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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 - 최대 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 저항 @ if, f 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
YDZVFHTR10 Rohm Semiconductor ydzvfhtr10 0.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 10% 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 리드 ydzvfhtr10 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 6 v 10 v
R6009KND3TL1 Rohm Semiconductor R6009KND3TL1 0.9200
RFQ
 ECAD 3599 0.00000000 Rohm 반도체 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 1 (무제한) 2,500
GDZ8EPT2R6.8B Rohm Semiconductor gdz8ept2r6.8b -
RFQ
 ECAD 9434 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-gdz8ept2r6.8btr 귀 99 8541.10.0050 8,000
RB098BM100FHTL Rohm Semiconductor RB098BM100FHTL 1.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RB098 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 6A 770 MV @ 3 a 11.4 ns 3 µa @ 100 v 150 ° C (°)
RB160L-40TE25 Rohm Semiconductor RB160L-40TE25 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RB160 Schottky PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 1 a 100 µa @ 40 v 150 ° C (°) 1A -
RN142GT2R Rohm Semiconductor RN142GT2R 0.4100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) SOD-723 RN142GT2 VMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 100 MA 0.45pf @ 1v, 1MHz 핀 - 단일 60V 2ohm @ 10ma, 100mhz
RTR040N03HZGTL Rohm Semiconductor RTR040N03HZGTL 0.6800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RTR040 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 4A (TA) 2.5V, 4.5V 48mohm @ 4a, 4.5v 1.5V @ 1mA 8.3 NC @ 4.5 v ± 12V 475 pf @ 10 v - 700MW (TA)
DTC114TEBTL Rohm Semiconductor DTC114TEBTL 0.2600
RFQ
 ECAD 820 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTC114 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 10 KOHMS
SP8J2TB Rohm Semiconductor SP8J2TB 1.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 * 컷 컷 (CT) 활동적인 SP8J2 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 -
RB160MM-90TR Rohm Semiconductor RB160mm-90tr 0.3600
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RB160 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 730 MV @ 1 a 100 µa @ 90 v 150 ° C (°) 1A -
VDZT2R4.7B Rohm Semiconductor vdzt2r4.7b -
RFQ
 ECAD 4592 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-723 vdzt2 100MW VMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 2 µa @ 1 v 4.7 v 100 옴
RSR015P03TL Rohm Semiconductor RSR015P03TL 0.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 - 표면 표면 SC-96 RSR015 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 1.5A (TA) 4V, 10V 235mohm @ 1.5a, 10V - 2.6 NC @ 5 v ± 20V 190 pf @ 10 v - 1W (TA)
RB068LAM-40TR Rohm Semiconductor RB068LAM-40TR 0.5300
RFQ
 ECAD 507 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 RB068 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 690 MV @ 2 a 1 µa @ 40 v 150 ° C (°) 2A -
EMX3T2R Rohm Semiconductor EMX3T2R 0.1084
RFQ
 ECAD 5709 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMX3T2 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 400mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 180MHz
1SS244T-72 Rohm Semiconductor 1SS244T-72 -
RFQ
 ECAD 3367 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 1SS244 기준 MSD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1SS244T72 귀 99 8541.10.0070 5,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 220 v 1.5 v @ 200 ma 75 ns 10 µa @ 220 v 175 ° C (°) 200ma 3pf @ 0V, 1MHz
UDZVFHTE-1743 Rohm Semiconductor UDZVFHTE-1743 0.3500
RFQ
 ECAD 9689 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.81% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F udzvfhte 200 MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 33 v 43 v 550 옴
2SCR642PHZGT100 Rohm Semiconductor 2SCR642PHZGT100 0.8800
RFQ
 ECAD 917 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 500MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 30 v 3 a 1µA (ICBO) NPN 400mv @ 100ma, 2a 200 @ 500ma, 2v 250MHz
RBQ10RSM10BTL1 Rohm Semiconductor RBQ10RSM10BTL1 1.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn Schottky TO-277A 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 700 mV @ 10 a 250 µa @ 100 v 150 ° C 10A -
BZX84B12VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84B12VLYT116 0.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.67% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 8 v 12 v 25 옴
KDZLVTFTR68 Rohm Semiconductor KDZLVTFTR68 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C 표면 표면 SOD-123F KDZLVTFTR68 1 W. SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 52 v 68 v
R8002CND3FRATL Rohm Semiconductor R8002CND3FRATL 2.8300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 R8002 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 800 v 2A (TC) 10V 4.3ohm @ 1a, 10V 5.5V @ 1mA 12.1 NC @ 10 v ± 30V 240 pf @ 25 v - 69W (TC)
DTB114EKT146 Rohm Semiconductor DTB114EKT146 0.4500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB114 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 56 @ 50MA, 5V 200MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
RD3L140SPFRATL Rohm Semiconductor RD3L140SPFRATL 1.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3L140 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 14A (TA) 4V, 10V 84mohm @ 14a, 10V 3V @ 1mA 27 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 10 v - 20W (TC)
RQ6E045SNTR Rohm Semiconductor rq6e045sntr 0.6300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RQ6E045 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 4.5A (TA) 4V, 10V 38mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 1mA 9.5 nc @ 5 v ± 20V 520 pf @ 10 v - 950MW (TA)
RB751VM-40TE-17 Rohm Semiconductor RB751VM-40TE-17 0.3700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F RB751 Schottky UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 370 mV @ 1 ma 500 NA @ 30 v 150 ° C (°) 30ma 2pf @ 1v, 1MHz
SP8K24FRATB Rohm Semiconductor SP8K24FRATB 1.4300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8K24 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 45V 6A (TA) 25mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 1mA 21.6NC @ 5V 1400pf @ 10V -
RB521S-30UNTE61 Rohm Semiconductor RB521S-30 Tunte61 -
RFQ
 ECAD 4281 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 RB521 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RB521S-30 Tunte61tr 귀 99 8541.10.0070 3,000
RSX201LAM30TR Rohm Semiconductor rsx201lam30tr 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RSX201 Schottky tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 440 mV @ 2 a 150 µa @ 30 v 150 ° C (°) 2A -
R5009FNJTL Rohm Semiconductor R5009fnjtl 1.1754
RFQ
 ECAD 4105 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R5009 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 9A (TC) 10V 840mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 1MA 18 nc @ 10 v ± 30V 630 pf @ 25 v - 50W (TC)
RFN20T2DNZC9 Rohm Semiconductor RFN20T2DNZC9 2.4300
RFQ
 ECAD 961 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RFN20 기준 TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RFN20T2DNZC9 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 980 MV @ 10 a 30 ns 10 µa @ 200 v 150 ° C 20A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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