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불연속 불연속 제품 (6960)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
MTZJT-7733C Rohm Semiconductor MTZJT-7733C -
RFQ
 ECAD 9092 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 500MW MSD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 25 v 33 v 65 옴
RB520ZS-30T2R Rohm Semiconductor RB520ZS-30T2R -
RFQ
 ECAD 7355 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 0201 (0603 메트릭) RB520 Schottky GMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 460 mV @ 10 ma 300 na @ 10 v 150 ° C (°) 100ma -
KDZVTR9.1B Rohm Semiconductor KDZVTR9.1B 0.3900
RFQ
 ECAD 1293 0.00000000 Rohm 반도체 KDZV 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C 표면 표면 SOD-123F KDZVTR9.1 1 W. PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 6 v 9.65 v
KDZVTR22B Rohm Semiconductor KDZVTR22B 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 KDZV 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C 표면 표면 SOD-123F KDZVTR22 1 W. PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 17 v 23.25 v
SCS215AMC Rohm Semiconductor SCS215AMC 4.1400
RFQ
 ECAD 9256 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SCS215 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.55 V @ 12 a 0 ns 240 µa @ 600 v 175 ° C (°) 12a 438pf @ 1v, 1MHz
RUE002N05TL Rohm Semiconductor rue002n05tl -
RFQ
 ECAD 5627 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 rue002 MOSFET (금속 (() EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 200MA (TA) 1.2V, 4.5V 2.2ohm @ 200ma, 4.5v 1V @ 1mA ± 8V 25 pf @ 10 v - 150MW (TA)
2SK3019TL Rohm Semiconductor 2SK3019TL 0.3800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 2SK3019 MOSFET (금속 (() EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 100MA (TA) 2.5V, 4V 8ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100µa ± 20V 13 pf @ 5 v - 150MW (TA)
RBR40NS60AFHTL Rohm Semiconductor RBR40NS60AFHTL 2.0500
RFQ
 ECAD 466 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RBR40 Schottky LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 40a 600 mV @ 20 a 800 µa @ 60 v 150 ° C (°)
MTZJT-7712C Rohm Semiconductor MTZJT-7712C -
RFQ
 ECAD 1100 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 500MW MSD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 9 v 12 v 25 옴
RRE02VSM4STR Rohm Semiconductor RRE02VSM4STR 0.4700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RRE02 기준 tumd2sm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 짐 400 v 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 400 v 150 ° C (°) 200ma -
2SC4617EBTLQ Rohm Semiconductor 2SC4617EBTLQ 0.2600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 2SC4617 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 180MHz
RCX511N25 Rohm Semiconductor RCX511N25 3.1700
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RCX511 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 250 v 51A (TC) 10V 65mohm @ 25.5a, 10V 5V @ 1MA 120 nc @ 10 v ± 30V 7000 pf @ 25 v - 2.23W (TA), 40W (TC)
RZM002P02T2L Rohm Semiconductor RZM002P02T2L 0.3600
RFQ
 ECAD 165 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 RZM002 MOSFET (금속 (() VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 p 채널 20 v 200MA (TA) 1.2V, 4.5V 1.2ohm @ 200ma, 4.5v 1V @ 100µA 1.4 NC @ 4.5 v ± 10V 115 pf @ 10 v - 150MW (TA)
RB058LB100TBR1 Rohm Semiconductor RB058LB100TBR1 0.8600
RFQ
 ECAD 3656 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB RB058 Schottky SMBP 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 840 mV @ 3 a 1.5 µa @ 100 v 175 ° C 3A -
DAN217UMFHTL Rohm Semiconductor dan217umfhtl 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-85 Dan217 기준 UMD3F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 80 v 100ma 1.2 v @ 100 ma 4 ns 200 na @ 70 v 150 ° C (°)
2SA1037AKT146Q Rohm Semiconductor 2SA1037AKT146Q 0.2800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1037 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 140MHz
RB068M-40TR Rohm Semiconductor RB068M-40TR 0.5800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOD-123F RB068 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 725 MV @ 2 a 550 na @ 40 v 150 ° C (°) 2A -
QS8M11TCR Rohm Semiconductor QS8M11TCR 0.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 - 표면 표면 8-smd,, 리드 QS8M11 - - TSMT8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 3.5a - - - - -
SCH2080KEC Rohm Semiconductor SCH2080KEC -
RFQ
 ECAD 3652 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCH2080 sicfet ((카바이드) TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SCH2080KECU 귀 99 8541.29.0095 360 n 채널 1200 v 40A (TC) 18V 117mohm @ 10a, 18V 4V @ 4.4ma 106 NC @ 18 v +22V, -6V 1850 pf @ 800 v - 262W (TC)
MTZJT-7222B Rohm Semiconductor MTZJT-7222B -
RFQ
 ECAD 3058 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 MTZJT-72 500MW MSD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MTZJT7222B 귀 99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 17 v 22 v 30 옴
UFZVTE-1711B Rohm Semiconductor UFZVTE-1711B 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.77% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F ufzvte 500MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 8 v 11 v 10 옴
2SA1515STPR Rohm Semiconductor 2SA1515STPR -
RFQ
 ECAD 3279 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-72 형성 2 리드 300MW spt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 32 v 1 a 500NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 180 @ 100MA, 3V 150MHz
RR1VWM6STFTR Rohm Semiconductor rr1vwm6stftr 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 2-SMD,, 리드 RR1VWM6 기준 PMDE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 600 v 1.2 v @ 1 a 10 µa @ 600 v 175 ° C (°) 1A -
RFUH10TF6SC9 Rohm Semiconductor RFUH10TF6SC9 2.5600
RFQ
 ECAD 978 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 RFUH10 기준 TO-220NFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RFUH10TF6SC9 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.8 V @ 10 a 25 ns 10 µa @ 600 v 150 ° C 10A -
DTA044EEBTL Rohm Semiconductor dta044eebtl 0.1900
RFQ
 ECAD 4977 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTA044 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 30 MA - pnp- 사전- 150MV @ 500µA, 5MA 80 @ 5ma, 10V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
RSX101MM-30TFTR Rohm Semiconductor rsx101mm-30tftr 0.4500
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RSX101 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 390 mV @ 1 a 200 µa @ 30 v 150 ° C (°) 1A -
RRS075P03TB1 Rohm Semiconductor RRS075P03TB1 -
RFQ
 ECAD 6724 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 7.5A (TA) - - - -
2SD2654TLW Rohm Semiconductor 2SD2654TLW 0.4800
RFQ
 ECAD 308 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 2SD2654 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 300NA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 50ma 1200 @ 1ma, 5V 250MHz
SH8K41GZETB Rohm Semiconductor SH8K41GZETB 0.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SH8K41 MOSFET (금속 (() 1.4W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 80V 3.4a 130mohm @ 3.4a, 10V 2.5V @ 1mA 6.6NC @ 5V 600pf @ 10V 논리 논리 게이트
CDZVT2R10B Rohm Semiconductor CDZVT2R10B 0.2700
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 cdzvt2 100MW vmn2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 7 v 10 v 30 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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