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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 - 최대 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 저항 @ if, f 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
RR263M-400TR Rohm Semiconductor RR263M-400TR 0.1258
RFQ
 ECAD 2321 0.00000000 Rohm 반도체 * 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 RR263 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000
RTR040N03TL Rohm Semiconductor RTR040N03TL 0.5100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RTR040 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4A (TA) 2.5V, 4.5V 48mohm @ 4a, 4.5v 1.5V @ 1mA 8.3 NC @ 4.5 v ± 12V 475 pf @ 10 v - 1W (TA)
RCD050N20TL Rohm Semiconductor RCD050N20TL 0.5385
RFQ
 ECAD 3726 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RCD050 MOSFET (금속 (() CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 5A (TA) 10V 618mohm @ 2.5a, 10V 5.25V @ 1mA 9 NC @ 10 v ± 30V 380 pf @ 25 v - 20W (TC)
RS1L120GNTB Rohm Semiconductor RS1L120GNTB 1.7500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn RS1L MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 12A (TA), 36A (TC) 4.5V, 10V 12.7mohm @ 12a, 10V 2.7V @ 200µA 26 NC @ 10 v ± 20V 1330 pf @ 30 v - 3W (TA)
BSM180D12P3C007 Rohm Semiconductor BSM180D12P3C007 675.9200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 기준 기준 BSM180 실리콘 실리콘 (sic) 880W 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q9597863 귀 99 8541.29.0095 12 2 n 채널 (채널) 1200V (1.2kv) 180A (TC) - 5.6v @ 50ma - 900pf @ 10V -
RS6P060BHTB1 Rohm Semiconductor RS6P060BHTB1 2.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn RS6P060 MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 60A (TC) 6V, 10V 10.6mohm @ 60a, 10V 4V @ 1MA 25 nc @ 10 v ± 20V 1560 pf @ 50 v - 3W (TA), 73W (TC)
DAN235UT106 Rohm Semiconductor Dan235UT106 0.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) SC-70, SOT-323 DAN235 UMD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 150 MW 1.2pf @ 6V, 1MHz 표준 -1 쌍 1 캐소드 35V 900mohm @ 2ma, 100mhz
RN142GT2R Rohm Semiconductor RN142GT2R 0.4100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) SOD-723 RN142GT2 VMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 100 MA 0.45pf @ 1v, 1MHz 핀 - 단일 60V 2ohm @ 10ma, 100mhz
RSD140P06TL Rohm Semiconductor RSD140P06TL -
RFQ
 ECAD 2817 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RSD140 MOSFET (금속 (() CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 14A (TA) 4V, 10V 84mohm @ 14a, 10V 3V @ 1mA 27 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 10 v - 20W (TC)
PTZTFTE2522B Rohm Semiconductor PTZTFTE2522B 0.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.38% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1 W. PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 17 v 23.25 v 14 옴
RCX050N25 Rohm Semiconductor RCX050N25 1.0786
RFQ
 ECAD 5457 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RCX050 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 250 v 5A (TA) 10V 1100mohm @ 2.5a, 10V 5.5V @ 1mA 9 NC @ 10 v ± 30V 410 pf @ 25 v - 30W (TC)
UFZVTE-173.6B Rohm Semiconductor UFZVTE-173.6B 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3.56% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 500MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 1 v 3.6 v 60 옴
YDZVFHTR10 Rohm Semiconductor ydzvfhtr10 0.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 10% 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 리드 ydzvfhtr10 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 6 v 10 v
UMH9NFHATN Rohm Semiconductor umh9nfhatn 0.4800
RFQ
 ECAD 625 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMH9 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 10kohms 47kohms
2SCR502EBHZGTL Rohm Semiconductor 2SCR502EBHZGTL 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 2SCR502 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 500 MA 200NA (ICBO) NPN 300mv @ 10ma, 200ma 200 @ 100ma, 2v 360MHz
DTA143ZMFHAT2L Rohm Semiconductor DTA143ZMFHAT2L 0.2400
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTA143 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 100 MA - pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
TDZTR30 Rohm Semiconductor TDZTR30 0.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 TDZTR30 500MW Tumd2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 21 v 30 v
DTA123EMFHAT2L Rohm Semiconductor DTA123EMFHAT2L 0.2400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTA123 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 100 MA - pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 20ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 2.2 Kohms
RF081MM2STR Rohm Semiconductor RF081MM2STR 0.4900
RFQ
 ECAD 303 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RF081 기준 PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 800 MA 25 ns 10 µa @ 200 v 150 ° C (°) 800ma -
CDZVT2R4.7B Rohm Semiconductor cdzvt2r4.7b 0.2700
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 cdzvt2 100MW vmn2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 2 µa @ 1 v 4.7 v 100 옴
RQ3E150MNTB1 Rohm Semiconductor RQ3E150MNTB1 0.5924
RFQ
 ECAD 9123 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn RQ3E150 MOSFET (금속 (() 8-HSMT (3.2x3) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 15A (TA) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 1mA 20 nc @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 15 v - 2W (TA)
RBR2MM60BTFTR Rohm Semiconductor RBR2MM60BTFTR 0.4300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RBR2MM60 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 580 mV @ 2 a 100 µa @ 60 v 150 ° C (°) 2A -
RBR1LAM30ATR Rohm Semiconductor rbr1lam30atr 0.4700
RFQ
 ECAD 380 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 rbr1lam30 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 480 mV @ 1 a 50 µa @ 30 v 150 ° C (°) 1A -
RB168VWM-60TFTR Rohm Semiconductor RB168VWM-60TFTR 0.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RB168 Schottky PMDE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 760 mV @ 1 a 500 NA @ 60 v 175 ° C 1A -
RB085BM-90FHTL Rohm Semiconductor RB085BM-90FHTL 1.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RB085 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 10A 830 mv @ 5 a 7.4 ns 150 µa @ 90 v 150 ° C (°)
DTC124EEBTL Rohm Semiconductor dtc124eebtl 0.2600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTC124 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 30 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
RF4E110BNTR Rohm Semiconductor RF4E110BNTR 0.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerudfn RF4E110 MOSFET (금속 (() HUML2020L8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 11.1MOHM @ 11a, 10V 2V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 15 v - 2W (TA)
CDZVT2R27B Rohm Semiconductor CDZVT2R27B 0.2700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 cdzvt2 100MW vmn2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 21 v 27 v 150 옴
RB068L100TE25 Rohm Semiconductor RB068L100TE25 0.1786
RFQ
 ECAD 7005 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RB068 Schottky PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 800 mV @ 2 a 50 µa @ 100 v 150 ° C (°) 2A -
BZX84C7V5LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C7V5LYFHT116 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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