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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RB520CM-60T2R Rohm Semiconductor RB520CM-60T2R 0.3100
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ECAD 50 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 RB520 쇼트키 VMN2M 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 8,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 60V 440mV @ 10mA 60V에서 3μA 150°C(최대) 100mA -
RB218T-60NZC9 Rohm Semiconductor RB218T-60NZC9 1.5400
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ECAD 1 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-3 풀팩 RB218 쇼트키 TO-220FN 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍씩 시작됩니다 60V 20A 830mV @ 10A 60V에서 5μA 150°C
RF2001T4S Rohm Semiconductor RF2001T4S 1.7500
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ECAD 169 0.00000000 로옴 - 대부분 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 스루홀 TO-220-3 풀팩 RF2001 기준 TO-220FN 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 400V 1.6V @ 20A 30ns 400V에서 10μA 150°C(최대) 20A -
DTD523YMT2L Rohm Semiconductor DTD523YMT2L 0.1134
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ECAD 9096 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTD523 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 12V 500mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 300mV @ 5mA, 100mA 140 @ 100mA, 2V 260MHz 2.2kΩ 10kΩ
CDZT2R10B Rohm Semiconductor CDZT2R10B 0.0928
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ECAD 5826 0.00000000 로옴 CDZ 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±2% -55°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-923 CDZT2 100mW VMN2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 8,000 100nA @ 7V 10V 30옴
RTF025N03TL Rohm Semiconductor RTF025N03TL 0.7100
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ECAD 20 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 RTF025 MOSFET(금속) TUMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 2.5A(타) 2.5V, 4.5V 67m옴 @ 2.5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 5.2nC @ 4.5V ±12V 10V에서 270pF - 800mW(타)
RB215T-90NZC9 Rohm Semiconductor RB215T-90NZC9 3.2900
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ECAD 895 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-3 풀팩 RB215 쇼트키 TO-220FN 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RB215T-90NZC9 EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍씩 시작됩니다 90V 20A 750mV @ 10A 90V에서 400μA 150°C
RQ3P300BHTB1 Rohm Semiconductor RQ3P300BHTB1 2.4200
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ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN RQ3P300 MOSFET(금속) 8-HSMT(3.2x3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 100V 39A(타) 6V, 10V 15.5m옴 @ 10A, 10V 4V @ 1mA 36nC @ 10V ±20V 2040pF @ 50V - 2W(타)
DTC143ESATP Rohm Semiconductor DTC143ESATP -
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ECAD 8408 0.00000000 로옴 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 SC-72 수정했어요 DTC143 300mW SPT 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 5,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
UT6KC5TCR Rohm Semiconductor UT6KC5TCR 1.6200
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ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerUDFN UT6KC5 MOSFET(금속) 2W(타) DFN2020-8D 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 60V 3.5A(타) 95m옴 @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA 3.1nC @ 10V 30V에서 135pF -
R6035KNZC17 Rohm Semiconductor R6035KNZC17 7.8500
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ECAD 300 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3 풀팩 R6035 MOSFET(금속) TO-3PF 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6035KNZC17 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 35A(Tc) 10V 102m옴 @ 18.1A, 10V 5V @ 1mA 72nC @ 10V ±20V 3000pF @ 25V - 102W(Tc)
MTZJT-722.7B Rohm Semiconductor MTZJT-722.7B -
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ECAD 4740 0.00000000 로옴 MTZ J 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±3% - 스루홀 DO-204AG, DO-34, 축방향 MTZJT-72 500mW MSD - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. MTZJT722.7B EAR99 8541.10.0050 5,000 2.7V
BZX84C5V1LT116 Rohm Semiconductor BZX84C5V1LT116 0.2300
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ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±5.88% 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250mW SSD3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 2V에서 2μA 5.1V 60옴
RBR3L30BDDTE25 Rohm Semiconductor RBR3L30BDDTE25 0.6600
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ECAD 837 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 DO-214AC, SMA RBR3L30 쇼트키 PMDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 530mV @ 3A 30V에서 80μA 150°C 3A -
DTA114YE3HZGTL Rohm Semiconductor DTA114YE3HZGTL 0.4100
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ECAD 3 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTA114 150mW EMT3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-DTA114YE3HZGTLTR EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 68 @ 5mA, 5V 250MHz 10kΩ 47kΩ
RBQ20BGE65ATL Rohm Semiconductor RBQ20BGE65ATL 2.1500
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ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RBQ20 쇼트키 TO-252GE 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍씩 시작됩니다 65V 20A 630mV @ 10A 65V에서 200μA 150°C
RD3T100CNTL1 Rohm Semiconductor RD3T100CNTL1 1.5900
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ECAD 10 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RD3T100 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 200V 10A(TC) 10V 182m옴 @ 5A, 10V 5.25V @ 1mA 25nC @ 10V ±30V 25V에서 1400pF - 85W(Tc)
SH8M12TB1 Rohm Semiconductor SH8M12TB1 0.4439
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ECAD 6892 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SH8M12 MOSFET(금속) 2W 8-SOP - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 30V 5A, 4.5A 42m옴 @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 4nC @ 5V 250pF @ 10V 게임 레벨 레벨
RB520S-309HLTE61 Rohm Semiconductor RB520S-309HLTE61 -
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ECAD 3101 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 RB520 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 846-RB520S-309HLTE61TR EAR99 8541.10.0070 3,000
KDZVTFTR22B Rohm Semiconductor KDZVTFTR22B 0.4700
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ECAD 9146 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101, KDZVTF 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5.68% 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-123F KDZVTFTR22 1W PMDU 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 17V에서 10μA 23.25V
RB531SM-30FHT2R Rohm Semiconductor RB531SM-30FHT2R 0.3700
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ECAD 32 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-79, SOD-523 RB531 쇼트키 EMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 8,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 30V 350mV @ 10mA 10V에서 10μA 125°C(최대) 200mA -
RB558VYM150FHTR Rohm Semiconductor RB558VYM150FHTR 0.3900
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ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 RB558 쇼트키 TUMD2M 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 150V 950mV @ 500mA 6.35ns 150V에서 500nA 150°C(최대) 500mA -
SCT4045DEC11 Rohm Semiconductor SCT4045DEC11 14.8500
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ECAD 430 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 SCT4045 SiCFET(탄화규소) TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-SCT4045DEC11 EAR99 8541.29.0095 450 N채널 750V 34A(티씨) 18V 59m옴 @ 17A, 18V 4.8V @ 8.89mA 63nC @ 18V +21V, -4V 500V에서 14600pF - 115W
DTA143TCAT116 Rohm Semiconductor DTA143TCAT116 0.0488
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ECAD 5030 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA143 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 250MHz 4.7kΩ
DTC115EE3HZGTL Rohm Semiconductor DTC115EE3HZGTL 0.4100
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ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTC115 150mW EMT3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 82 @ 5mA, 5V 250MHz 100kΩ 100kΩ
DTA114TMT2L Rohm Semiconductor DTA114TMT2L 0.0615
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ECAD 2429 0.00000000 로옴 DTA114T 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTA114 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 300mV @ 1mA, 10mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 10kΩ
RLZTE-116.2B Rohm Semiconductor RLZTE-116.2B -
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ECAD 2618 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±3% - 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 2,500 3V에서 5μA 6.2V 10옴
UDZVTE-172.4B Rohm Semiconductor UDZVTE-172.4B 0.2700
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ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - -55°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F 우즈베테 200mW UMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 2.4V
RB521S-40TE61 Rohm Semiconductor RB521S-40TE61 -
보상요청
ECAD 4710 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-79, SOD-523 RB521 쇼트키 EMD2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 40V 540mV @ 200mA 40V에서 90μA 150°C(최대) 200mA -
SP8J5FU6TB Rohm Semiconductor SP8J5FU6TB -
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ECAD 5786 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SP8J5 MOSFET(금속) 2W 8-SOP - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 P채널(듀얼) 30V 7A 28m옴 @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 25nC @ 5V 2600pF @ 10V 게임 레벨 레벨
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고