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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
R6507KNJTL Rohm Semiconductor R6507KNJTL 3.1400
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R6507 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 7A (TC) 10V 665mohm @ 2.4a, 10V 5V @ 200µA 14.5 nc @ 10 v ± 20V 470 pf @ 25 v - 78W (TC)
DTC114YKAT146 Rohm Semiconductor DTC114YKAT146 0.2600
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC114 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 47 Kohms
UMH25NTN Rohm Semiconductor umh25ntn 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMH25 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
DTA123JKAT146 Rohm Semiconductor DTA123JKAT146 0.2700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA123 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
DTC015TEBTL Rohm Semiconductor DTC015TEBTL 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTC015 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 150mv @ 250µa, 5mA 100 @ 5ma, 10V 250MHz 100 KOHMS
RGPZ10BM40FHTL Rohm Semiconductor RGPZ10BM40FHTL 1.0665
RFQ
 ECAD 1008 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RGPZ10 기준 107 w TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 300V, 8A, 100ohm, 5V - 460 v 20 a 2.0V @ 5V, 10A - 14 NC 500ns/4µs
DTA143EKAT246 Rohm Semiconductor DTA143EKAT246 -
RFQ
 ECAD 2382 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA143 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
2SC2062STPC Rohm Semiconductor 2SC2062STPC -
RFQ
 ECAD 1218 0.00000000 Rohm 반도체 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 2SC2062 300MW spt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.21.0075 5,000 32 v 300 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.4V @ 200µA, 200mA 10000 @ 100MA, 3V 200MHz
DTA144EEBHZGTL Rohm Semiconductor DTA144EEBHZGTL 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTA144 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 MA - pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
UMH10NTN Rohm Semiconductor umh10ntn 0.4300
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMH10 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
2SD2167T100P Rohm Semiconductor 2SD2167T100p -
RFQ
 ECAD 6660 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SD2167 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 31 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 1V @ 200MA, 2A 82 @ 500ma, 3v 100MHz
DTA015EMT2L Rohm Semiconductor DTA015EMT2L 0.2400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTA015 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 20 MA - pnp- 사전- 150MV @ 500µA, 5MA 80 @ 5ma, 10V 250MHz 100 KOHMS 100 KOHMS
2SC5824T100R Rohm Semiconductor 2SC5824T100R 0.6600
RFQ
 ECAD 4800 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SC5824 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 3 a 1µA (ICBO) NPN 500mv @ 200ma, 2a 180 @ 100MA, 2V 200MHz
2SCR523V1T2L Rohm Semiconductor 2SCR523V1T2L -
RFQ
 ECAD 7013 0.00000000 Rohm 반도체 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000
UMT1NFHATN Rohm Semiconductor umt1nfhatn 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMT1 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 PNP (() 500mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 140MHz
BM63767S-VC Rohm Semiconductor BM63767S-VC 28.2300
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 25-powerdip ip (1.327 ", 33.70mm) IGBT BM63767 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 60 3 상 인버터 30 a 600 v 1500VRMS
MTZJT-775.1C Rohm Semiconductor MTZJT-775.1C -
RFQ
 ECAD 7139 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 500MW MSD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 1.5 v 5.1 v 70 옴
EMT1T2R Rohm Semiconductor EMT1T2R 0.3900
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMT1T2 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 PNP (() 500mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 140MHz
DAN222MT2L Rohm Semiconductor DAN222MT2L 0.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-723 DAN222 기준 VMD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 80 v 100ma 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 70 v 150 ° C (°)
2SA1576U3HZGT106R Rohm Semiconductor 2SA1576U3HZGT106R 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SA1576 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 500MV @ 5MA, 5MA 120 @ 1ma, 6V 140MHz
2SAR542PT100 Rohm Semiconductor 2SAR542PT100 0.7100
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SAR542 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 30 v 5 a 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 100ma, 5a 200 @ 500ma, 2v 240MHz
UDZWTE-1733B Rohm Semiconductor udzwte-1733b -
RFQ
 ECAD 3809 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 3,000
DAN202KT146 Rohm Semiconductor DAN202KT146 0.3400
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Dan202 기준 smd3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 80 v 100ma 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 70 v 150 ° C (°)
2SCR293PHZGT100 Rohm Semiconductor 2SCR293PHZGT100 0.7700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-2SCR293PHZGT100DKR 귀 99 8541.29.0075 1,000 30 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 350MV @ 25MA, 500MA 270 @ 100MA, 2V 320MHz
2SC4726TLP Rohm Semiconductor 2SC4726TLP 0.5000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 2SC4726 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 11 v 50 MA 500NA (ICBO) NPN 500mv @ 5ma, 10ma 56 @ 5MA, 10V 3.2GHz
BCW31T116 Rohm Semiconductor BCW31T116 -
RFQ
 ECAD 7519 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW31 SST3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 태국 귀 99 8541.21.0095 3,000 32 v 100 MA - NPN - 110 @ 2MA, 5V -
RQ5A020ZPTL Rohm Semiconductor RQ5A020ZPTL 0.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RQ5A020 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 2A (TA) 1.5V, 4.5V 105mohm @ 2a, 4.5v 1V @ 1mA 6.5 NC @ 4.5 v ± 10V 770 pf @ 6 v - 700MW (TA)
RGW80TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGW80TS65HRC11 6.9900
RFQ
 ECAD 5388 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGW80 기준 214 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGW80TS65HRC11 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 20A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 80 a 160 a 1.9V @ 15V, 40A 110 NC 42ns/148ns
RQ5H020TNTL Rohm Semiconductor RQ5H020TNTL 0.9300
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RQ5H020 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 45 v 2A (TA) 2.5V, 4.5V 180mohm @ 2a, 4.v 1.5V @ 1mA 4.1 NC @ 4.5 v ± 12V 200 pf @ 10 v - 700MW (TA)
RLZTE-115.6A Rohm Semiconductor RLZTE-115.6A -
RFQ
 ECAD 7172 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% - 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW llds 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 5 µa @ 2.5 v 5.6 v 13 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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