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디스크리트 반도체(6960)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 최대	공급업체 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	다이오 구성	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)
DTA143EUBHZGTL	0.2200	보상요청	390	로옴	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.			표면 실장	SC-85	DTA143		200mW	UMT3F	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	3,000																								100mA	-			PNP - 사전 바이어스됨	500μA, 10mA에서 300mV	30 @ 10mA, 5V	250MHz	4.7kΩ	4.7kΩ
RS3E130ATTB1	2.0500	보상요청	2	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	RS3E	MOSFET(금속)		8-SOP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500			P채널	30V	13A(타)	4.5V, 10V	8.5m옴 @ 13A, 10V	2.5V @ 2mA	83nC @ 10V	±20V	3730pF @ 15V	-	1.4W(타)
EDZTE6120B	-	보상요청	5816	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	±2%	-55°C ~ 150°C	표면 실장	SC-79, SOD-523	EDZTE6120		150mW	EMD2	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	3,000																			100nA @ 15V							20V	85옴
BZX84B20VLT116	0.2600	보상요청	2	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.	±2%	150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		250mW	SSD3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	3,000																			100nA @ 14V							20V	55옴
SCS240KE2HRC11	24.0400	보상요청	5410	로옴	-	튜브	활동적인			스루홀	TO-247-3	SCS240	SiC(탄화규소) 쇼트키		TO-247	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	30		복구 시간 없음 > 500mA(Io)												1쌍의 세션이 시작됩니다	1200V	20A(DC)	1.6V @ 20A	0ns	1200V에서 400μA	175°C(최대)
RB510VM-30FHTE-17	0.3000	보상요청	3	로옴	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	SC-90, SOD-323F	RB510	쇼트키		UMD2	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0070	3,000		작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도													30V		460mV @ 10mA		300nA @ 10V	150°C(최대)	100mA	-
STZ5.6NT146	0.5900	보상요청	2	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	±5%	-	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	STZ5.6		200mW	SMD3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	3,000	1쌍 구역																		2.5V에서 1μA							5.6V	60옴
R6035ENZC17	7.8500	보상요청	300	로옴	-	튜브	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3 풀팩	R6035	MOSFET(금속)		TO-3PF	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	846-R6035ENZC17	EAR99	8541.29.0095	30			N채널	600V	35A(Tc)	10V	102m옴 @ 18.1A, 10V	4V @ 1mA	110nC @ 10V	±20V	2720pF @ 25V	-	120W(Tc)
R6535ENZC8	-	보상요청	4858	로옴	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3 풀팩	R6535	MOSFET(금속)		TO-3PF	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	846-R6535ENZC8	EAR99	8541.29.0095	30			N채널	650V	35A(Tc)	10V	115m옴 @ 18.1A, 10V	4V @ 1.21mA	110nC @ 10V	±20V	25V에서 2600pF	-	102W(Tc)
BSS4130AT116	0.4400	보상요청	418	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BSS4130		200mW	SST3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	3,000																							30V	1A	100nA(ICBO)			NPN	350mV @ 25mA, 500mA	270 @ 100mA, 2V	400MHz
RB070MM-30TFTR	0.4300	보상요청	8818	로옴	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	SOD-123F	RB070	쇼트키		PMDU	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	3,000		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)													30V		490mV @ 1.5A		30V에서 50μA	150°C(최대)	1.5A	-
2SK3050TL	-	보상요청	5671	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	2SK3050	MOSFET(금속)		CPT3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500			N채널	600V	2A(타)	10V	5.5옴 @ 1A, 10V	4V @ 1mA	25.6nC @ 10V	±30V	10V에서 280pF	-	20W(Tc)
SH8J31GZETB	1.7600	보상요청	27	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	SH8J31	-	2W	8-SOP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500	2 P채널(듀얼)			60V	4.5A		70m옴 @ 4.5A, 10V	3V @ 1mA	40nC @ 10V		2500pF @ 10V	-
SCS210KGC17	8.3200	보상요청	500	로옴	-	튜브	활동적인			스루홀	TO-220-2		SiC(탄화규소) 쇼트키		TO-220ACFP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	846-SCS210KGC17	EAR99	8541.10.0080	50		복구 시간 없음 > 500mA(Io)													1200V		1.6V @ 10A	0ns	1200V에서 200μA	175°C	10A	550pF @ 1V, 1MHz
TT8J3TR	0.6300	보상요청	29	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.		150°C (TJ)	표면 실장	8-SMD, 플랫 리드	TT8J3	-	1.25W	8-TSST	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 P채널(듀얼)			30V	2.5A		84m옴 @ 2.5A, 10V	2.5V @ 1mA	4.8nC @ 5V		460pF @ 15V	-
UDZVFHTE-173.9B	0.3900	보상요청	5	로옴	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	±3.46%	150°C (TJ)	표면 실장	SC-90, SOD-323F	UDZVFHTE		200mW	UMD2	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	3,000																			1V에서 5μA							3.9V	100옴
1SS400FHTE61	-	보상요청	5577	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우									다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		846-1SS400FHTE61TR	EAR99	8541.10.0070	3,000
RE1J002YNTCL	0.3600	보상요청	14	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	SC-89, SOT-490	RE1J002	MOSFET(금속)		EMT3F (SOT-416FL)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000			N채널	50V	200mA(타)	0.9V, 4.5V	2.2옴 @ 200mA, 4.5V	800mV @ 1mA		±8V	10V에서 26pF	-	150mW(타)
RS1L120GNTB	1.7500	보상요청	9	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	RS1L	MOSFET(금속)		8-HSOP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500			N채널	60V	12A(Ta), 36A(Tc)	4.5V, 10V	12.7m옴 @ 12A, 10V	2.7V @ 200μA	26nC @ 10V	±20V	30V에서 1330pF	-	3W(타)
YFZVFHTR7.5B	0.4300	보상요청	986	로옴	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	±2.62%	150°C (TJ)	표면 실장	2-SMD, 플랫 리드	YFZVFHTR7.5		500mW	TUMD2M	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	3,000																			500nA @ 4V							7.26V	8옴
R6024ENXC7G	5.5800	보상요청	980	로옴	-	튜브	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	R6024	MOSFET(금속)		TO-220FM	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	846-R6024ENXC7G	EAR99	8541.29.0095	50			N채널	600V	24A(타)	10V	165m옴 @ 11.3A, 10V	4V @ 1mA	70nC @ 10V	±20V	25V에서 1650pF	-	74W(Tc)
RB520S-30GCTE61	-	보상요청	7304	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우					RB520				다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		846-RB520S-30GCTE61TR	EAR99	8541.10.0070	3,000
SCS240KE2C	-	보상요청	8510	로옴	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우			스루홀	TO-247-3	SCS240	SiC(탄화규소) 쇼트키		TO-247	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	SCS240KE2CZ	EAR99	8541.10.0080	360		복구 시간 없음 > 500mA(Io)												1쌍의 세션이 시작됩니다	1200V	20A(DC)		0ns	1200V에서 400μA	175°C(최대)
RFN3B6STL	-	보상요청	6233	로옴	*	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우									-	ROHS3 준수	1(무제한)			더 이상 사용하지 않는 경우	0000.00.0000	2,500
2SAR554PHZGT100	0.6800	보상요청	800	로옴	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-243AA			500mW	SOT-89	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	1,000																							80V	1.5A	1μA(ICBO)			PNP	400mV @ 25mA, 500mA	120 @ 100mA, 3V	340MHz
RB078RSM10STFTL1	1.1800	보상요청	3	로옴	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	TO-277, 3-PowerDFN	RB078	쇼트키		TO-277A	다운로드		1(무제한)			EAR99	8541.10.0080	4,000		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)													100V		840mV @ 5A		100V에서 1.3μA	175°C	5A	-
QS8J2TR	0.9600	보상요청	1	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	8-SMD, 플랫 리드	QS8J2	MOSFET(금속)	550mW	TSMT8	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 P채널(듀얼)			12V	4A		36m옴 @ 4A, 4.5V	1V @ 1mA	20nC @ 4.5V		1940pF @ 6V	레벨 레벨 컨트롤러, 1.5V 드라이브
SH8K15TB1	0.5880	보상요청	7763	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.		150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	SH8K15	MOSFET(금속)	2W	8-SOP	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500	2 N채널(듀얼)			30V	9A		21m옴 @ 9A, 10V	2.5V @ 1mA	8.5nC @ 5V		630pF @ 10V	게임 레벨 레벨
DTA124TUAT106	0.0536	보상요청	5369	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	SC-70, SOT-323	DTA124		200mW	UMT3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	100mA	500nA(ICBO)			PNP - 사전 바이어스됨	500μA에서 300mV, 5mA	100 @ 1mA, 5V	250MHz	22kΩ
RF05VAM1STR	0.3900	보상요청	47	로옴	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			표면 실장	2-SMD, 플랫 리드	RF05VAM1	기준		TUMD2S	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0070	3,000		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)													100V		980mV @ 500mA	25ns	100V에서 10μA	150°C(최대)	500mA	-

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(6960)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²