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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DTC043EEBTL Rohm Semiconductor dtc043eetl 0.1900
RFQ
 ECAD 9425 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTC043 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA - npn-사전- 150MV @ 500µA, 5MA 20 @ 5ma, 10V 250MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RD3P130SPFRATL Rohm Semiconductor rd3p130spfratl 1.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3P130 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 100 v 13A (TA) 4V, 10V 200mohm @ 6.5a, 10V 2.5V @ 1mA 40 nc @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 20W (TC)
UMF28NTR Rohm Semiconductor umf28ntr 0.4500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMF28 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma, 150ma 500NA 1 npn 프리 n, 1 pnp 300mv @ 500µa, 10ma / 500mv @ 5ma, 50ma 68 @ 5ma, 5v / 180 @ 1ma, 6v 250MHz, 140MHz 22kohms 47kohms
DTC143XCAHZGT116 Rohm Semiconductor DTC143XCAHZGT116 0.2000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC143 350 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 MA - npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
FMA8AT148 Rohm Semiconductor FMA8AT148 0.1172
RFQ
 ECAD 8529 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-74A, SOT-753 FMA8 300MW SMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V - 10kohms 47kohms
RB160VAM-40TR Rohm Semiconductor RB160VAM-40TR 0.4300
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RB160 Schottky tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 700 mA 50 µa @ 40 v 150 ° C (°) 1A -
EMA2T2R Rohm Semiconductor EMA2T2R 0.1084
RFQ
 ECAD 6248 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-SMD (5 d), 플랫 리드 EMA2T2 150MW EMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47kohms 47kohms
TDZVTR15 Rohm Semiconductor tdzvtr15 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 리드 tdzvtr15 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 10 v 15 v
RF6E045AJTCR Rohm Semiconductor RF6E045AJTCR 0.6300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 RF6E045 MOSFET (금속 (() Tumt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.5A (TA) 4.5V 23.7mohm @ 4.5a, 4.5v 1.5V @ 1mA 8.1 NC @ 4.5 v ± 12V 900 pf @ 15 v - 1W (TC)
2SD1767T100Q Rohm Semiconductor 2SD1767T100Q 0.6700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SD1767 500MW MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 80 v 700 MA 500NA (ICBO) NPN 400mv @ 50ma, 500ma 120 @ 100MA, 3V 120MHz
2SC5865TLQ Rohm Semiconductor 2SC5865TLQ 0.1102
RFQ
 ECAD 9188 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 2SC5865 500MW TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 1 a 1µA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 120 @ 100MA, 2V 250MHz
SCT3017ALGC11 Rohm Semiconductor SCT3017ALGC11 116.8400
RFQ
 ECAD 3059 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCT3017 sicfet ((카바이드) TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCT3017ALGC11 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 118A (TC) 18V 22.1MOHM @ 47A, 18V 5.6v @ 23.5ma 172 NC @ 18 v +22V, -4V 2884 pf @ 500 v - 427W
RB480Y-90T2R Rohm Semiconductor RB480Y-90T2R -
RFQ
 ECAD 9221 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-75-4, SOT-543 RB480Y-90 Schottky EMD4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 90 v 100ma 690 mV @ 100 ma 5 µa @ 90 v 125 ° C (°)
2SAR512PT100 Rohm Semiconductor 2SAR512PT100 0.1982
RFQ
 ECAD 7332 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SAR512 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 30 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 35ma, 700ma 200 @ 100ma, 2v 430MHz
SCT3022KLGC11 Rohm Semiconductor SCT3022KLGC11 52.3500
RFQ
 ECAD 260 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCT3022 sicfet ((카바이드) TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 95A (TC) 18V 28.6mohm @ 36a, 18V 5.6v @ 18.2ma 178 NC @ 10 v +22V, -4V 2879 pf @ 800 v - 427W
SP8M9FU6TB Rohm Semiconductor SP8M9FU6TB -
RFQ
 ECAD 7434 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8M9 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 9a, 5a 18mohm @ 9a, 10V 2.5V @ 1mA 21NC @ 5V 1190pf @ 10V 논리 논리 게이트
DTA114WSATP Rohm Semiconductor DTA114WSATP -
RFQ
 ECAD 7545 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 DTA114 300MW spt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 24 @ 10MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 4.7 Kohms
DTC143TETL Rohm Semiconductor DTC143TETL 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC143 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 150mv @ 250µa, 5mA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms
FMG5AT148 Rohm Semiconductor FMG5AT148 0.1107
RFQ
 ECAD 9053 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-74A, SOT-753 FMG5 300MW SMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 10kohms 47kohms
UMH3NFHATN Rohm Semiconductor umh3nfhatn 0.3500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMH3 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz
2SB1236TV2Q Rohm Semiconductor 2SB1236TV2Q -
RFQ
 ECAD 3148 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-sip 1 W. ATV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 120 v 1.5 a 1µA (ICBO) PNP 2V @ 100MA, 1A 120 @ 100MA, 5V 50MHz
DTA144TKAT146 Rohm Semiconductor DTA144TKAT146 0.0488
RFQ
 ECAD 2463 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA144 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 47 Kohms
MPSA06T93 Rohm Semiconductor MPSA06T93 -
RFQ
 ECAD 4540 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 MPSA06 350 MW To-92-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 500 MA 1µA NPN 250mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1V 100MHz
DTC014TMT2L Rohm Semiconductor DTC014TMT2L 0.2400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTC014 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 150MV @ 500µA, 5MA 100 @ 5ma, 10V 250MHz 10 KOHMS
2SAR523UBTL Rohm Semiconductor 2SAR523UBTL 0.2100
RFQ
 ECAD 4304 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-85 2SAR523 200 MW umt3f 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 300MHz
2SC5161TLB Rohm Semiconductor 2SC5161TLB 0.4560
RFQ
 ECAD 8659 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SC5161 1 W. CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400 v 2 a 10µA (ICBO) NPN 1V @ 200MA, 1A 25 @ 100MA, 5V 10MHz
2SD1782KT146R Rohm Semiconductor 2SD1782KT146R 0.3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SD1782 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 500 MA 500NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 180 @ 100MA, 3V 120MHz
DTC143EE3TL Rohm Semiconductor DTC143EE3TL 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 DTC143E 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC143 150 MW EMT3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
QST8TR Rohm Semiconductor qst8tr 0.6400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 QST8 1.25W TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 12V 1.5A 100NA (ICBO) 2 PNP (() 200mv @ 25ma, 500ma 270 @ 200MA, 2V 400MHz
RGTH80TS65GC13 Rohm Semiconductor RGTH80TS65GC13 5.7400
RFQ
 ECAD 2093 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGTH80 기준 234 W. TO-247G 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGTH80TS65GC13 귀 99 8541.29.0095 600 400V, 40A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 70 a 160 a 2.1V @ 15V, 40A - 79 NC 34ns/120ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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