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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
SP8M70TB1 Rohm Semiconductor SP8M70TB1 -
RFQ
 ECAD 5282 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8M7 MOSFET (금속 (() 650MW 8-SOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 n 및 p 채널 250V 3A, 2.5A 1.63ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 1MA 5.2NC @ 10V 180pf @ 25V -
VT6J1T2CR Rohm Semiconductor vt6j1t2cr 0.0832
RFQ
 ECAD 1938 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 vt6j1 MOSFET (금속 (() 120MW VMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 2 p 채널 (채널) 20V 100ma 3.8ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 100µA - 15pf @ 10V 로직 로직 게이트, 1.2v 드라이브
SCT4062KRHRC15 Rohm Semiconductor SCT4062KRHRC15 15.5500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCT4062KRHRC15 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 1200 v 26A (TC) 18V 81mohm @ 12a, 18V 4.8V @ 6.45MA 64 NC @ 18 v +21V, -4V 1498 pf @ 800 v - 115W
RH6P040BHTB1 Rohm Semiconductor RH6P040BHTB1 1.8400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-HSMT (3.2x3) 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 846-RH6P040BHTB1CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 40A (TC) 6V, 10V 15.6mohm @ 40a, 10V 4V @ 1MA 16.7 NC @ 10 v ± 20V 1080 pf @ 50 v - 59W (TC)
UMN10NTR Rohm Semiconductor umn10ntr 0.5000
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMN10 기준 UMD6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 3 독립 80 v 100ma 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 70 v 150 ° C (°)
HS8MA2TCR1 Rohm Semiconductor HS8MA2TCR1 1.0600
RFQ
 ECAD 750 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn HS8MA2 MOSFET (금속 (() 2W (TA) DFN3333-9DC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 및 p 채널 30V 5A (TA), 7A (TA) 80mohm @ 5.5a, 10v, 35mohm @ 7a, 10v 2.5V @ 1mA 7.8nc @ 10v, 8.4nc @ 10v 320pf @ 10V, 365pf @ 10V -
R8011KNXC7G Rohm Semiconductor R8011knxc7g 5.0300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R8011 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 11A (TA) 10V 450mohm @ 5.5a, 10V 4.5V @ 5.5MA 37 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 100 v - 65W (TC)
BAV170HYFHT116 Rohm Semiconductor BAV170HYFHT116 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV170 기준 SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 짐 1 음극 음극 공통 80 v 215MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 3 µs 5 na @ 75 v 150 ° C
RSQ015P10HZGTR Rohm Semiconductor rsq015p10hzgtr 0.8100
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RSQ015 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 100 v 1.5A (TA) 4V, 10V 470mohm @ 1.5a, 10V 2.5V @ 1mA 17 nc @ 5 v ± 20V 950 pf @ 25 v - 950MW (TA)
RB068M-60TR Rohm Semiconductor RB068M-60TR 0.1948
RFQ
 ECAD 4948 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOD-123F RB068 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 765 MV @ 2 a 1.5 µa @ 60 v 150 ° C (°) 2A -
R6027YNXC7G Rohm Semiconductor R6027ynxc7g 5.5800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 1 (무제한) 846-R6027ynxc7g 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 14A (TC) 10V, 12V 135mohm @ 7a, 12v 6V @ 2MA 40 nc @ 10 v ± 30V 1670 pf @ 100 v - 70W (TC)
US6X5TR Rohm Semiconductor US6x5tr 0.2628
RFQ
 ECAD 8378 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 US6X5 1 W. Tumt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 12 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 180mv @ 50ma, 1a 270 @ 200MA, 2V 360MHz
2SD2195T100 Rohm Semiconductor 2SD2195T100 0.3969
RFQ
 ECAD 7876 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SD2195 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 100 v 2 a 10µA (ICBO) npn-달링턴 1.5v @ 1ma, 1a 1000 @ 1a, 2v 80MHz
SCS306AMC Rohm Semiconductor SCS306AMC 3.8600
RFQ
 ECAD 930 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SCS306 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 6 a 0 ns 30 µa @ 650 v 175 ° C (°) 6A 300pf @ 1v, 1MHz
EDZLDTE615.1B Rohm Semiconductor edzldte615.1b -
RFQ
 ECAD 8260 0.00000000 Rohm 반도체 EDZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 Edzldt 100MW 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-EDZLDTE615.1BTR 귀 99 8541.10.0050 3,000
2SB1590KT146Q Rohm Semiconductor 2SB1590KT146Q 0.1857
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SB1590 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 15 v 1 a 500NA (ICBO) PNP 300mv @ 20ma, 400ma 120 @ 500ma, 2V 200MHz
BZX84B9V1LFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B9V1LFHT116 0.2700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 1.98% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW SSD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
DTA143ZEBHZGTL Rohm Semiconductor DTA143ZEBHZGTL 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTA143 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 MA - pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
R6515KNXC7G Rohm Semiconductor R6515KNXC7G 3.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6515 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6515KNXC7G 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 15A (TA) 10V 315mohm @ 6.5a, 10V 5V @ 430µA 27.5 nc @ 10 v ± 20V 1050 pf @ 25 v - 60W (TC)
RV1C002UNT2CL Rohm Semiconductor RV1C002UNT2CL 0.4000
RFQ
 ECAD 831 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 RV1C002 MOSFET (금속 (() VML0806 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 n 채널 20 v 150MA (TA) 1.2V, 4.5V 2ohm @ 150ma, 4.5v 1V @ 100µA ± 8V 12 pf @ 10 v - 100MW (TA)
2N3904T93 Rohm Semiconductor 2N3904T93 -
RFQ
 ECAD 3774 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2N3904 625 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 200 MA 50NA NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
UMD6NTR Rohm Semiconductor umd6ntr 0.4400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMD6 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma - 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7kohms -
KDZVTFTR22B Rohm Semiconductor KDZVTFTR22B 0.4700
RFQ
 ECAD 9146 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101, KDZVTF 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.68% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F KDZVTFTR22 1 W. PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 17 v 23.25 v
MP6K31TCR Rohm Semiconductor MP6K31TCR -
RFQ
 ECAD 3293 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 MP6K31 MOSFET (금속 (() 2W MPT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 2 n 채널 (채널) 60V 2A 290mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 1mA 2NC @ 5V 110pf @ 10V 논리 논리 게이트, 4v 드라이브
RFN2L4STE25 Rohm Semiconductor RFN2L4STE25 0.6600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RFN2L4 기준 PMD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.2 v @ 1.5 a 30 ns 1 µa @ 400 v 150 ° C (°) 1.5A -
VDZFHT2R36B Rohm Semiconductor vdzfht2r36b -
RFQ
 ECAD 7305 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2.5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-723 100MW VMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 27 v 35.97 v 300 옴
2SA1585STPR Rohm Semiconductor 2SA1585STPR -
RFQ
 ECAD 6684 0.00000000 Rohm 반도체 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 2SA1585 400MW spt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 20 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100ma, 2a 180 @ 100MA, 2V 240MHz
SCS308AMC Rohm Semiconductor SCS308AMC 4.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SCS308 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 8 a 0 ns 40 µa @ 650 v 175 ° C (°) 8a 400pf @ 1v, 1MHz
DTA143XUAT106 Rohm Semiconductor DTA143XUAT106 0.0536
RFQ
 ECAD 4579 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTA143 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
DTA114EUBHZGTL Rohm Semiconductor dta114eubhzgtl 0.2200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-85 DTA114 200 MW umt3f 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 MA - pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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