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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DTA023JMT2L Rohm Semiconductor DTA023JMT2L 0.2400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTA023 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA - pnp- 사전- 150MV @ 500µA, 5MA 80 @ 5ma, 10V 250MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
2SC5001TLR Rohm Semiconductor 2SC5001TLR 1.1700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SC5001 10 W. CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 20 v 10 a 1µA (ICBO) NPN 250MV @ 50MA, 4A 120 @ 500ma, 2V 150MHz
PDZVTR2.7B Rohm Semiconductor PDZVTR2.7B 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.41% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-128 PDZVTR2.7 1 W. pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-pdzvtr2.7btr 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 µa @ 1 v 2.7 v 15 옴
RB510VM-30FHTE-17 Rohm Semiconductor RB510VM-30FHTE-17 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F RB510 Schottky UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 460 mV @ 10 ma 300 na @ 10 v 150 ° C (°) 100ma -
DTC114YU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTC114YU3HZGT106 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC114 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 47 Kohms
2SA1576U3T106R Rohm Semiconductor 2SA1576U3T106R 0.3000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SA1576 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 140MHz
EMH25FHAT2R Rohm Semiconductor EMH25FHAT2R 0.0572
RFQ
 ECAD 7518 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMH25 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 - 100ma - 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
RB715FM-40T106 Rohm Semiconductor RB715FM-40T106 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RB715 Schottky SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 40 v 30ma 370 mV @ 1 ma 1 µa @ 10 v 150 ° C
RJ1L08CGNTLL Rohm Semiconductor rj1l08cgntll 2.5800
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RJ1L08 MOSFET (금속 (() lptl 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 80A (TA) 4.5V, 10V 7.7mohm @ 80a, 10V 2.5V @ 50µA 55 NC @ 10 v ± 20V 2600 pf @ 30 v - 96W (TA)
SCT4062KEC11 Rohm Semiconductor SCT4062KEC11 15.2400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCT4062 sicfet ((카바이드) TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCT4062KEC11 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 1200 v 26A (TC) 18V 81mohm @ 12a, 18V 4.8V @ 6.45MA 64 NC @ 18 v +21V, -4V 1498 pf @ 800 v - 115W
RGWX5TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGWX5TS65HRC11 8.5600
RFQ
 ECAD 4632 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGWX5TS65 기준 348 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGWX5TS65HRC11 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 37.5A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 132 a 300 a 1.9V @ 15V, 75A 213 NC 62ns/237ns
2SAR573D3FRATL Rohm Semiconductor 2SAR573D3FRATL 1.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SAR573 10 W. TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 50 v 3 a 1µA (ICBO) 400mv @ 50ma, 1a 180 @ 100MA, 3V
R6535ENZC8 Rohm Semiconductor R6535ENZC8 -
RFQ
 ECAD 4858 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6535 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 846-R6535ENZC8 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 35A (TC) 10V 115mohm @ 18.1a, 10V 4V @ 1.21MA 110 NC @ 10 v ± 20V 2600 pf @ 25 v - 102W (TC)
DTB123EKFRAT146 Rohm Semiconductor DTB123EKFRAT146 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB123 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 500 MA - pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 39 @ 50MA, 5V 200MHz 2.2 Kohms 2.2 Kohms
UMA5NTR Rohm Semiconductor uma5ntr 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UMA5 150MW UMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
BM63564S-VA Rohm Semiconductor BM63564S-VA 25.1200
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 25-powerdip ip (1.134 ", 28.80mm) IGBT BM63564 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 60 3 상 인버터 15 a 600 v 1500VRMS
RSM002N06T2L Rohm Semiconductor RSM002N06T2L 0.4300
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 RSM002 MOSFET (금속 (() VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 n 채널 60 v 250MA (TA) 2.5V, 10V 2.4ohm @ 250ma, 10V 2.3v @ 1ma ± 20V 15 pf @ 25 v - 150MW (TA)
MTZJT-724.3A Rohm Semiconductor MTZJT-724.3A -
RFQ
 ECAD 5283 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 MTZJT-72 500MW MSD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MTZJT724.3A 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 1 v 4.3 v 100 옴
DTC123JSATP Rohm Semiconductor DTC123JSATP -
RFQ
 ECAD 4959 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 DTC123 300MW spt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
RB551VM-40FHTE-17 Rohm Semiconductor RB551VM-40FHTE-17 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F RB551 Schottky UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 430 mv @ 200 ma 300 µa @ 40 v 125 ° C (°) 200ma -
RGT00TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGT00TS65DGC11 5.8000
RFQ
 ECAD 385 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGT00 기준 277 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 10ohm, 15V 54 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 85 a 150 a 2.1V @ 15V, 50A - 94 NC 42ns/137ns
DTC143XCAHZGT116 Rohm Semiconductor DTC143XCAHZGT116 0.2000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC143 350 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 MA - npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
KDZVTR20B Rohm Semiconductor KDZVTR20B 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 KDZV 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C 표면 표면 SOD-123F KDZVTR20 1 W. PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 15 v 21.2 v
RB075B40STL Rohm Semiconductor RB075B40STL -
RFQ
 ECAD 8058 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RB075 Schottky CPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 750 mV @ 5 a 5 µa @ 40 v 150 ° C (°) 5a -
TDZVTR15 Rohm Semiconductor tdzvtr15 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 리드 tdzvtr15 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 10 v 15 v
RB160VAM-40TR Rohm Semiconductor RB160VAM-40TR 0.4300
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RB160 Schottky tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 700 mA 50 µa @ 40 v 150 ° C (°) 1A -
2SAR512PT100 Rohm Semiconductor 2SAR512PT100 0.1982
RFQ
 ECAD 7332 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SAR512 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 30 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 35ma, 700ma 200 @ 100ma, 2v 430MHz
MP6K13TCR Rohm Semiconductor MP6K13TCR -
RFQ
 ECAD 2302 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 MP6K13 MOSFET (금속 (() 2W MPT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 2 n 채널 (채널) 30V 6A 31mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 1mA 5NC @ 5V 350pf @ 10V 논리 논리 게이트
FMA8AT148 Rohm Semiconductor FMA8AT148 0.1172
RFQ
 ECAD 8529 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-74A, SOT-753 FMA8 300MW SMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V - 10kohms 47kohms
DTC043EEBTL Rohm Semiconductor dtc043eetl 0.1900
RFQ
 ECAD 9425 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTC043 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA - npn-사전- 150MV @ 500µA, 5MA 20 @ 5ma, 10V 250MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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