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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
RQ5H020SPTL Rohm Semiconductor RQ5H020SPTL 0.5900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RQ5H020 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 45 v 2A (TA) 4V, 10V 190mohm @ 2a, 10V 3V @ 1mA 9.5 nc @ 10 v ± 20V 500 pf @ 10 v - 540MW (TA)
RQ5E070BNTCL Rohm Semiconductor RQ5E070BNTCL 0.7500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RQ5E070 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 7A (TC) 10V 16.1mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 23 nc @ 10 v ± 20V 950 pf @ 15 v - 1W (TC)
DTC143EE3HZGTL Rohm Semiconductor DTC143EE3HZGTL 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC143 150 MW EMT3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
UDZTE-178.2B Rohm Semiconductor UDZTE-178.2B 0.0927
RFQ
 ECAD 5888 0.00000000 Rohm 반도체 UDZ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F udzte 200 MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 na @ 5 v 8.2 v 30 옴
MTZJT-7230A Rohm Semiconductor MTZJT-7230A -
RFQ
 ECAD 9186 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 MTZJT-72 500MW MSD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MTZJT7230A 귀 99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 23 v 30 v 55 옴
PDZVTR5.6A Rohm Semiconductor pdzvtr5.6a 0.4100
RFQ
 ECAD 190 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 6.19% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-128 PDZVTR5.6 1 W. pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 1.5 v 5.65 v 8 옴
RB521S-40TE61 Rohm Semiconductor RB521S-40TE61 -
RFQ
 ECAD 4710 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-79, SOD-523 RB521 Schottky EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 540 mV @ 200 mA 90 µa @ 40 v 150 ° C (°) 200ma -
RLZTE-1124B Rohm Semiconductor RLZTE-1124B -
RFQ
 ECAD 3331 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% - 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 RLZTE-1124 500MW llds 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 200 na @ 19 v 23.2 v 35 옴
TFZVTR22B Rohm Semiconductor TFZVTR22B 0.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 TFZVTR22 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 17 v 22 v 30 옴
RBQ30NS100ATL Rohm Semiconductor RBQ30NS100ATL 3.1200
RFQ
 ECAD 965 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RBQ30 Schottky TO-263S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 30A 770 mV @ 15 a 200 µa @ 100 v 150 ° C
BM63575S-VA Rohm Semiconductor BM63575S-VA 28.6300
RFQ
 ECAD 59 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 25-powerdip ip (1.134 ", 28.80mm) IGBT BM63575 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-BM63575S-VA 귀 99 8542.39.0001 60 3 상 인버터 20 a 600 v 1500VRMS
UDZVTE-172.4B Rohm Semiconductor UDZVTE-172.4B 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F udzvte 200 MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2.4 v
RFUS20NS4STL Rohm Semiconductor rfus20ns4stl 2.2300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RFUS20 기준 LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 430 v 150 ° C (°) 20A -
EDZFTE616.2B Rohm Semiconductor EDZFTE616.2B -
RFQ
 ECAD 8224 0.00000000 Rohm 반도체 EDZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 Edzft 100MW 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-EDZFTE616.2BTR 귀 99 8541.10.0050 3,000
KDZTR3.9B Rohm Semiconductor KDZTR3.9B 0.1836
RFQ
 ECAD 9022 0.00000000 Rohm 반도체 KDZ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123F KDZTR3.9 1 W. PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 40 µa @ 1 v 4.1 v
KDZTR4.7B Rohm Semiconductor KDZTR4.7B 0.1836
RFQ
 ECAD 9615 0.00000000 Rohm 반도체 KDZ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123F KDZTR4.7 1 W. PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 1 v 4.9 v
QS6J1TR Rohm Semiconductor qs6j1tr 0.6300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 QS6J1 MOSFET (금속 (() 1.25W TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 1.5A 215mohm @ 1.5a, 4.5v 2V @ 1mA 3NC @ 4.5V 270pf @ 10V 논리 논리 게이트
KDZTR7.5B Rohm Semiconductor KDZTR7.5B 0.5200
RFQ
 ECAD 488 0.00000000 Rohm 반도체 KDZ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123F KDZTR7.5 1 W. PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 4 v 7.9 v
SCT3040KLHRC11 Rohm Semiconductor SCT3040KLHRC11 56.3400
RFQ
 ECAD 886 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCT3040 sicfet ((카바이드) TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 55A (TA) 18V 52mohm @ 20a, 18V 5.6v @ 10ma 107 NC @ 18 v +22V, -4V 1337 pf @ 800 v - 262W
RD3H080SPTL1 Rohm Semiconductor RD3H080SPTL1 1.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3H080 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 45 v 8A (TA) 4V, 10V 91mohm @ 8a, 10V 3V @ 1mA 9 NC @ 5 v ± 20V 1000 pf @ 10 v - 15W (TC)
RGTH00TK65GC11 Rohm Semiconductor RGTH00TK65GC11 6.8200
RFQ
 ECAD 405 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-3pfm, SC-93-3 RGTH00 기준 72 W. to-3pfm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 35 a 200a 2.1V @ 15V, 50A - 94 NC 39ns/143ns
UMZ18NFHT106 Rohm Semiconductor UMZ18NFHT106 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.19% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 UMZ18 200 MW UMD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 13 v 18 v
RB085BM-90TL Rohm Semiconductor RB085BM-90TL 1.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RB085 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 5a 830 mv @ 5 a 150 µa @ 90 v 150 ° C (°)
SP8J5FU6TB Rohm Semiconductor SP8J5FU6TB -
RFQ
 ECAD 5786 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8J5 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 30V 7a 28mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 25NC @ 5V 2600pf @ 10V 논리 논리 게이트
EDZFHTE615.1B Rohm Semiconductor edzfhte615.1b -
RFQ
 ECAD 7213 0.00000000 Rohm 반도체 EDZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 Edzfht 100MW 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-EDZFHTE615.1BTR 귀 99 8541.10.0050 3,000
PTZTFTE254.7B Rohm Semiconductor ptztfte254.7b 0.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.05% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1 W. PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 20 µa @ 1 v 4.95 v 10 옴
UDZVTE-172.0B Rohm Semiconductor UDZVTE-172.0B 0.2700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F udzvte 200 MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 120 µa @ 500 mV 2 v 100 옴
RB520S-307STE61 Rohm Semiconductor RB520S-307STE61 -
RFQ
 ECAD 3346 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 RB520 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RB520S-307STE61TR 귀 99 8541.10.0070 3,000
SCS312AHGC9 Rohm Semiconductor SCS312AHGC9 6.9400
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SCS312 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220ACP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 0 ns 60 µa @ 650 v 175 ° C (°) 12a 600pf @ 1v, 1MHz
BAV99LT116 Rohm Semiconductor BAV99LT116 -
RFQ
 ECAD 4465 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 bav99 기준 SSD3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-bav99lt116tr 쓸모없는 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 75 v 215MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 1 µa @ 75 v 150 ° C (°)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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