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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전류- 누출 리버스 @ vr 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
2SCR533PT100 Rohm Semiconductor 2SCR533PT100 0.6000
RFQ
ECAD 416 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SCR533 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 50 v 3 a 1µA (ICBO) NPN 350MV @ 50MA, 1A 180 @ 50MA, 3V 320MHz
2SK2713 Rohm Semiconductor 2SK2713 -
RFQ
ECAD 3673 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SK27 MOSFET (금속 (() TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 450 v 5A (TA) 10V 1.4ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 1MA ± 30V 600 pf @ 10 v - 30W (TC)
UMH3NFHATN Rohm Semiconductor umh3nfhatn 0.3500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMH3 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz
RD3P07BBHTL1 Rohm Semiconductor RD3P07BBHTL1 3.0100
RFQ
ECAD 8402 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3P07 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 80A (TA), 70A (TC) 6V, 10V 7.7mohm @ 70a, 10V 4V @ 1MA 38 NC @ 10 v ± 20V 2410 pf @ 50 v - 89W (TA)
DTC024EMT2L Rohm Semiconductor DTC024EMT2L 0.2400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTC024 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 30 MA - npn-사전- 150MV @ 500µA, 5MA 60 @ 5MA, 10V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
SP8M9FU6TB Rohm Semiconductor SP8M9FU6TB -
RFQ
ECAD 7434 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8M9 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 9a, 5a 18mohm @ 9a, 10V 2.5V @ 1mA 21NC @ 5V 1190pf @ 10V 논리 논리 게이트
DTA144TKAT146 Rohm Semiconductor DTA144TKAT146 0.0488
RFQ
ECAD 2463 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA144 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 47 Kohms
DTA114WSATP Rohm Semiconductor DTA114WSATP -
RFQ
ECAD 7545 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 DTA114 300MW spt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 24 @ 10MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 4.7 Kohms
DTC143EE3TL Rohm Semiconductor DTC143EE3TL 0.3700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 DTC143E 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC143 150 MW EMT3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
2SB1188T100R Rohm Semiconductor 2SB1188T100R 0.6400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SB1188 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 32 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 800mv @ 200ma, 2a 180 @ 500ma, 3v 100MHz
UDZSTE-176.8B Rohm Semiconductor Udzste-176.8b 0.3900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F Udzste 200 MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 NA @ 3.5 v 6.8 v 40
DTC014TMT2L Rohm Semiconductor DTC014TMT2L 0.2400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTC014 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 150MV @ 500µA, 5MA 100 @ 5ma, 10V 250MHz 10 KOHMS
KDZTR3.9A Rohm Semiconductor KDZTR3.9A 0.1836
RFQ
ECAD 5064 0.00000000 Rohm 반도체 KDZ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5% - 표면 표면 SOD-123F KDZTR3.9 1 W. PMDU - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 40 µa @ 1 v 3.9 v
DTC143TETL Rohm Semiconductor DTC143TETL 0.3500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC143 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 150mv @ 250µa, 5mA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms
2SB1236TV2Q Rohm Semiconductor 2SB1236TV2Q -
RFQ
ECAD 3148 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-sip 1 W. ATV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 120 v 1.5 a 1µA (ICBO) PNP 2V @ 100MA, 1A 120 @ 100MA, 5V 50MHz
2SC5161TLB Rohm Semiconductor 2SC5161TLB 0.4560
RFQ
ECAD 8659 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SC5161 1 W. CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400 v 2 a 10µA (ICBO) NPN 1V @ 200MA, 1A 25 @ 100MA, 5V 10MHz
QST8TR Rohm Semiconductor qst8tr 0.6400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 QST8 1.25W TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 12V 1.5A 100NA (ICBO) 2 PNP (() 200mv @ 25ma, 500ma 270 @ 200MA, 2V 400MHz
MPSA06T93 Rohm Semiconductor MPSA06T93 -
RFQ
ECAD 4540 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 MPSA06 350 MW To-92-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 500 MA 1µA NPN 250mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1V 100MHz
FMG5AT148 Rohm Semiconductor FMG5AT148 0.1107
RFQ
ECAD 9053 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-74A, SOT-753 FMG5 300MW SMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 10kohms 47kohms
2SD1782KT146R Rohm Semiconductor 2SD1782KT146R 0.3900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SD1782 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 500 MA 500NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 180 @ 100MA, 3V 120MHz
PTZTE2533A Rohm Semiconductor PTZTE2533A 0.2014
RFQ
ECAD 8028 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 6% - 표면 표면 DO-214AC, SMA PTZTE2533 1 W. PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 25 v 33 v 18 옴
DTC143XE3HZGTL Rohm Semiconductor DTC143XE3HZGTL 0.4200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC143 150 MW EMT3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
EMZ1T2R Rohm Semiconductor emz1t2r 0.3900
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMZ1T2 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50V 150ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 400mv @ 5ma, 50ma / 500mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 180MHz, 140MHz
2SD1768STPQ Rohm Semiconductor 2SD1768STPQ -
RFQ
ECAD 4813 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 300MW spt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 80 v 1 a 1µA (ICBO) NPN 400mv @ 20ma, 500ma 120 @ 500ma, 3v 100MHz
UDZSTE-174.7B Rohm Semiconductor Udzste-174.7b 0.4000
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F Udzste 200 MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 µa @ 1 v 4.7 v 100 옴
BM63963S-VC Rohm Semiconductor BM63963S-VC 22.8600
RFQ
ECAD 6019 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 25-powerdip ip (1.327 ", 33.70mm) IGBT BM63963 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 60 3 상 인버터 10 a 600 v 1500VRMS
RLZTE-116.8A Rohm Semiconductor RLZTE-116.8A -
RFQ
ECAD 6755 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% - 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW llds 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 2 µa @ 3.5 v 6.8 v 8 옴
BC848BT116 Rohm Semiconductor BC848BT116 0.4200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 350 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 200MHz
DTB743ZMT2L Rohm Semiconductor DTB743ZMT2L 0.1035
RFQ
ECAD 3635 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-723 DTB743 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 30 v 200 MA 500NA pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 140 @ 100MA, 2V 260MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
EMG5T2R Rohm Semiconductor EMG5T2R 0.3800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-SMD (5 d), 플랫 리드 EMG5T2 150MW EMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 10kohms 47kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고