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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재의 | 전압 | 전압 - 분리 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | 2SCR533PT100 | 0.6000 | ![]() | 416 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | 2SCR533 | 2 w | MPT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 50 v | 3 a | 1µA (ICBO) | NPN | 350MV @ 50MA, 1A | 180 @ 50MA, 3V | 320MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2713 | - | ![]() | 3673 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | 2SK27 | MOSFET (금속 (() | TO-220FN | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 450 v | 5A (TA) | 10V | 1.4ohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 1MA | ± 30V | 600 pf @ 10 v | - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | umh3nfhatn | 0.3500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | UMH3 | 150MW | UMT6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100ma | 500NA (ICBO) | 2 npn--바이어스 (듀얼) | 300MV @ 250µA, 5MA | 100 @ 1ma, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RD3P07BBHTL1 | 3.0100 | ![]() | 8402 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RD3P07 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 80A (TA), 70A (TC) | 6V, 10V | 7.7mohm @ 70a, 10V | 4V @ 1MA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 2410 pf @ 50 v | - | 89W (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | DTC024EMT2L | 0.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-723 | DTC024 | 150 MW | VMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 v | 30 MA | - | npn-사전- | 150MV @ 500µA, 5MA | 60 @ 5MA, 10V | 250MHz | 22 KOHMS | 22 KOHMS | |||||||||||||||||||||||
SP8M9FU6TB | - | ![]() | 7434 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SP8M9 | MOSFET (금속 (() | 2W | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 및 p 채널 | 30V | 9a, 5a | 18mohm @ 9a, 10V | 2.5V @ 1mA | 21NC @ 5V | 1190pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||
![]() | DTA144TKAT146 | 0.0488 | ![]() | 2463 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTA144 | 200 MW | smt3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 5MA | 100 @ 1ma, 5V | 250MHz | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA114WSATP | - | ![]() | 7545 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | SC-72 형성 2 리드 | DTA114 | 300MW | spt | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 24 @ 10MA, 5V | 250MHz | 10 KOHMS | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143EE3TL | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | DTC143E | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | DTC143 | 150 MW | EMT3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA (ICBO) | npn-사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 33 @ 5MA, 5V | 250MHz | 1 KOHMS | 10 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1188T100R | 0.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | 2SB1188 | 2 w | MPT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 32 v | 2 a | 1µA (ICBO) | PNP | 800mv @ 200ma, 2a | 180 @ 500ma, 3v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Udzste-176.8b | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | Udzste | 200 MW | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 500 NA @ 3.5 v | 6.8 v | 40 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC014TMT2L | 0.2400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-723 | DTC014 | 150 MW | VMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 v | 100 MA | 500NA (ICBO) | npn-사전- | 150MV @ 500µA, 5MA | 100 @ 5ma, 10V | 250MHz | 10 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||
![]() | KDZTR3.9A | 0.1836 | ![]() | 5064 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | KDZ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 5% | - | 표면 표면 | SOD-123F | KDZTR3.9 | 1 W. | PMDU | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 40 µa @ 1 v | 3.9 v | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143TETL | 0.3500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | DTC143 | 150 MW | EMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA (ICBO) | npn-사전- | 150mv @ 250µa, 5mA | 100 @ 1ma, 5V | 250MHz | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1236TV2Q | - | ![]() | 3148 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 3-sip | 1 W. | ATV | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 120 v | 1.5 a | 1µA (ICBO) | PNP | 2V @ 100MA, 1A | 120 @ 100MA, 5V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC5161TLB | 0.4560 | ![]() | 8659 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 2SC5161 | 1 W. | CPT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400 v | 2 a | 10µA (ICBO) | NPN | 1V @ 200MA, 1A | 25 @ 100MA, 5V | 10MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | qst8tr | 0.6400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | QST8 | 1.25W | TSMT6 (SC-95) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 12V | 1.5A | 100NA (ICBO) | 2 PNP (() | 200mv @ 25ma, 500ma | 270 @ 200MA, 2V | 400MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA06T93 | - | ![]() | 4540 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | MPSA06 | 350 MW | To-92-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 80 v | 500 MA | 1µA | NPN | 250mv @ 10ma, 100ma | 100 @ 100ma, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FMG5AT148 | 0.1107 | ![]() | 9053 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | SC-74A, SOT-753 | FMG5 | 300MW | SMT5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100ma | 500NA | 2 npn--바이어스 (듀얼) | 300MV @ 250µA, 5MA | 68 @ 5MA, 5V | 250MHz | 10kohms | 47kohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1782KT146R | 0.3900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SD1782 | 200 MW | smt3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 80 v | 500 MA | 500NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 180 @ 100MA, 3V | 120MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PTZTE2533A | 0.2014 | ![]() | 8028 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 6% | - | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | PTZTE2533 | 1 W. | PMD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 10 µa @ 25 v | 33 v | 18 옴 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143XE3HZGTL | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | DTC143 | 150 MW | EMT3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 30 @ 10ma, 5V | 250MHz | 4.7 Kohms | 10 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||
![]() | emz1t2r | 0.3900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | EMZ1T2 | 150MW | EMT6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 150ma | 100NA (ICBO) | NPN, PNP | 400mv @ 5ma, 50ma / 500mv @ 5ma, 50ma | 120 @ 1ma, 6V | 180MHz, 140MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1768STPQ | - | ![]() | 4813 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | SC-72 형성 2 리드 | 300MW | spt | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 80 v | 1 a | 1µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 20ma, 500ma | 120 @ 500ma, 3v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Udzste-174.7b | 0.4000 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | Udzste | 200 MW | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2 µa @ 1 v | 4.7 v | 100 옴 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BM63963S-VC | 22.8600 | ![]() | 6019 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | 25-powerdip ip (1.327 ", 33.70mm) | IGBT | BM63963 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 60 | 3 상 인버터 | 10 a | 600 v | 1500VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||
RLZTE-116.8A | - | ![]() | 6755 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 3% | - | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | llds | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 2 µa @ 3.5 v | 6.8 v | 8 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC848BT116 | 0.4200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC848 | 350 MW | SST3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTB743ZMT2L | 0.1035 | ![]() | 3635 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | SOT-723 | DTB743 | 150 MW | VMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 30 v | 200 MA | 500NA | pnp- 사전- | 300mv @ 2.5ma, 50ma | 140 @ 100MA, 2V | 260MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | EMG5T2R | 0.3800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-SMD (5 d), 플랫 리드 | EMG5T2 | 150MW | EMT5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 100ma | 500NA | 2 npn--바이어스 (듀얼) | 300MV @ 250µA, 5MA | 68 @ 5MA, 5V | 250MHz | 10kohms | 47kohms |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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