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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BZX84C5V1LYT116 Rohm Semiconductor BZX84C5V1LYT116 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
BZX84C27VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C27VLYFHT116 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.04% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 19 v 27 v 80 옴
RGSX5TS65EHRC11 Rohm Semiconductor RGSX5TS65EHRC11 11.7500
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGSX5TS65 기준 404 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGSX5TS65EHRC11 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 75A, 10ohm, 15V 116 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 114 a 225 a 2.15V @ 15V, 75A 3.44mj (on), 1.9mj (Off) 79 NC 43ns/113ns
BZX84C36VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84C36VLYT116 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.56% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 25 v 36 v 90 옴
BZX84C11VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84C11VLYT116 0.4200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.45% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
RGSX5TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGSX5TS65HRC11 8.9300
RFQ
 ECAD 395 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGSX5TS65 기준 404 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGSX5TS65HRC11 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 75A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 114 a 225 a 2.15V @ 15V, 75A 3.32mj (on), 1.9mj (Off) 79 NC 43ns/113ns
2SCR563F3TR Rohm Semiconductor 2SCR563F3TR 0.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn n 패드 1 W. HUML2020L3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 50 v 6 a 1µA (ICBO) NPN 350MV @ 150MA, 3A 180 @ 500ma, 3v 200MHz
BAW56HYFHT116 Rohm Semiconductor baw56hyfht116 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 baw56 기준 SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 80 v 215MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 100 na @ 80 v 150 ° C
BZX84C7V5LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C7V5LYFHT116 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
BZX84C10VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84C10VLYT116 0.4200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 7 v 10 v 20 옴
RB508FM-40SFHT106 Rohm Semiconductor RB508FM-40SFHT106 0.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RB508 Schottky SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 40 v 80ma 590 mV @ 40 ma 35 NA @ 30 v 150 ° C
BAS40-05HYT116 Rohm Semiconductor BAS40-05HYT116 0.5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 Schottky SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 40 v 120MA (DC) 1 v @ 40 ma 10 µa @ 40 v 150 ° C
BZX84C4V3LYT116 Rohm Semiconductor BZX84C4V3LYT116 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.98% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
R6520ENXC7G Rohm Semiconductor R6520ENXC7G 5.3400
RFQ
 ECAD 987 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6520 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6520ENXC7G 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 20A (TA) 10V 205mohm @ 9.5a, 10V 4V @ 630µA 61 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 68W (TC)
R6020KNXC7G Rohm Semiconductor R6020KNXC7G 4.9000
RFQ
 ECAD 775 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6020 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6020KNXC7G 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 20A (TA) 10V 196MOHM @ 9.5A, 10V 5V @ 1MA 40 nc @ 10 v ± 20V 1550 pf @ 25 v - 68W (TC)
R6524KNXC7G Rohm Semiconductor R6524KNXC7G 5.5800
RFQ
 ECAD 990 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6524 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6524KNXC7G 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 24A (TA) 10V 185mohm @ 11.3a, 10V 5V @ 750µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1850 pf @ 25 v - 74W (TC)
RRS090P03HZGTB Rohm Semiconductor RRS090P03HZGTB 1.6500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RRS090 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 9A (TA) 4V, 10V 15.4mohm @ 9a, 10V 2.5V @ 1mA 30 nc @ 5 v ± 20V 3000 pf @ 10 v - 2W (TA)
SCT2280KEHRC11 Rohm Semiconductor SCT2280KEHRC11 15.1500
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCT2280 sicfet ((카바이드) TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCT280KEHRC11 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 14A (TC) 18V 364mohm @ 4a, 18V 4V @ 1.4ma 36 NC @ 400 v +22V, -6V 667 pf @ 800 v - 108W (TC)
RGW80TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGW80TS65HRC11 6.9900
RFQ
 ECAD 5388 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGW80 기준 214 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGW80TS65HRC11 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 20A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 80 a 160 a 1.9V @ 15V, 40A 110 NC 42ns/148ns
RQ3G110ATTB Rohm Semiconductor RQ3G110ATTB 1.6100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn RQ3G110 MOSFET (금속 (() 8-HSMT (3.2x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 11A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 12.4mohm @ 11a, 10V 2.5V @ 1mA 46 NC @ 10 v ± 20V 2750 pf @ 20 v - 2W (TA)
R6511KND3TL1 Rohm Semiconductor R6511KND3TL1 2.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 R6511 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 11A (TC) 10V 400mohm @ 3.8a, 10V 5V @ 320µA 22 nc @ 10 v ± 20V 760 pf @ 25 v - 124W (TC)
SCS220AGC17 Rohm Semiconductor SCS220AGC17 7.5200
RFQ
 ECAD 4999 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220ACFP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCS220AGC17 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.55 V @ 20 a 0 ns 400 µa @ 600 v 175 ° C 20A 730pf @ 1v, 1MHz
SCS206AGC17 Rohm Semiconductor SCS206AGC17 3.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220ACFP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCS206AGC17 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.55 V @ 6 a 0 ns 120 µa @ 600 v 175 ° C 6A 219pf @ 1v, 1MHz
RBR3L30BDDTE25 Rohm Semiconductor RBR3L30BDDTE25 0.6600
RFQ
 ECAD 837 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA RBR3L30 Schottky PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 530 mV @ 3 a 80 µa @ 30 v 150 ° C 3A -
BSS138BKT116 Rohm Semiconductor BSS138BKT116 0.4200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 400MA (TA) 2.5V, 10V 680mohm @ 400ma, 10V 2V @ 10µA ± 20V 47 pf @ 30 v - 200MW (TA)
RB085T-60NZC9 Rohm Semiconductor RB085T-60NZC9 2.0200
RFQ
 ECAD 980 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RB085 Schottky TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RB085T-60NZC9 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 580 mV @ 5 a 300 µa @ 60 v 150 ° C
RFN10T2DNZC9 Rohm Semiconductor RFN10T2DNZC9 1.8600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RFN10 기준 TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RFN10T2DNZC9 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 10A 980 MV @ 5 a 25 ns 10 µa @ 200 v 150 ° C
RB531CM-30T2R Rohm Semiconductor RB531CM-30T2R 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-923 RB531 Schottky VMN2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 370 mV @ 10 ma 7 µa @ 10 v 125 ° C 100ma -
RS3E130ATTB1 Rohm Semiconductor RS3E130ATTB1 2.0500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RS3E MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 13A (TA) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 13a, 10V 2.5V @ 2MA 83 NC @ 10 v ± 20V 3730 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
R6002ENHTB1 Rohm Semiconductor R6002enhtb1 1.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) R6002 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 1.7A (TA) 10V 3.4ohm @ 500ma, 10V 4V @ 1MA 6.5 NC @ 10 v ± 20V 65 pf @ 25 v - 2W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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