rohm Semiconductor um6k33ntn 0.3800
RFQ
 ECAD 887 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UM6K33 MOSFET (금속 (() 120MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 50V 200ma 2.2ohm @ 200ma, 4.5v 1V @ 1mA - 25pf @ 10V 로직 로직 게이트, 1.2v 드라이브
R6530ENZC8 Rohm Semiconductor R6530ENZC8 -
RFQ
 ECAD 7267 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6530 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 846-R6530ENZC8 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 30A (TC) 10V 140mohm @ 14.5a, 10V 4V @ 960µA 90 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 86W (TC)
DTC113ZUAT106 Rohm Semiconductor DTC113ZUAT106 0.2600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC113 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
2SC5060TV2M Rohm Semiconductor 2SC5060TV2M -
RFQ
 ECAD 7452 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-sip 1 W. ATV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 90 v 1 a 10µA (ICBO) npn-달링턴 1.5v @ 1ma, 500ma 1000 @ 500ma, 3v 80MHz
UMT2222AT106 Rohm Semiconductor UMT2222AT106 0.3800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 UMT2222 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
RGTH40TK65DGC11 Rohm Semiconductor RGTH40TK65DGC11 5.9600
RFQ
 ECAD 4329 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-3pfm, SC-93-3 RGTH40 기준 56 W. to-3pfm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 20A, 10ohm, 15V 58 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 23 a 80 a 2.1V @ 15V, 20A - 40 NC 22ns/73ns
UMF4NTR Rohm Semiconductor umf4ntr 0.1189
RFQ
 ECAD 2379 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMF4 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V, 12V 100ma, 500ma 500NA 1 npn 프리 n, 1 pnp 300mv @ 500µa, 10ma / 250mv @ 10ma, 200ma 20 @ 20ma, 5v / 270 @ 10ma, 2v 250MHz, 260MHz 2.2kohms 2.2kohms
2SB1694T106 Rohm Semiconductor 2SB1694T106 0.4300
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SB1694 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 380mv @ 25ma, 500ma 270 @ 100MA, 2V 320MHz
SCT3160KLGC11 Rohm Semiconductor SCT3160KLGC11 10.4900
RFQ
 ECAD 623 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCT3160 sicfet ((카바이드) TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 17A (TC) 18V 208mohm @ 5a, 18V 5.6v @ 2.5ma 42 NC @ 18 v +22V, -4V 398 pf @ 800 v - 103W (TC)
UMC4NTR Rohm Semiconductor umc4ntr 0.0851
RFQ
 ECAD 6975 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 50V 파워 파워 회로 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UMC4 UMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 100ma 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (기본 수집기 정션 정션)
RN152GT2R Rohm Semiconductor RN152GT2R -
RFQ
 ECAD 7524 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) SOD-723 RN152 VMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 100 MA 0.45pf @ 1v, 1MHz 핀 - 단일 30V 4.8ohm @ 1ma, 100mhz
RGTH00TS65GC11 Rohm Semiconductor RGTH00TS65GC11 4.7500
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGTH00 기준 277 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 85 a 200a 2.1V @ 15V, 50A - 94 NC 39ns/143ns
RGT8NS65DGTL Rohm Semiconductor RGT8NS65DGTL 1.5000
RFQ
 ECAD 4298 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RGT8NS65 기준 65 w LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 4A, 50ohm, 15V 40 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 8 a 12 a 2.1V @ 15V, 4A - 13.5 NC 17ns/69ns
RB886CST2RA Rohm Semiconductor RB886CST2RA 0.4000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 125 ° C (TJ) SOD-923 RB886 VMN2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 10 MA 0.8pf @ 1v, 1MHz Schottky- 싱글 5V -
UDZWTE-1710B Rohm Semiconductor udzwte-1710b -
RFQ
 ECAD 1422 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 3,000
UDZWTE-178.2B Rohm Semiconductor Udzwte-178.2b -
RFQ
 ECAD 6646 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 3,000
RN242CST2R Rohm Semiconductor RN242CST2R 0.0816
RFQ
 ECAD 1360 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 2-SMD,, 리드 RN242 VMN2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 100 MA 0.35pf @ 1v, 1MHz 핀 - 단일 30V 1.5ohm @ 10ma, 100MHz
RB876WTL Rohm Semiconductor RB876WTL 0.5300
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) SC-75, SOT-416 RB876 EMD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 10 MA 0.8pf @ 1v, 1MHz Schottky -1 1 시리즈 연결 5V -
RW1C020UNT2R Rohm Semiconductor rw1c020unt2r -
RFQ
 ECAD 1639 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 RW1C020 MOSFET (금속 (() 6-wemt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 n 채널 20 v 2A (TA) 1.5V, 4.5V 105mohm @ 2a, 4.5v 1V @ 1mA 2 nc @ 4.5 v ± 10V 180 pf @ 10 v - 400MW (TA)
UMF32NTR Rohm Semiconductor umf32ntr 0.1172
RFQ
 ECAD 3590 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 50V PNP, 30V N- 채널 범용 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMF32 UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 100MA PNP, 100MA N- 채널 pnp 바이어스 사전, n 채널
DTC124TKAT146 Rohm Semiconductor DTC124TKAT146 0.0463
RFQ
 ECAD 2943 0.00000000 Rohm 반도체 DTC124T 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC124 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 22 KOHMS
KDZVTR18B Rohm Semiconductor KDZVTR18B 0.3900
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Rohm 반도체 KDZV 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C 표면 표면 SOD-123F KDZVTR18 1 W. PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 13 v 19.15 v
RD3L03BATTL1 Rohm Semiconductor RD3L03BATTL1 1.5000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3L03 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-rd3l03battl1tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 35A (TA) 4.5V, 10V 41mohm @ 35a, 10V 2.5V @ 1mA 37 NC @ 10 v ± 20V 1930 pf @ 30 v - 56W (TA)
RN142ZS12ATE61 Rohm Semiconductor RN142ZS12ATE61 0.4312
RFQ
 ECAD 6495 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 12-xfdfn HMD12 (2.4x0.8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 50 MA 0.45pf @ 1v, 1MHz 핀 -6 독립 30V 1.5ohm @ 10ma, 100MHz
RSX078BGE2STL Rohm Semiconductor RSX078BGE2STL 1.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Schottky TO-252GE 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 920 MV @ 5 a 200 na @ 200 v 175 ° C 5a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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